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    • BYF1204图

    • 深圳市一线半导体有限公司

       该会员已使用本站16年以上
    • BYF1204
    • 数量22000 
    • 厂家原厂品牌 
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    • 全新原装部分现货其他订货
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    产品型号BYF90的Datasheet PDF文件预览

    140 COMMERCE DRIVE  
    MONTGOMERYVILLE, PA  
    18936-1013  
    PHONE: (215) 631-9840  
    FAX: (215) 631-9855  
    BFY90  
    RF & MICROWAVE DISCRETE  
    LOW POWER TRANSISTORS  
    Features  
    ·
    ·
    ·
    ·
    Silicon NPN, To-72 packaged VHF/UHF Transistor  
    Low Noise, 2.5 dB (typ) @ 500 MHz, 5v, 2.0 mA,  
    1.3 GHz Current-Gain Bandwidth Product @ 25mA IC  
    Power Gain, GPE = 19 dB (typ) @ 200 MHz  
    2
    1. Emitter  
    2. Base  
    3. Collector  
    4. Case  
    1
    3
    4
    TO-72  
    DESCRIPTION:  
    Silicon NPN transistor, designed for VHF/UHF equipment. Applications include low noise amplifier; oscillator, and mixer  
    applications.  
    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°C)  
    Symbol  
    VCEO  
    VCBO  
    VEBO  
    IC  
    Parameter  
    Value  
    15  
    Unit  
    Vdc  
    Vdc  
    Vdc  
    mA  
    Collector-Emitter Voltage  
    Collector-Base Voltage  
    Emitter-Base Voltage  
    Collector Current  
    30  
    2.5  
    50  
    Thermal Data  
    P
    D
    200  
    1.14  
    mWatts  
    mW/ ºC  
    Total Device Dissipation @ T = 25ºC  
    Derate above 25ºC  
    A
    PRELIMINARY BFY90.PDF 3-10-99  
    BFY90  
    ELECTRICAL SPECIFICATIONS (Tcase = 25°C)  
    STATIC  
    (off)  
    Symbol  
    BVCEO  
    ICBO  
    Test Conditions  
    Value  
    Typ.  
    Min.  
    Max.  
    Unit  
    Collector-Emitter Breakdown Voltage  
    (IC = 10 mAdc, IB = 0)  
    15  
    -
    -
    -
    Vdc  
    Collector Cutoff Current  
    (VCE = 15 Vdc, IE = 0 Vdc)  
    -
    10  
    nA  
    (on)  
    HFE  
    DC Current Gain  
    (IC = 25 mAdc, VCE = 1.0 Vdc)  
    20  
    -
    125  
    -
    DYNAMIC  
    Symbol  
    Test Conditions  
    Value  
    Typ.  
    Min.  
    Max.  
    Unit  
    fT  
    Current-Gain - Bandwidth Product  
    (IC = 25 mAdc, VCE = 5 Vdc, f = 500 MHz)  
    1.3  
    -
    2.5  
    -
    -
    GHz  
    NFmin  
    Cibo  
    (IC = 2.0 mAdc, VCE = 5.0 Vdc, f = 500 MHz  
    5.0  
    2.0  
    dB  
    pF  
    -
    Emitter-Base Capacitance  
    (VEB = 0.5 Vdc, IC = 0, f = 1.0 MHz)  
    -
    PRELIMINARY BFY90.PDF 3-10-99  
    BFY90  
    FUNCTIONAL  
    Symbol  
    Test Conditions  
    IC = 8 mAdc, VCE = 10 Vdc,  
    Value  
    Typ.  
    Min.  
    Max.  
    Unit  
    G
    Maximum Unilateral Gain (1)  
    Maximum Stable Gain  
    Insertion Gain  
    U max  
    f = 200 MHz  
    -
    20  
    22  
    16  
    dB  
    -
    MSG  
    IC = 8 mAdc, VCE = 10 Vdc,  
    f = 200 MHz  
    -
    dB  
    dB  
    -
    -
    2
    IC = 8 mAdc, VCE = 10 Vdc,  
    f = 200 MHz  
    |S |  
    21  
    15  
    Table 1. Common Emitter S-Parameters, @ VCE = 10 V, IC = 8 mA  
    f
    S11  
    S21  
    S12  
    S22  
    (MHz)  
    |S11|  
    .574  
    |S21|  
    10.65  
    |S12|  
    .023  
    |S22|  
    .788  
    Ð f  
    -79  
    Ð f  
    127  
    Ð f  
    67  
    Ð f  
    100  
    200  
    300  
    400  
    500  
    600  
    700  
    800  
    900  
    1000  
    -56  
    -97  
    -136  
    -178  
    140  
    98  
    .374  
    .292  
    .259  
    .221  
    .198  
    .185  
    .187  
    .185  
    .177  
    -130  
    -172  
    142  
    96  
    7.01  
    4.44  
    3.62  
    3.02  
    2.57  
    2.08  
    1.90  
    1.79  
    1.70  
    105  
    97  
    92  
    88  
    80  
    76  
    76  
    72  
    61  
    .036  
    .047  
    .063  
    .072  
    .082  
    .087  
    .104  
    .117  
    .118  
    60  
    66  
    63  
    60  
    58  
    58  
    58  
    50  
    44  
    .682  
    .654  
    .640  
    .617  
    .614  
    .611  
    .621  
    .620  
    .632  
    53  
    8.8  
    55  
    -38  
    -91  
    -136  
    10  
    -35  
    -78  
    PRELIMINARY BFY90.PDF 3-10-99  
    BFY90  
    PRELIMINARY BFY90.PDF 3-10-99  
    配单直通车
    BYF402产品参数
    型号:BYF402
    是否Rohs认证： 不符合
    生命周期：Obsolete
    Reach Compliance Code：unknown
    ECCN代码：EAR99
    HTS代码：8541.10.00.80
    风险等级：5.92
    配置：SINGLE
    二极管类型：RECTIFIER DIODE
    最大正向电压 (VF)：1.2 V
    JESD-609代码：e0
    最大非重复峰值正向电流：50 A
    元件数量：1
    最高工作温度：175 °C
    最大输出电流：1 A
    最大重复峰值反向电压：100 V
    最大反向恢复时间：0.5 µs
    子类别：Rectifier Diodes
    表面贴装：NO
    端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
    Base Number Matches：1
    •  
    • 供货商
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