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  • 深圳市凯鑫跃电子有限公司

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  • ★专业经营贴片二,三极管,桥堆★★现货低价抛售★
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  • 深圳市芯脉实业有限公司

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  • 深圳市凯鑫跃电子有限公司

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  • 深圳市硅诺电子科技有限公司

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  • 原厂指定分销商,有意请来电或QQ洽谈
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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 批号24+ 
  • 假一罚十,原装进口正品现货供应,价格优势。
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  • 昂富(深圳)电子科技有限公司

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  • 一站式BOM配单,短缺料找现货,怕受骗,就找昂富电子.
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  • 北京首天国际有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 绝对原装正品全新进口深圳现货
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  • 美驻深办0755-83777708“进口原装正品专供” QQ:1002316308QQ:515102657
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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市正信鑫科技有限公司

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  • 原装正品★真实库存★价格优势★欢迎来电洽谈
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥3.2元一有问必回一有长期订货一备货HK仓库
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • 厂家VIS 
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  • 一级代理,原装特价现货!
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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市美思瑞电子科技有限公司

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  • 现货,原厂原装假一罚十!
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  • 毅创腾(集团)有限公司

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  • ★只做原装★正品现货★原盒原标★
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  • 深圳市创芯联科技有限公司

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  • 厂家Vishay 
  • 封装N/A 
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  • 原厂货源/正品保证,诚信经营,欢迎询价
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  • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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  • 批号21+ 
  • 羿芯诚只做原装 原厂渠道 价格优势
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  • 深圳市芯脉实业有限公司

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  • 封装DO-214AC 
  • 批号全新环保批次 
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  • 深圳市湘达电子有限公司

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  • 封装SMA 
  • 批号2020 
  • 绝对全新原装现货,欢迎来电查询
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  • 0755-83229772 QQ:215672808
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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 数量6500000 
  • 厂家Vishay 
  • 封装原厂原装 
  • 批号22+ 
  • 万三科技 秉承原装 实单可议
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  • 0755-21008751 QQ:3008961396
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  • 深圳市惠诺德电子有限公司

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  • 厂家Vishay General Semiconductor - Diodes Di 
  • 封装DIODE AVALANCHE 800V 1.5A 
  • 批号21+ 
  • 只做原装现货代理
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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 数量660000 
  • 厂家Vishay(威世) 
  • 封装原厂原装 
  • 批号23+ 
  • 支持实单/只做原装
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  • 深圳市特拉特科技有限公司

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  • 数量30000 
  • 厂家VISHAY 
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  • 批号22+ 
  • 只做原装公司现货一级代理销售
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  • 0755-82531732 QQ:709809857
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  • 深圳市创思克科技有限公司

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  • 数量8000 
  • 厂家VISHAY/威世 
  • 封装DO-214 
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  • 全新原装原厂实力挺实单欢迎来撩
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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 数量22000 
  • 厂家原厂品牌 
  • 封装原厂外观 
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  • 全新原装部分现货其他订货
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  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • ★体验愉快问购元件!!就找我吧!单价:4元
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  • 深圳市科雨电子有限公司

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产品型号BYG21K-E3/TR的概述

芯片BYG21K-E3/TR概述 BYG21K-E3/TR是一种高性能的半导体器件,广泛应用于各种电子设备中。作为一种具有良好电气性能的二极管,BYG21K-E3/TR能够有效地满足现代电子电路对高速、低功耗和高可靠性的需求。该芯片的优越特性使其在多个行业,特别是消费电子、通信设备以及工业控制等领域得到了广泛应用。 详细参数 BYG21K-E3/TR的关键电气参数包括: - 最大反向电压(V_R):50V - 正向电流(I_F):2A - 正向电压降(V_F):约1.0V(I_F=2A时) - 反向漏电流(I_R):1µA(V_R=50V时) - 工作温度范围:-55℃到+150℃。 - 封装类型:SMD - 封装大小:DO-214AC(SMA) 这些参数使得BYG21K-E3/TR可以在不同的环境条件下稳定工作,同时它的高反向电压也增强了其适用性,可以满足多种应用场合的需要。 制造...

产品型号BYG21K-E3/TR3的Datasheet PDF文件预览

BYG21K-E3/HE3, BYG21M-E3/HE3  
www.vishay.com  
Vishay General Semiconductor  
Fast Avalanche SMD Rectifier  
FEATURES  
• Low profile package  
• Ideal for automated placement  
• Glass passivated pellet chip junction  
• Low reverse current  
• Soft recovery characteristic  
• Fast reverse recovery time  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak  
of 260 °C  
SMA (DO-214AC)  
• AEC-Q101 qualified  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
TYPICAL APPLICATIONS  
IF(AV)  
1.5 A  
For use in fast switching rectification of power supply,  
inverters, converters, and freewheeling diodes for  
consumer, automotive, and telecommunication.  
VRRM  
800 V, 1000 V  
30 A  
IFSM  
IR  
1.0 μA  
MECHANICAL DATA  
VF  
trr  
1.6 V  
Case: SMA (DO-214AC)  
120 ns  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial grade  
Base P/NHE3_X - RoHS-compliant and AEC-Q101 qualified  
(“_X” denotes revision code e.g. A, B,...)  
ER  
20 mJ  
TJ max.  
Package  
Diode variation  
150 °C  
SMA (DO-214AC)  
Single  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
E3 suffix meets JESD 201 class 2 whisker test, HE3 suffix  
meets JESD 201 class 2 whisker test  
Polarity: Color band denotes the cathode end  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
BYG21K  
BYG21K  
800  
BYG21M  
BYG21M  
1000  
UNIT  
Device marking code  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Average forward current  
VRRM  
IF(AV)  
V
A
1.5  
30  
Peak forward surge current 10 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
IFSM  
A
Pulse energy in avalanche mode, non repetitive  
ER  
20  
mJ  
°C  
(inductive load switch off) I(BR)R = 1 A, TJ = 25 °C  
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
-55 to +150  
Revision: 08-Mar-17  
Document Number: 88961  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
BYG21K-E3/HE3, BYG21M-E3/HE3  
www.vishay.com  
Vishay General Semiconductor  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
TEST CONDITIONS  
SYMBOL  
BYG21K  
BYG21M  
UNIT  
IF = 1 A  
1.5  
1.6  
1
Maximum instantaneous  
forward voltage  
(1)  
TJ = 25 °C  
VF  
V
IF = 1.5 A  
TJ = 25 °C  
Maximum reverse current  
VR = VRRM  
IR  
µA  
ns  
TJ = 100 °C  
10  
Maximum reverse  
recovery time  
IF = 0.5 A, IR = 1.0 A,  
rr = 0.25 A  
trr  
120  
I
Note  
(1)  
Pulse test: 300 μs pulse width, 1 % duty cycle  
THERMAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
BYG21K  
BYG21M  
UNIT  
Typical thermal resistance, junction to lead, TL = const.  
RJL  
25  
°C/W  
(1)  
RJA  
150  
125  
100  
(2)  
Typical thermal resistance, junction to ambient  
RJA  
°C/W  
(3)  
RJA  
Notes  
(1)  
Mounted on epoxy-glass hard tissue  
Mounted on epoxy-glass hard tissue, 50 mm2 35 μm Cu  
Mounted on Al-oxide-ceramic (Al2O3), 50 mm2 35 μm Cu  
(2)  
(3)  
ORDERING INFORMATION (Example)  
PREFERRED P/N  
UNIT WEIGHT (g)  
PREFERRED PACKAGE CODE  
BASE QUANTITY  
DELIVERY MODE  
BYG21K-E3/TR  
0.064  
TR  
TR3  
H
1800  
7500  
1800  
7500  
7" diameter plastic tape and reel  
13" diameter plastic tape and reel  
7" diameter plastic tape and reel  
13" diameter plastic tape and reel  
BYG21K-E3/TR3  
BYG21KHE3_A/H (1)  
BYG21KHE3_A/I (1)  
0.064  
0.064  
0.064  
I
Note  
(1)  
AEC-Q101 qualified  
RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
10  
1.6  
1.4  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0.0  
VR = VRRM  
Half Sine-Wave  
TJ = 150 °C  
RθJA = 25 K/W  
1
TJ = 25 °C  
RθJA = 125 K/W  
RθJA = 150 K/W  
0.1  
0.01  
0.001  
0
0.5  
1.0  
1.5  
2.0  
2.5  
3.0  
3.5  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Forward Voltage (V)  
Ambient Temperature (°C)  
Fig. 1 - Forward Current vs. Forward Voltage  
Fig. 2 - Max. Average Forward Current vs. Ambient Temperature  
Revision: 08-Mar-17  
Document Number: 88961  
2
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Vishay General Semiconductor  
100  
200  
VR = VRRM  
TA = 125 °C  
150  
100  
50  
TA = 100 °C  
TA = 75 °C  
TA = 50 °C  
10  
TA = 25 °C  
IR = 0.5 A, iR = 0.125 A  
1
0
25  
50  
75  
100  
re (°C)  
125  
150  
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
Forward Current (A)  
Junction Temperatu  
Fig. 3 - Reverse Current vs. Junction Temperature  
Fig. 6 - Max. Reverse Recovery Charge vs. Forward Current  
120  
1000  
VR = VRRM  
100  
80  
60  
40  
20  
125 K/W DC  
PR - Limit  
at 100 % VR  
100  
10  
1
tp/T = 0.5  
tp/T = 0.2  
tp/T = 0.1  
PR - Limit  
tp/T = 0.05  
at 80 % VR  
tp/T = 0.02  
tp/T = 0.01  
Single Pulse  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
10-5  
10-4  
10-3  
10-2  
10-1  
100  
101  
102  
Junction Temperature (°C)  
Pulse Length (s)  
Fig. 4 - Max. Reverse Power Dissipation vs. Junction Temperature  
Fig. 7 - Thermal Response  
25  
f = 1 MHz  
20  
15  
10  
5
0
0.1  
1
10  
100  
Reverse Voltage (V)  
Fig. 5 - Diode Capacitance vs. Reverse Voltage  
Revision: 08-Mar-17  
Document Number: 88961  
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Vishay General Semiconductor  
PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS in inches (millimeters)  
SMA (DO-214AC)  
Cathode Band  
Mounting Pad Layout  
0.074 (1.88)  
MAX.  
0.066 (1.68)  
MIN.  
0.110 (2.79)  
0.100 (2.54)  
0.065 (1.65)  
0.049 (1.25)  
0.177 (4.50)  
0.157 (3.99)  
0.060 (1.52)  
MIN.  
0.012 (0.305)  
0.006 (0.152)  
0.208 (5.28)  
REF.  
0.090 (2.29)  
0.078 (1.98)  
0.060 (1.52)  
0.030 (0.76)  
0.008 (0.203)  
0 (0)  
0.208 (5.28)  
0.194 (4.93)  
Revision: 08-Mar-17  
Document Number: 88961  
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