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  • 优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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  • 厂家Vishay Semiconductors 
  • 封装贴/插片 
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  • 原装正品★真实库存★价格优势★欢迎来电洽谈
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  • ▉▉¥3.8元一有问必回一有长期订货一备货HK仓库
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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 厂家VISHAY 
  • 封装SMA 
  • 批号2023+ 
  • 绝对原装正品全新进口深圳现货
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  • 深圳分公司0755-83777708“进口原装正品专供” QQ:1002316308QQ:515102657
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  • 深圳市浩兴林电子有限公司

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  • 封装原装现货供应 假一罚十 
  • 批号17+ 
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  • 深圳市毅创腾电子科技有限公司

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  • 厂家VISHAY威世 
  • 封装DO-214ACSMA 
  • 批号22+ 
  • ★只做原装★正品现货★原盒原标★
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  • 深圳市宇集芯电子有限公司

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  • 数量99000 
  • 厂家VISHAY 
  • 封装DO-214A 
  • 批号23+ 
  • 一级代理进口原装现货、假一罚十价格合理
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  • 0755-2870-8773手机微信同号13430772257 QQ:1157099927QQ:2039672975
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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 数量16853 
  • 厂家VISHAY/威世 
  • 封装SMA 
  • 批号23+ 
  • 全新原装正品现货热卖
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 数量18800 
  • 厂家VIHSAY 
  • 封装DO-214 
  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥10一一有问必回一一有长期订货一备货HK仓库
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  • 深圳市创芯联科技有限公司

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  • 数量13000 
  • 厂家VISHAY 
  • 封装DO-214AC 
  • 批号2234+ 
  • 原厂货源/正品保证,诚信经营,欢迎询价
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  • 厂家原厂品牌 
  • 封装原厂封装 
  • 批号新年份 
  • 羿芯诚只做原装长期供,支持实单
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  • 深圳市西源信息科技有限公司

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  • 原装现货零成本有接受价格就出
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  • 深圳市欧昇科技有限公司

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  • 数量9000 
  • 厂家VISHAY 
  • 封装NA 
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  • 一片起送货上门----服务客户超万家
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  • 深圳市宏世佳电子科技有限公司

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  • 全新原厂原装产品、公司现货销售
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  • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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  • 数量13500 
  • 厂家VISHAY/威世 
  • 封装SMA 
  • 批号21+ 
  • 羿芯诚只做原装 原厂渠道 价格优势
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  • 上海意淼电子科技有限公司

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  • 数量20000 
  • 厂家VISHAY 
  • 封装DO214AC 
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  • 原装现货热卖!请联系吴先生 13681678667
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  • 深圳市芯脉实业有限公司

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  • 数量26980 
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  • 批号全新环保批次 
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BYG22  
Vishay Semiconductors  
VISHAY  
Ultra Fast Avalanche SMD Rectifier  
Features  
• Controlled avalanche characteristic  
• Glass passivated junction  
• Low reverse current  
• Low forward voltage  
• Soft recovery characteristic  
• Very fast reverse recovery time  
• Good switching characteristics  
• Wave and reflow solderable  
15811  
Applications  
Surface mounting  
Super fast rectifier  
Freewheeling diodes in SMPS and converters  
Snubber diodes  
Parts Table  
Part  
Type differentiation  
VR = 50 V @ IFAV = 2 A  
Package  
BYG22A  
BYG22B  
BYG22D  
DO-214AC  
V
V
R = 100 V @ IFAV = 2 A  
R = 200 V @ IFAV = 2 A  
DO-214AC  
DO-214AC  
Absolute Maximum Ratings  
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified  
Parameter  
Test condition  
Part  
Symbol  
Value  
50  
Unit  
V
Reverse voltage = Repetitive  
peak reverse voltage  
BYG22A  
VR = VRRM  
BYG22B  
BYG22D  
VR = VRRM  
100  
V
200  
35  
V
A
Peak forward surge current  
Average forward current  
tp = 10 ms, half sinewave  
IFSM  
IFAV  
2
A
Junction and storage  
temperature range  
Tj = Tstg  
- 55 to + 150  
°C  
Pulse energy in avalanche  
mode, non repetitive (inductive  
load switch off)  
I
(BR)R = 1 A, Tj = 25 °C  
ER  
20  
mJ  
Document Number 86011  
Rev. 1.5, 09-Oct-00  
www.vishay.com  
1
BYG22  
Vishay Semiconductors  
VISHAY  
Maximum Thermal Resistance  
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified  
Parameter  
Junction lead  
Junction ambient  
Test condition  
Part  
Symbol  
RthJL  
Value  
25  
Unit  
K/W  
TL = const.  
mounted on epoxy-glass hard  
tissue  
RthJA  
RthJA  
RthJA  
150  
K/W  
mounted on epoxy-glass hard  
tissue, 50 mm2 35 µm Cu  
mounted on Al-oxid-ceramic  
(Al2O3), 50 mm2 35 µm Cu  
125  
K/W  
100  
K/W  
Electrical Characteristics  
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified  
Parameter  
Test condition  
Part  
Symbol  
VF  
Min  
Typ.  
Max  
1
Unit  
V
Forward voltage  
IF = 1 A  
IF = 2 A  
VF  
IR  
IR  
trr  
1.1  
1
V
Reverse current  
V
V
R = VRRM  
R = VRRM, Tj =100 °C  
µA  
µA  
ns  
10  
25  
Reverse recovery time  
IF = 0.5 A, IR = 1 A, iR = 0.25 A  
Typical Characteristics (Tamb = 25 °C unless otherwise specified)  
10.000  
1.000  
0.100  
0.010  
0.001  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0.0  
V =V  
half sinewave  
R
RRM  
T =150°C  
j
R
=25K/W  
thJA  
T =25°C  
j
R
R
+125K/W  
+150K/W  
thJA  
thJA  
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8  
– Forward Voltage ( V )  
0
20 40 60 80 100 120 140 160  
– Ambient Temperature ( °C )  
16448  
V
F
16449  
T
amb  
Figure 1. Forward Current vs. Forward Voltage  
Figure 2. Max. Average Forward Current vs. Ambient Temperature  
www.vishay.com  
2
Document Number 86011  
Rev. 1.5, 09-Oct-00  
BYG22  
Vishay Semiconductors  
VISHAY  
140  
120  
100  
80  
T
amb  
=125°C  
100  
V
R
= V  
RRM  
100°C  
75°C  
50°C  
10  
60  
40  
25°C  
20  
0
I =0.5A, i =0.125A  
R
R
1
1.0  
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
25  
50  
75  
100  
125  
150  
I
F
– Forward Current ( A )  
16450  
T – Junction Temperature ( °C )  
j
94 9353  
Figure 3. Reverse Current vs. Junction Temperature  
Figure 6. Max. Reverse Recovery Time vs. Forward Current  
60  
50  
T
=125°C  
amb  
V
= V  
RRM  
R
50  
40  
30  
20  
100°C  
40  
30  
20  
10  
0
75°C  
50°C  
P –Limit  
R
@100%V  
R
25°C  
P –Limit  
R
@80%V  
R
10  
0
I =0.5A, i =0.125A  
R
R
1.0  
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
25  
50  
75  
100  
125  
150  
I
F
– Forward Current ( A )  
16451  
T – Junction Temperature ( °C )  
j
94 9354  
Figure 4. Max. Reverse Power Dissipation vs. Junction  
Temperature  
Figure 7. Max. Reverse Recovery Charge vs. Forward Current  
70  
f=1MHz  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
0.1  
1.0  
V – Reverse Voltage ( V )  
R
10.0  
100.0  
16452  
Figure 5. Diode Capacitance vs. Reverse Voltage  
Document Number 86011  
Rev. 1.5, 09-Oct-00  
www.vishay.com  
3
BYG22  
Vishay Semiconductors  
VISHAY  
1000  
125K/W DC  
100  
t /T=0.5  
p
t /T=0.2  
p
t /T=0.1  
p
10  
1
t /T=0.05  
p
t /T=0.02  
p
Single Pulse  
t /T=0.01  
p
–5  
–4  
–3  
–2  
–1  
0
1
2
10  
10  
10  
10  
10  
– Pulse Length ( s )  
10  
10  
10  
t
p
94 9339  
Figure 8. Thermal Response  
Package Dimensions in mm (Inches)  
5.3 +0.2 / -0.4  
4.4 +0.1 / -0.2  
ISO Method E  
technical drawings  
according to DIN  
specifications  
0.2  
0.1 0.07  
3 +0.3 / -0.5  
Plastic case JEDEC DO 214  
similar to SMA  
Cathode indicated by a band  
14275-1  
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4
Document Number 86011  
Rev. 1.5, 09-Oct-00  
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Vishay  
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Document Number: 91000  
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