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北京元坤伟业科技有限公司
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深圳市中利达电子科技有限公司
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柒号芯城电子商务（深圳）有限公司
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深圳市芯福林电子有限公司
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首天国际（深圳）科技有限公司
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北京首天国际有限公司
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数量4207
厂家VISHAY
封装原厂原包装
批号2024+
百分百原装正品，现货库存
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深圳市芯脉实业有限公司
BYS1045E3TR

数量26980
厂家VISHAY
封装原厂原封
批号全新环保批次
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深圳市一线半导体有限公司
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数量22000
厂家原厂品牌
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BYS10-25 - BYS10-45

SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODES

VOLTAGE RANGE: 25 - 45V

CURRENT: 1.5 A

Features

High efficiency

Low power losses

Very low switching losses

Low reverse current

High surge capability

SMA(DO-214AC)

Dim

MinMax

Mechanical Data

2.29

4.00

1.27

0.15

4.80

0.10

0.76

2.01

2.92

4.60

1.63

0.31

5.59

0.20

1.52

2.62

Case: SMA/DO-214AC, Molded Plastic

Terminals: Solder Plated, Solderable

per MIL-STD-750, Method 2026

Polarity: Cathode Band or Cathode Notch

Marking: Type Number

Weight: 0.064 grams (approx.)

All Dimensions in mm

@ T_A= 25°C unless otherwise specified

Maximum Ratings

Parameter

Reverse voltage

=Repetitive peak reverse voltage

Test Conditions

Type

Symbol

V_R

=V_RRM

Value

Unit

BYS10–25

BYS10–35

BYS10–45

Peak forward surge current

Average forward current

t_p=10ms, half sinewave

I_FSM

I_FAV

1.5

Junction and storage

temperature range

T_j=T_stg–55...+150

Maximum Thermal Resistance ^{@ T}_A^{= 25°C unless otherwise specified}

Parameter

Junction lead

Junction ambient mounted on epoxy–glass hard tissue

Test Conditions

Symbol Value

Unit

K/W

T_L=constant

R_thJL

R_thJA

150

125

100

mounted on epoxy–glass hard tissue, 50mm²35 m Cu

mounted on Al–oxid–ceramic (Al₂O₃), 50mm²35 m Cu

@ T_A= 25°C unless otherwise specified

Electrical Characteristics

Parameter

Forward voltage

Reverse current

Test Conditions

Type

Symbol Min

Typ Max Unit

I_F=1A

V_F

I_R

500

V_R=V_RRM

V_R=V_RRM, T_j=100 C

1 of 2

www.sunmate.tw

BYS10-45

2.0

1.6

1.2

0.8

0.4

V =0V, Half Sinewave

thJA

=25K/W

BYS10-35

BYS10-25

100K/W

thJA

=25K/W

125K/W

150K/W

=100K/W

thJA

200

120

160

120

160

95 9710

T – Junction Temperature ( °C )

95 9713

amb

– Ambient Temperature ( °C )

Figure 4. Max. Average Forward Current vs.

Ambient Temperature

Figure 1. Max. Reverse Power Dissipation vs.

Junction Temperature

100

1000

100

T =150°C

T =25°C

V =V

R RM

0.1

0.01

0.1

2.0

200

0.4

0.8

1.2

1.6

120

160

95 9714

V – Forward Voltage ( V )

95 9711

T – Junction Temperature ( °C )

Figure 5. Max. Forward Current vs. Forward Voltage

Figure 2. Max. Reverse Current vs.

Junction Temperature

2.0

1.6

1.2

0.8

0.4

V =V

, Half Sinewave, R

=25K/W

R RM

thJA

BYS10-25

BYS10-35

BYS10-45

200

120

160

95 9712

amb

– Ambient Temperature ( °C )

Figure 3. Max. Average Forward Current vs.

Ambient Temperature

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BYS11-100产品参数

型号:	BYS11-100
是否无铅：	含铅
是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active
零件包装代码：	DO-214AC
包装说明：	R-PDSO-C2
针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.83
其他特性：	LOW POWER LOSS
应用：	EFFICIENCY
配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-214AC
JESD-30 代码：	R-PDSO-C2
JESD-609代码：	e0
最大非重复峰值正向电流：	40 A
元件数量：	1
相数：	1
端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	1.5 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	100 V
表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY
端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

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