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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 现代芯城(深圳)科技有限公司

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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 厂家ON/安森美 
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  • 优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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  • 集好芯城

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  • 厂家ON/安森美 
  • 封装SOT-23 
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  • 原装原厂 现货现卖
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  • 深圳市勤思达科技有限公司

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  • 厂家ON/安森美 
  • 封装SOT-23 
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  • 全新现货可以开税票
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  • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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  • 厂家ON/安森美 
  • 封装SMD 
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  • 羿芯诚只做原装,原厂渠道,价格优势可谈!
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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 数量16924 
  • 厂家ON 
  • 封装SOT23 
  • 批号2023+ 
  • 绝对原装正品全新深圳进口现货,优质渠道供应商!
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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 数量5000 
  • 厂家Fairchild Semiconductor 
  • 封装贴/插片 
  • 批号2024+ 
  • 百分百原装正品,现货库存
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  • 深圳市正信鑫科技有限公司

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  • 数量42000 
  • 厂家ON 
  • 封装原厂封装 
  • 批号22+ 
  • 原装正品★真实库存★价格优势★欢迎来电洽谈
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 数量36218 
  • 厂家ON-安森美 
  • 封装SOT-23-3 
  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥1.5元一有问必回一有长期订货一备货HK仓库
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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 数量98500 
  • 厂家ONSEMICONDUCTOR 
  • 封装原厂封装 
  • 批号23+ 
  • 真实库存全新原装正品!代理此型号
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  • 0755-88917743 QQ:2881495751
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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 数量5000 
  • 厂家ON 
  • 封装SOT-23 
  • 批号16+ 
  • 百分百原装正品,现货库存
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  • 深圳市芯鹏泰科技有限公司

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  • 数量7536 
  • 厂家onsemi 
  • 封装SOT-23-3(TO-236) 
  • 批号23+ 
  • 二极管齐纳单原装现货
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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 数量13500 
  • 厂家ON 
  • 封装 
  • 批号2023+ 
  • 绝对原装正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
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  • 深圳市英德州科技有限公司

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  • 数量40000 
  • 厂家ON(安森美) 
  • 封装SOT-23(SOT-23-3) 
  • 批号2年内 
  • 全新原装 货源稳定 长期供应 提供配单
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  • 深圳市创芯联科技有限公司

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  • 数量13000 
  • 厂家ON 
  • 封装SOT-23 
  • 批号2234+ 
  • 原厂货源/正品保证,诚信经营,欢迎询价
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  • 0755-23606513 QQ:1219895042QQ:3061298850
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  • 宇芯通实业(深圳)有限公司

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  • 数量60000 
  • 厂家ON安森美 
  • 封装225mW18V±2%齐纳稳压二极管 
  • 批号20+ 
  • 只做品牌原装假一赔十
  • QQ:2903107741QQ:2903107741 复制
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  • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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  • 数量8500 
  • 厂家原厂品牌 
  • 封装原厂封装 
  • 批号新年份 
  • 羿芯诚只做原装长期供,支持实单
  • QQ:2880123150QQ:2880123150 复制
  • 0755-82570600 QQ:2880123150
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  • 深圳市和谐世家电子有限公司

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  • 数量39000 
  • 厂家ON Semiconductor 
  • 封装SOT-23-3(TO-236) 
  • 批号最新批号 
  • 进口原装
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  • 深圳市华来深电子有限公司

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  • 数量8560 
  • 厂家ON 
  • 封装SOT-23 
  • 批号17+ 
  • 受权代理!全新原装现货特价热卖!
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  • 深圳市捷立辉科技有限公司

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  • 数量29686 
  • 厂家ON/安森美 
  • 封装SOT-23-3 
  • 批号21+ 
  • 进口原装现货,公司真实库存ON代理渠道
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  • 深圳市鹏睿康科技有限公司

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  • 数量1200 
  • 厂家ON 
  • 封装只做原装 
  • 批号23+ 
  • 原装现货假一赔万,原包原标,支持实单
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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 数量6500000 
  • 厂家ON Semiconductor 
  • 封装原厂原装 
  • 批号22+ 
  • 万三科技 秉承原装 实单可议
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  • 0755-21008751 QQ:3008961396
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  • 深圳市凯睿晟科技有限公司

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  • 数量30000 
  • 厂家ON/安森美 
  • 封装SMD 
  • 批号24+ 
  • 百域芯优势 实单必成 可开13点增值税
  • QQ:2885648621QQ:2885648621 复制
  • 0755-23616725 QQ:2885648621
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  • 深圳市惠诺德电子有限公司

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  • 数量29500 
  • 厂家onsemi 
  • 封装DIODE ZENER 18V 225MW SOT23-3 
  • 批号21+ 
  • 只做原装现货代理
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    QQ:1034782288QQ:1034782288 复制
  • 159-7688-9073 QQ:1211267741QQ:1034782288
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  • 深圳市正纳电子有限公司

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  • 数量14993 
  • 厂家ON(安森美) 
  • 封装N/A 
  • 批号22+ 
  • 只做原装 实单来谈★★☆
  • QQ:2881664480QQ:2881664480 复制
  • 0755-82524192 QQ:2881664480
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  • 深圳市宇川湘科技有限公司

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  • 数量23728 
  • 厂家ON 
  • 封装SOT-23-3(TO-236) 
  • 批号23+ 
  • 原装正品现货,郑重承诺只做原装!
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  • 0755-84534256 QQ:2885348305QQ:2885348305
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  • 深圳市隆鑫创展电子有限公司

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  • 数量30000 
  • 厂家ADI 
  • 封装LFCSP 
  • 批号2022+ 
  • 电子元器件一站式配套服务QQ:122350038
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  • 0755-82812278 QQ:2355878626QQ:2850299242
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  • 深圳市炎凯科技有限公司

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  • 数量21000 
  • 厂家ON 
  • 封装SOT-23 
  • 批号24+ 
  • 原装现货
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  • 0755-89587732 QQ:354696650QQ:2850471056
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  • 深圳市瑞天芯科技有限公司

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  • 数量20000 
  • 厂家ON 
  • 封装SOT-23 
  • 批号22+ 
  • 深圳现货库存,保证原装正品
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  • 15973558688 QQ:1940213521
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  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • 数量9800 
  • 厂家ONS 
  • 封装原厂原封装 
  • 批号24+ 
  • 原厂渠道,全新原装现货,欢迎查询!
  • QQ:97877807QQ:97877807 复制
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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 数量15000 
  • 厂家ON 
  • 封装SOT-23 
  • 批号 
  • 全新原装部分现货其他订货
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  • 深圳市创思克科技有限公司

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  • 数量8580 
  • 厂家ON/安森美 
  • 封装NA 
  • 批号2021+ 
  • 全新原装挺实单欢迎来撩/可开票
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  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • BZX84B18LT1G
  • 数量16750 
  • 厂家ON 
  • 封装SOT-23-3 
  • 批号24+ 
  • ★体验愉快问购元件!!就找我吧!单价:2元BZX84-B20
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产品型号BZX84B18LT1G的概述

芯片BZX84B18LT1G的概述 BZX84B18LT1G是一款常用的齐纳二极管,属于BZX84系列。该系列齐纳二极管主要用于电压参考和过压保护,在电路设计中发挥着至关重要的作用。BZX84系列二极管的主要特点是能够在较宽的电压范围内提供稳定的反向击穿电压,和较低的漏电流,从而使其能够适应各种应用需求。具体来说,BZX84B18LT1G设计用于18V的稳定电压输出,适合应用于多个电子电路中。 芯片BZX84B18LT1G的详细参数 BZX84B18LT1G具有多项重要参数,这些参数对其在实际应用中的性能至关重要。 1. 电气特性: - 反向击穿电压(Vz):18V ±5%(在指定的反向电流条件下测量)。 - 反向电流(Iz):通常在5mA至50mA之间,不同工作条件下,反向电流会有所变化。 - 总阻抗(Zz):在Iz=5mA时小于30Ω,能保证在负载变化时,输出电压...

产品型号BZX84B18LT1G的Datasheet PDF文件预览

BZX84B4V7LT1,  
BZX84C2V4LT1 Series  
Zener Voltage Regulators  
225 mW SOT−23 Surface Mount  
This series of Zener diodes is offered in the convenient, surface  
mount plastic SOT−23 package. These devices are designed to provide  
voltage regulation with minimum space requirement. They are well  
suited for applications such as cellular phones, hand held portables,  
and high density PC boards.  
http://onsemi.com  
3
1
Cathode  
Anode  
Features  
225 mW Rating on FR−4 or FR−5 Board  
Zener Breakdown Voltage Range − 2.4 V to 75 V  
Package Designed for Optimal Automated Board Assembly  
Small Package Size for High Density Applications  
ESD Rating of Class 3 (>16 KV) per Human Body Model  
Tight Tolerance Series Available (See Page 4)  
Pb−Free Packages are Available  
MARKING  
DIAGRAM  
3
SOT−23  
CASE 318  
STYLE 8  
xxx M G  
G
1
2
1
Mechanical Characteristics  
CASE: Void-free, transfer-molded, thermosetting plastic case  
FINISH: Corrosion resistant finish, easily Solderable  
MAXIMUM CASE TEMPERATURE FOR SOLDERING PURPOSES:  
260°C for 10 Seconds  
POLARITY: Cathode indicated by polarity band  
FLAMMABILITY RATING: UL 94 V−0  
xxx  
M
= Device Code  
= Date Code*  
= Pb−Free Package  
G
(Note: Microdot may be in either location)  
*Date Code orientation may vary depending  
upon manufacturing location.  
ORDERING INFORMATION  
MAXIMUM RATINGS  
Device  
BZX84CxxxLT1  
Package  
Shipping  
Rating  
Symbol  
Max  
Unit  
SOT−23  
3000/Tape & Reel  
3000/Tape & Reel  
Total Power Dissipation on FR−5 Board,  
(Note 1) @ T = 25°C  
Derated above 25°C  
P
D
225  
1.8  
556  
mW  
mW/°C  
°C/W  
A
BZX84CxxxLT1G SOT−23  
(Pb−Free)  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
R
q
JA  
BZX84CxxxLT3  
SOT−23 10,000/Tape & Reel  
Total Power Dissipation on Alumina  
P
D
BZX84CxxxLT3G SOT−23 10,000/Tape & Reel  
(Pb−Free)  
Substrate, (Note 2) @ T = 25°C  
300  
2.4  
417  
mW  
mW/°C  
°C/W  
A
Derated above 25°C  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
R
q
JA  
BZX84BxxxLT1  
SOT−23  
3000/Tape & Reel  
3000/Tape & Reel  
Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
J
−65 to  
+150  
°C  
stg  
BZX84BxxxLT1G SOT−23  
(Pb−Free)  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
BZX84BxxxLT3  
SOT−23 10,000/Tape & Reel  
BZX84BxxxLT3G  
SOT−23 10,000/Tape & Reel  
(Pb−Free)  
1. FR−5 = 1.0 X 0.75 X 0.62 in.  
2. Alumina = 0.4 X 0.3 X 0.024 in., 99.5% alumina.  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
DEVICE MARKING INFORMATION  
See specific marking information in the device marking  
column of the Electrical Characteristics table on page 3 of  
this data sheet.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2005  
1
Publication Order Number:  
October, 2005 − Rev. 11  
BZX84C2V4LT1/D  
 
BZX84B4V7LT1, BZX84C2V4LT1 Series  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
I
(Pinout: 1-Anode, 2-No Connection, 3-Cathode) (T = 25°C  
A
I
unless otherwise noted, V = 0.95 V Max. @ I = 10 mA)  
F
F
F
Symbol  
Parameter  
V
Reverse Zener Voltage @ I  
Reverse Current  
Z
ZT  
I
ZT  
V
V
R
Z
V
I
Z
I
Maximum Zener Impedance @ I  
ZT  
V
R
ZT  
ZT  
F
I
Reverse Leakage Current @ V  
Reverse Voltage  
R
R
V
R
I
Forward Current  
F
V
Forward Voltage @ I  
F
F
QV  
Maximum Temperature Coefficient of V  
Z
Z
Zener Voltage Regulator  
C
Max. Capacitance @ V = 0 and f = 1 MHz  
R
http://onsemi.com  
2
BZX84B4V7LT1, BZX84C2V4LT1 Series  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS − BZX84CxxxLT1 SERIES (STANDARD TOLERANCE)  
(Pinout: 1-Anode, 2-No Connection, 3-Cathode) (T = 25°C unless otherwise noted, V = 0.90 V Max. @ I = 10 mA)  
A
F
F
(Devices listed in bold, italic are ON Semiconductor Preferred devices.)  
V
@ I  
(Note 3)  
(Volts)  
V
(V)  
= 1 mA  
V
(V)  
= 20 mA  
Max Reverse  
Leakage  
Current  
q
VZ  
Z1  
Z2  
Z3  
= 5 mA  
@ I  
@ I  
(mV/k)  
@ I = 5 mA  
ZT1  
ZT1  
ZT2  
(Note 3)  
ZT3  
(Note 3)  
Z
Z
Z
ZT3  
ZT1  
ZT2  
(W)  
(W)  
(W)  
@ I =  
ZT3  
20 mA  
C (pF)  
@ V = 0  
R
f = 1 MHz  
I
V
R
Volts  
Device  
@ I  
=
@ I  
=
R
ZT1  
ZT2  
@
Min  
Nom  
2.4  
2.7  
3
Max  
2.6  
Min  
1.7  
Max  
2.1  
2.4  
2.7  
2.9  
3.3  
3.5  
4
Min  
Max  
3.2  
mA  
Min  
Max  
0
Device*  
Marking  
5 mA  
1 mA  
BZX84C2V4LT1, G  
BZX84C2V7LT1, G  
BZX84C3V0LT1, G  
BZX84C3V3LT1, G  
BZX84C3V6LT1, G  
BZX84C3V9LT1, G  
BZX84C4V3LT1, G  
BZX84C4V7LT1, G  
BZX84C5V1LT1, G  
BZX84C5V6LT1, G  
BZX84C6V2LT1, G  
BZX84C6V8LT1, G  
BZX84C7V5LT1, G  
BZX84C8V2LT1, G  
BZX84C9V1LT1, G  
BZX84C10LT1, G  
BZX84C11LT1, G  
BZX84C12LT1, G  
BZX84C13LT1, G  
BZX84C15LT1, G  
BZX84C16LT1, G  
BZX84C18LT1, G  
BZX84C20LT1, G  
BZX84C22LT1, G  
BZX84C24LT1, G  
Z11  
Z12  
Z13  
Z14  
Z15  
Z16  
W9  
Z1  
2.2  
2.5  
100  
100  
95  
95  
90  
90  
90  
80  
60  
40  
10  
15  
15  
15  
15  
20  
20  
25  
30  
30  
40  
45  
55  
55  
70  
600  
600  
600  
600  
600  
600  
600  
500  
480  
400  
150  
80  
2.6  
3
50  
50  
1
1
−3.5  
−3.5  
−3.5  
−3.5  
−3.5  
−3.5  
−3.5  
−3.5  
−2.7  
−2.0  
0.4  
450  
2.9  
1.9  
3.6  
50  
50  
40  
40  
30  
30  
15  
15  
10  
6
20  
10  
5
0
450  
450  
450  
450  
450  
450  
260  
225  
200  
185  
155  
140  
135  
130  
130  
130  
130  
120  
110  
105  
100  
85  
2.8  
3.2  
2.1  
3.3  
3.6  
3.9  
4.1  
4.4  
4.5  
5
3.9  
1
0
3.1  
3.3  
3.6  
3.9  
4.3  
4.7  
5.1  
5.6  
6.2  
6.8  
7.5  
8.2  
9.1  
10  
3.5  
2.3  
4.2  
1
0
3.4  
3.8  
2.7  
4.5  
5
1
0
3.7  
4.1  
2.9  
4.7  
3
1
−2.5  
0
4
4.6  
3.3  
5.1  
3
1
4.4  
5
3.7  
4.7  
5.3  
6
5.4  
3
2
0.2  
1.2  
2.5  
3.7  
4.5  
5.3  
6.2  
7.0  
8.0  
9.0  
10.0  
11.0  
13.0  
14.0  
16.0  
18.0  
20.0  
22.0  
Z2  
4.8  
5.4  
4.2  
5.9  
2
2
Z3  
5.2  
6
4.8  
5.2  
5.8  
6.4  
7
6.3  
1
2
Z4  
5.8  
6.6  
5.6  
6.6  
7.2  
7.9  
8.7  
9.6  
10.6  
11.6  
12.7  
14  
6.8  
3
4
Z5  
6.4  
7.2  
6.3  
7.4  
6
2
4
1.2  
Z6  
7
7.9  
6.9  
80  
8
6
1
5
2.5  
Z7  
7.7  
8.7  
7.6  
80  
7.7  
8.5  
9.4  
10.4  
11.4  
12.5  
13.9  
15.4  
16.9  
18.9  
20.9  
22.9  
8.8  
6
0.7  
0.5  
0.2  
0.1  
0.1  
0.1  
0.05  
0.05  
0.05  
0.05  
0.05  
0.05  
5
3.2  
Z8  
8.5  
9.6  
8.4  
100  
150  
150  
150  
170  
200  
200  
225  
225  
250  
250  
9.7  
8
6
3.8  
Z9  
9.4  
10.6  
11.6  
12.7  
14.1  
15.6  
17.1  
19.1  
21.2  
23.3  
25.6  
9.3  
10.7  
11.8  
12.9  
14.2  
15.7  
17.2  
19.2  
21.4  
23.4  
25.7  
10  
10  
10  
15  
20  
20  
20  
20  
25  
25  
7
4.5  
Y1  
Y2  
Y3  
Y4  
Y5  
Y6  
Y7  
Y8  
Y9  
10.4  
11.4  
12.4  
13.8  
15.3  
16.8  
18.8  
20.8  
22.8  
11  
10.2  
11.2  
12.3  
13.7  
15.2  
16.7  
18.7  
20.7  
22.7  
8
5.4  
12  
8
6.0  
13  
8
7.0  
15  
15.5  
17  
10.5  
11.2  
12.6  
14  
15.4  
16.8  
9.2  
16  
10.4  
12.4  
14.4  
16.4  
18.4  
18  
19  
20  
21.1  
23.2  
25.5  
22  
85  
24  
80  
V
Below  
= 0.1 m-  
A
Max Reverse  
Leakage  
Current  
q
VZ  
(mV/k) Below  
@ I = 2 mA  
ZT1  
Z2  
V
@ I  
Below  
@ I  
V Below  
Z3  
Z1  
ZT2  
Z
Z
Z
= 2 mA  
@ I  
= 10 mA  
ZT1  
ZT2  
ZT3  
ZT1  
ZT3  
Below  
Below  
Below  
C (pF)  
I
V
R
Device  
Marking  
@ I  
2 mA  
=
@ I  
0.5 mA  
=
@ I  
10 mA  
=
@ V = 0  
R
f = 1 MHz  
R
ZT1  
ZT4  
ZT3  
@
Min  
Nom  
Max  
28.9  
32  
Min  
Max  
28.9  
32  
Min  
Max  
29.3  
32.4  
35.4  
38.4  
41.5  
46.5  
50.5  
54.6  
60.8  
67  
mA  
(V)  
18.9  
21  
Min  
Max  
25.3  
29.4  
33.4  
37.4  
41.2  
46.6  
51.8  
57.2  
63.8  
71.6  
79.8  
88.6  
Device  
BZX84C27LT1, G  
BZX84C30LT1, G  
BZX84C33LT1, G  
BZX84C36LT1, G  
BZX84C39LT1, G  
BZX84C43LT1, G  
BZX84C47LT1, G  
BZX84C51LT1, G  
BZX84C56LT1, G  
BZX84C62LT1, G  
BZX84C68LT1, G  
BZX84C75LT1, G  
Y10  
Y11  
Y12  
Y13  
Y14  
Y15  
Y16  
Y17  
Y18  
Y19  
Y20  
Y21  
25.1  
28  
31  
34  
37  
40  
44  
48  
52  
58  
64  
70  
27  
30  
33  
36  
39  
43  
47  
51  
56  
62  
68  
75  
80  
80  
25  
300  
300  
325  
350  
350  
375  
375  
400  
425  
450  
475  
500  
25.2  
28.1  
31.1  
34.1  
37.1  
40.1  
44.1  
48.1  
52.1  
58.2  
64.2  
70.3  
45  
50  
0.05  
0.05  
0.05  
0.05  
0.05  
0.05  
0.05  
0.05  
0.05  
0.05  
0.05  
0.05  
21.4  
24.4  
27.4  
30.4  
33.4  
37.6  
42.0  
46.6  
52.2  
58.8  
65.6  
73.4  
70  
27.8  
30.8  
33.8  
36.7  
39.7  
43.7  
47.6  
51.5  
57.4  
63.4  
69.4  
70  
70  
70  
45  
40  
40  
40  
40  
35  
35  
35  
35  
80  
35  
55  
23.1  
25.2  
27.3  
30.1  
32.9  
35.7  
39.2  
43.4  
47.6  
52.5  
38  
90  
38  
60  
41  
130  
150  
170  
180  
200  
215  
240  
255  
41  
70  
46  
46  
80  
50  
50  
90  
54  
54  
100  
110  
120  
130  
140  
60  
60  
66  
66  
72  
72  
73.2  
80.2  
79  
79  
3. Zener voltage is measured with a pulse test current I at an ambient temperature of 25°C.  
Z
* The “G” suffix indicates Pb−Free package available.  
http://onsemi.com  
3
 
BZX84B4V7LT1, BZX84C2V4LT1 Series  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS − BZX84BxxxL (Tight Tolerance Series)  
(Pinout: 1-Anode, 2-No Connection, 3-Cathode) (T = 25°C unless otherwise noted, V = 0.90 V Max. @ I = 10 mA)  
A
F
F
Max Reverse  
Leakage  
Z
(W) @  
q
VZ  
Current  
ZT  
I
= 5 mA  
V
(Volts) @ I  
= 5 mA  
(mV/k)  
@ I = 5 mA  
ZT  
Z
ZT  
C (pF)  
I
V
R
(Note 4)  
Nom  
4.7  
(Note 4)  
Max  
80  
R
ZT  
@ V =0,  
Device  
@
R
Min  
4.61  
5.00  
5.49  
6.08  
6.66  
7.35  
8.04  
8.92  
15.7  
17.6  
Max  
4.79  
5.20  
5.71  
6.32  
6.94  
7.65  
8.36  
9.28  
16.3  
18.4  
mA  
Volts  
Min  
Max  
0.2  
1.2  
2.5  
3.7  
4.5  
5.3  
6.2  
7
f = 1 MHz  
260  
Marking  
Device  
BZX84B4V7LT1, G  
BZX84B5V1LT1, G  
BZX84B5V6LT1, G  
BZX84B6V2LT1, G  
BZX84B6V8LT1, G  
BZX84B7V5LT1, G  
BZX84B8V2LT1, G  
BZX84B9V1LT1, G  
BZX84B16LT1, G  
BZX84B18LT1, G  
T10  
T11  
T12  
T13  
T14  
T15  
T16  
T17  
T19  
T20  
3
2
1
3
2
1
2
2
−3.5  
−2.7  
−2  
5.1  
60  
225  
5.6  
40  
2
200  
6.2  
10  
4
0.4  
185  
6.8  
15  
4
1.2  
155  
7.5  
15  
5
2.5  
140  
8.2  
15  
0.7  
0.5  
5
3.2  
135  
9.1  
15  
6
3.8  
130  
16  
40  
0.05  
0.05  
11.2  
12.6  
10.4  
12.4  
14  
105  
18  
45  
16  
100  
4. Zener voltage is measured with a pulse test current I at an ambient temperature of 25°C.  
Z
* The “G” suffix indicates Pb−Free package available.  
http://onsemi.com  
4
 
                                          
1
                                          
2
3
BZX84B4V7LT1, BZX84C2V4LT1 Series  
TYPICAL CHARACTERISTICS  
8
7
6
5
4
3
100  
TYPICAL T VALUES  
C
TYPICAL T VALUES  
C
V @ I  
Z
ZT  
V @ I  
Z
ZT  
10  
2
1
0
−1  
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
11  
12  
10  
100  
V , NOMINAL ZENER VOLTAGE (V)  
Z
V , NOMINAL ZENER VOLTAGE (V)  
Z
Figure 1. Temperature Coefficients  
Figure 2. Temperature Coefficients  
(Temperature Range 55°C to +150°C)  
(Temperature Range 55°C to +150°C)  
1000  
100  
10  
1
1000  
100  
10  
T = 25°C  
75 V (MMBZ5267BLT1)  
91 V (MMBZ5270BLT1)  
J
I
Z(AC)  
f = 1 kHz  
= 0.1 I  
Z(DC)  
I = 1 mA  
Z
5 mA  
20 mA  
75°C 25°C  
0.6 0.7  
0°C  
150°C  
0.5  
1
0.4  
1
10  
V , NOMINAL ZENER VOLTAGE  
100  
0.8  
0.9  
1.0  
1.1  
1.2  
V , FORWARD VOLTAGE (V)  
F
Z
Figure 3. Effect of Zener Voltage on  
Zener Impedance  
Figure 4. Typical Forward Voltage  
http://onsemi.com  
5
BZX84B4V7LT1, BZX84C2V4LT1 Series  
TYPICAL CHARACTERISTICS  
1000  
100  
1000  
T = 25°C  
A
100  
10  
0 V BIAS  
1 V BIAS  
1
+150°C  
BIAS AT  
50% OF V NOM  
0.1  
0.01  
Z
10  
1
+ꢀ25 °C  
−ꢀ55°C  
0.001  
0.0001  
0.00001  
1
10  
100  
0
10  
20  
30  
40  
50  
60  
70  
80  
90  
V , NOMINAL ZENER VOLTAGE (V)  
Z
V , NOMINAL ZENER VOLTAGE (V)  
Z
Figure 5. Typical Capacitance  
Figure 6. Typical Leakage Current  
100  
10  
100  
10  
T = 25°C  
A
T = 25°C  
A
1
1
0.1  
0.01  
0.1  
0.01  
10  
30  
50  
70  
90  
0
2
4
6
8
10  
12  
V , ZENER VOLTAGE (V)  
Z
V , ZENER VOLTAGE (V)  
Z
Figure 8. Zener Voltage versus Zener Current  
(12 V to 91 V)  
Figure 7. Zener Voltage versus Zener Current  
(VZ Up to 12 V)  
http://onsemi.com  
6
BZX84B4V7LT1, BZX84C2V4LT1 Series  
PACKAGE DIMENSIONS  
SOT−23 (TO−236)  
CASE 318−08  
ISSUE AN  
NOTES:  
D
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI  
Y14.5M, 1982.  
SEE VIEW C  
3
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.  
3. MAXIMUM LEAD THICKNESS INCLUDES LEAD  
FINISH THICKNESS. MINIMUM LEAD  
THICKNESS IS THE MINIMUM THICKNESS OF  
BASE MATERIAL.  
4. 318−01 THRU −07 AND −09 OBSOLETE, NEW  
STANDARD 318−08.  
H
E
E
c
1
2
MILLIMETERS  
INCHES  
b
DIM  
A
A1  
b
c
D
E
e
L
L1  
MIN  
0.89  
0.01  
0.37  
0.09  
2.80  
1.20  
1.78  
0.10  
0.35  
NOM  
1.00  
0.06  
0.44  
0.13  
2.90  
1.30  
1.90  
0.20  
0.54  
MAX  
MIN  
NOM  
0.040  
0.002  
0.018  
0.005  
0.114  
0.051  
0.075  
0.008  
0.021  
MAX  
0.044  
0.004  
0.020  
0.007  
0.120  
0.055  
0.081  
0.012  
0.029  
0.25  
e
1.11  
0.10  
0.50  
0.18  
3.04  
1.40  
2.04  
0.30  
0.69  
0.035  
0.001  
0.015  
0.003  
0.110  
0.047  
0.070  
0.004  
0.014  
q
A
L
A1  
L1  
VIEW C  
H
E
2.10  
2.40  
2.64  
0.083  
0.094  
0.104  
STYLE 8:  
PIN 1. ANODE  
2. NO CONNECTION  
3. CATHODE  
SOLDERING FOOTPRINT*  
0.95  
0.037  
0.95  
0.037  
2.0  
0.079  
0.9  
0.035  
0.8  
0.031  
mm  
inches  
ǒ
Ǔ
SCALE 10:1  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering  
details, please download the ON Semiconductor Soldering and  
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.  
ON Semiconductor and  
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