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    • 北京元坤伟业科技有限公司

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    • ZVN4306GVTC
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    • ZVN4306GVTC图

    • 深圳市晶美隆科技有限公司

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    • ZVN4306GVTC
    • 数量18530 
    • 厂家Z 
    • 封装SOT223.. 
    • 批号23+ 
    • 全新原装正品现货热卖
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      QQ:2885348317QQ：2885348317 复制
    • 0755-82519391 QQ:2885348339QQ:2885348317
    • ZVN4306GVTC图

    • 北京首天国际有限公司

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    • ZVN4306GVTC
    • 数量11680 
    • 厂家ZETEX/DIODES 
    • 封装SOT223-3 
    • 批号2024+ 
    • 百分百原装正品，现货库存
    • QQ:528164397QQ：528164397 复制
      QQ:1318502189QQ：1318502189 复制
    • 010-62565447 QQ:528164397QQ:1318502189
    • ZVN4306GVTC图

    • 深圳市惊羽科技有限公司

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    • ZVN4306GVTC
    • 数量78800 
    • 厂家DIODES-美台 
    • 封装SOT-223 
    • 批号▉▉：2年内 
    • ▉▉￥10一一有问必回一一有长期订货一备货HK仓库
    • QQ:43871025QQ：43871025 复制
    • 131-4700-5145---Q-微-恭-候---有-问-秒-回 QQ:43871025
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    • 深圳市和谐世家电子有限公司

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    • ZVN4306GVTC
    • 数量1580 
    • 厂家Diodes Incorporated 
    • 封装SOT-223 
    • 批号最新批号 
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    • 深圳市卓越微芯电子有限公司

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    • 厂家Z 
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    • 百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可开13%增值税发票，支持样品，欢迎来电咨询！
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    • 深圳市创思克科技有限公司

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    • 数量6680 
    • 厂家VBSEMI/台湾微碧 
    • 封装SOT223-3 
    • 批号20+ 
    • 全新原装挺实单欢迎来撩/可开票
    • QQ:1092793871QQ：1092793871 复制
    • -0755-88910020 QQ:1092793871
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    • 深圳市澳亿芯电子

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    • ZVN4306GVTC
    • 数量0 
    • 厂家Z 
    • 封装SOT223-3 
    • 批号 
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    • 深圳市科雨电子有限公司

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    • 批号24+ 
    • 原厂渠道，全新原装现货，欢迎查询！
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    产品型号ZVN4306GVTC的Datasheet PDF文件预览

    SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT  
    MODE VERTICAL DMOS FET  
    ZVN4306GV  
    ISSUE 1 - APRIL 1998  
    FEATURES  
    *
    *
    *
    BVDSS=60V  
    DS(ON) = 0.33Ω  
    Repetitive Avalanche Rating  
    D
    R
    APPLICATIONS  
    S
    *
    *
    *
    DC - DC Converters  
    Solenoids/Relay Drivers for Automotive  
    Stepper Motor Drivers  
    D
    G
    PARTMARKING DETAIL -  
    ZVN4306V  
    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
    PARAMETER  
    SYMBOL  
    VDS  
    VALUE  
    UNIT  
    V
    Drain-Source Voltage  
    60  
    Continuous Drain Current at Tamb=25°C  
    Pulsed Drain Current  
    ID  
    2.1  
    A
    IDM  
    15  
    A
    Gate Source Voltage  
    VGS  
    V
    ± 20  
    Power Dissipation at Tamb=25°C  
    Avalanche Current-Repetitive  
    Avalanche Energy-Repetitive  
    Operating and Storage Temperature Range  
    Ptot  
    3
    W
    A
    IAR  
    1
    25  
    EAR  
    mJ  
    °C  
    Tj:Tstg  
    -55 to +150  
    ZVN4306GV  
    ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
    = 25°C unless otherwise stated).  
    amb  
    PARAMETER  
    SYMBOL MIN. TYP.  
    MAX. UNIT CONDITIONS.  
    Drain-Source  
    Breakdown Voltage  
    BVDSS  
    60  
    V
    ID=1mA, VGS=0V  
    Gate-Source  
    Threshold Voltage  
    VGS(th)  
    1.3  
    3
    V
    ID=1mA, VDS= VGS  
    Gate-Body Leakage  
    IGSS  
    IDSS  
    20  
    nA  
    VGS=± 20V, VDS=0V  
    Zero Gate Voltage  
    Drain Current  
    10  
    100  
    VDS=60V, VGS=0V  
    VDS=48V, VGS=0V, T=125°C(2)  
    µA  
    µA  
    On-State Drain  
    Current(1)  
    ID(on)  
    12  
    A
    VDS=10V, VGS=10V  
    Static Drain-Source  
    On-State Resistance  
    (1)  
    RDS(on)  
    0.22  
    0.32  
    0.33  
    0.45  
    VGS=10V, ID=3A  
    Ω
    Ω
    V
    GS=5V, ID=1.5A  
    Forward  
    Transconductance (1)  
    gfs  
    0.7  
    S
    VDS=25V,ID=3A  
    Input Capacitance (2) Ciss  
    350  
    140  
    pF  
    pF  
    Common Source  
    Output Capacitance  
    (2)  
    Coss  
    VDS=25 V, VGS=0V, f=1MHz  
    Reverse Transfer  
    Capacitance (2)  
    Crss  
    30  
    8
    pF  
    ns  
    Turn-On Delay Time td(on)  
    (2)(3)  
    V
    DD ≈25V, VGEN=10V, ID=3A  
    Rise Time (2)(3)  
    tr  
    25  
    30  
    ns  
    ns  
    Turn-Off Delay Time td(off)  
    (2)(3)  
    Fall Time (2)(3)  
    tf  
    16  
    ns  
    (1) Measured under pulsed conditions. Width=300µs. Duty cycle ≤2% (2) Sample test.  
    (3) Switching times measured with 50Ω source impedance and <5ns rise time on a pulse generator  
    Spice parameter data is available upon request for this device  
    ZVN4306GV  
    TYPICAL CHARACTERISTICS  
    VGS=  
    20V  
    12V 10V  
    9V  
    8V  
    VGS=3V  
    3.5V  
    6V  
    5V  
    12  
    11  
    10  
    10  
    7V  
    9
    8
    7
    6
    5
    6V  
    5V  
    1.0  
    8V  
    4
    3
    2
    1
    10V  
    4V  
    3.5V  
    3V  
    0
    0.1  
    0.1  
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    6
    7
    8
    9
    10  
    100  
    1
    10  
    DS  
    V
    Voltage (Volts)  
    - Drain Source  
    ID-Drain Current (Amps)  
    Saturation Characteristics  
    On-resistance v drain current  
    2.6  
    2.4  
    2.2  
    2.0  
    1.8  
    1.6  
    5
    VGS=10V  
    ID=3A  
    4
    3
    VDS=10V  
    1.4  
    1.2  
    1.0  
    0.8  
    0.6  
    2
    1
    VGS=VDS  
    ID=1mA  
    Gate Threshold Voltage VGS(TH)  
    0
    -50  
    150  
    175 200 225  
    -25  
    0
    25 50 75 100 125  
    2
    6
    8
    10 12  
    16 18 20  
    0
    4
    14  
    D(on)  
    I
    )
    - Drain Current (Amps  
    Tj-Junction Temperature (°C)  
    Transconductance v drain current  
    Normalised RDS(on) and VGS(th) v Temperature  
    VDD=  
    16  
    20V  
    40V  
    60V  
    500  
    400  
    300  
    14  
    ID=3A  
    12  
    10  
    8
    Ciss  
    200  
    6
    4
    2
    0
    100  
    Coss  
    Crss  
    0
    0
    10  
    20  
    30  
    40  
    50  
    60  
    70  
    80  
    1
    2
    3
    4
    5
    6
    7
    8
    9
    10 11 12  
    0
    DS  
    V
    -Drain Source Voltage (Volts)  
    Q-Charge (nC)  
    Capacitance v drain-source voltage  
    Gate charge v gate-source voltage  
    ZVN4306GV  
    配单直通车
    ZVN4306GVTC产品参数
    型号:ZVN4306GVTC
    生命周期：Transferred
    包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
    Reach Compliance Code：unknown
    ECCN代码：EAR99
    HTS代码：8541.29.00.95
    风险等级：5.1
    其他特性：AVALANCHE RATED
    外壳连接：DRAIN
    配置：SINGLE
    最小漏源击穿电压：60 V
    最大漏极电流 (ID)：2.1 A
    最大漏源导通电阻：0.33 Ω
    FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    JESD-30 代码：R-PDSO-G4
    JESD-609代码：e3
    湿度敏感等级：1
    元件数量：1
    端子数量：4
    工作模式：ENHANCEMENT MODE
    封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
    封装形状：RECTANGULAR
    封装形式：SMALL OUTLINE
    峰值回流温度（摄氏度）：260
    极性/信道类型：N-CHANNEL
    最大脉冲漏极电流 (IDM)：15 A
    认证状态：Not Qualified
    表面贴装：YES
    端子面层：MATTE TIN
    端子形式：GULL WING
    端子位置：DUAL
    处于峰值回流温度下的最长时间：40
    晶体管应用：SWITCHING
    晶体管元件材料：SILICON
    Base Number Matches：1
    •  
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