ZVP2104L各脚功能电路原理芯片引脚定义引脚图及功能IC贸易商-中国IC网-芯三七

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产品型号ZVP2106A的Datasheet PDF文件预览

P-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE VERTICAL DMOS FET

ZVP2106A

ISSUE 2 – MARCH 94

FEATURES

60 Volt V_DS

R_DS(on)=5Ω

E-Line

TO92 Com patible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

S YMBOL

V_DS

VALUE

UNIT

Dra in -S o u rce Vo ltag e

-60

-280

Co n tin u o u s Dra in Cu rren t at T_{a m b}=25°C

Pu ls e d Dra in Cu rre n t

I_D

m A

I_DM

-4

Ga te S o u rce Vo lta g e

V_GS

± 20

Po w e r Dis s ip a tio n a t T_{a m b}=25°C

Op e ratin g a n d S to ra g e Te m p e ratu re Ra n g e

P_{to t}

700

m W

°C

T_j:T_{s tg}

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherw ise stated).

am b

PARAMETER

S YMBOL MIN. MAX. UNIT CONDITIONS .

Dra in -S o u rce Bre akd o w n

Vo lta g e

BV_{DS S}

-60

I_D=-1m A, V_GS=0V

Ga te-S o u rce Th res h o ld

Vo lta g e

V_{GS (th )}

-1.5

-3.5

ID=-1m A, V_DS= V_GS

Ga te-Bo d y Lea ka g e

I_{GS S}

I_{DS S}

n A

V_GS=± 20V, V_DS=0V

Ze ro Ga te Vo lta g e Dra in

Cu rre n t

-0.5

-100

V_DS=-60 V, V_GS=0

V_DS=-48 V, V_GS=0V, T=125°C(2)

µA

On -S ta te Dra in Cu rre n t(1)

I_{D(o n )}

-1

V_DS=-18 V, V_GS=-10V

V_GS=-10V,I_D=-500m A

S ta tic Drain -S o u rce On -S ta te R_{DS (o n )}

Res is ta n ce (1)

Ω

Fo rw a rd Tra n s co n d u ctan ce

(1)(2)

g _fs

150

m S

V_DS=-18V,I_D=-500m A

In p u t Ca p a citan ce (2)

C_{is s}

100

p F

Co m m o n S o u rce Ou tp u t

Cap acita n ce (2)

C_{o s s}

V_DS=-18V, V_GS=0V, f=1MHz

Reve rs e Tra n s fe r

Cap acita n ce (2)

C_{rs s}

p F

Tu rn -On De lay Tim e (2)(3)

Ris e Tim e (2)(3)

t_{d (o n )}

t_r

t_{d (o ff)}

t_f

n s

V_DD≈-18V, I_D=-500m A

Tu rn -Off De la y Tim e (2)(3)

Fa ll Tim e (2)(3)

(1) Measured under pulsed conditions. Width=300µs. Duty cycle ≤2%

(2) Sam ple test.

(

)

3-417

Switching tim es m easured with 50Ω source im pedance and <5ns rise tim e on a pulse generator

ZVP2106A

TYPICAL CHARACTERISTICS

-3.5

-2.0

-1.8

-1.6

VGS=

-20V

-18V

-3.0

VGS=

-10V

-14V

-2.5

-2.0

-1.4

-1.2

-12V

-10V

-9V

-8V

-7V

-1.0

-0.8

-0.6

-0.4

-0.2

-1.5

-1.0

-0.5

-9V

-8V

-7V

-6V

-5V

-4V

-3.5V

-6V

-5V

-4V

-50

-10

-20

-30

-40

-2

-4

-6

-8

-10

VDS - Drain Source Voltage (Volts)

Output Characteristics

Saturation Characteristics

-10

-1.6

-1.4

-1.2

-1.0

-0.8

-0.6

-0.4

-0.2

-8

-6

VDS=-10V

-4

-2

ID=

-1A

-0.5A

-0.25A

-2

-4

-6

-8

-10

-2

-4

-6

-8

-10

VGS-Gate Source Voltage (Volts)

Transfer Characteristics

Voltage Saturation Characteristics

VGS=-5V

-8V -9V -10V

-7V

-6V

2.6

2.4

2.2

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

VGS=-10V

ID=-0.5A

VGS=VDS

ID=-1mA

0.6

-0.1

-40

120

180

140 160

-20

20 40 60 80 100

-1.0

-2.0

ID-Drain Current (Am ps)

Tj-Junction Temperature (°C)

On-resistance v drain current

Normalised R^DS(on)and V^GS(th)vs Temperature

3-418

ZVP2106A

TYPICAL CHARACTERISTICS

300

250

300

250

VDS=-10V

200

150

200

150

100

-0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -1.0 -1.2 -1.4 -1.6 -1.8 -2.0

-2

-4

-6

-8

-10

GS-Gate Source Voltage (Volts)

I - Drain Current (Amps)

Transconductance v drain current

Transconductance v gate-source voltage

-2

-4

100

VDS=

-30V

-50V

-20V

-6

-8

Ciss

-10

-12

-14

-16

oss

Crss

0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4

Q-Charge (nC)

-10

-20

-30

-40

-50

DS-Drain Source Voltage (Volts)

Capacitance v drain-source voltage

Gate charge v gate-source voltage

3-419

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ZVP2106A产品参数

型号:	ZVP2106A
是否无铅：	不含铅
是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95
Factory Lead Time：	17 weeks
风险等级：	0.96
配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.28 A
最大漏极电流 (ID)：	0.28 A
最大漏源导通电阻：	5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	20 pF
JESD-30 代码：	O-PBCY-W3
JESD-609代码：	e3
元件数量：	1
端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.7 W
认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

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