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    • 北京元坤伟业科技有限公司

           该会员已使用本站17年以上

    • ZVP2106ASTZ.
    • 数量-
    • 厂家-
    • 封装-
    • 批号-
    • -
    • QQ:857273081QQ：857273081 复制
      QQ:1594462451QQ：1594462451 复制
    • 010-62104931、62106431、62104891、62104791 QQ:857273081QQ:1594462451
    更多
    • ZVP2106ASTZ.图

    • 深圳市集创讯科技有限公司

       该会员已使用本站5年以上
    • ZVP2106ASTZ.
    • 数量35000 
    • 厂家ZETEX 
    • 封装 
    • 批号24+ 
    • 原装进口正品现货，假一罚十价格优势
    • QQ:2885393494QQ：2885393494 复制
      QQ:2885393495QQ：2885393495 复制
    • 0755-83244680 QQ:2885393494QQ:2885393495
    • ZVP2106ASTZ.图

    • 深圳市创德丰电子有限公司

       该会员已使用本站15年以上
    • ZVP2106ASTZ.
    • 数量1 
    • 厂家ZETEX 
    • 封装长期收购 
    • 批号06+ 
    • 长期收购此型号
    • QQ:2851807192QQ：2851807192 复制
      QQ:2851807191QQ：2851807191 复制
    • 86-755-83226910, QQ:2851807192QQ:2851807191
    • ZVP2106ASTZ.图

    • 深圳市创思克科技有限公司

       该会员已使用本站2年以上
    • ZVP2106ASTZ.
    • 数量8500 
    • 厂家ZETEX 
    • 封装 
    • 批号20+ 
    • 全新原装挺实单欢迎来撩/可开票
    • QQ:1092793871QQ：1092793871 复制
    • -0755-88910020 QQ:1092793871

    产品型号ZVP2106B的Datasheet PDF文件预览

    ZVP2106B  
    MECHANICAL DATA  
    Dimensions in mm (inches)  
    P CHANNEL ENHANCEMENT  
    MODE DMOS FET  
    BV  
    I
    - 60V  
    0.76A  
    Ω
    0.5  
    8.89 (0.35)  
    9.40 (0.37)  
    DSS  
    7.75 (0.305)  
    8.51 (0.335)  
    (cont)  
    D
    R
    (on)  
    DS  
    4.19 (0.165)  
    4.95 (0.195)  
    0.89  
    (0.035)  
    max.  
    12.70  
    (0.500)  
    min.  
    7.75 (0.305)  
    8.51 (0.335)  
    dia.  
    FEATURES  
    5.08 (0.200)  
    typ.  
    • FAST SWITCHING SPEEDS  
    • NO SECONDARY BREAKDOWN  
    • EXCELLENT TEMPERATURE STABILITY  
    • HIGH INPUT IMPEDANCE  
    2.54  
    2
    (0.100)  
    1
    3
    0.66 (0.026)  
    1.14 (0.045)  
    0.71 (0.028)  
    0.86 (0.034)  
    45°  
    • LOW CURRENT DRIVE  
    TO39  
    • EASE OF PARALLELING  
    Pin 1 – Source  
    Pin 2 – Gate  
    Pin 3 – Drain  
    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Tcase = 25°C unless otherwise stated)  
    V
    Gate – Source Voltage  
    Drain – Source Voltage  
    Continuous Drain Current  
    Continuous Drain Current  
    Pulsed Drain Current  
    ±20  
    -60V  
    GS  
    V
    DS  
    I
    I
    I
    (V = 10V , T  
    = 25°C)  
    0.28A  
    -0.76A  
    -4A  
    D
    GS  
    case  
    case  
    (V = 10V , T  
    = 100°C)  
    D
    GS  
    DM  
    P
    P
    Power Dissipation @ T = 25°C  
    0.7W  
    D
    A
    Power Dissipation @ T = 25°C  
    5W  
    D
    C
    T , T  
    Operating and Storage Temperature Range  
    –55 to 150°C  
    J
    stg  
    Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.  
    E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk  
    11/99  
    ZVP2106B  
    ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T  
    = 25°C unless otherwise stated)  
    amb  
    Parameter  
    Test Conditions  
    Min.  
    Typ.  
    Max. Unit  
    BV  
    Drain – Source Breakdown Voltage  
    V
    V
    = 0  
    I = - 1mA  
    - 60  
    V
    DSS  
    GS  
    D
    Static Drain – Source On–State  
    R
    = -10V  
    I = 500mA  
    5
    Ω
    DS(on)  
    GS  
    D
    1
    Resistance  
    V
    Gate Threshold Voltage  
    V
    V
    V
    = V  
    I = - 1mA  
    - 1.5  
    150  
    - 3.5  
    V
    GS(th)  
    DS  
    DS  
    GS  
    GS  
    D
    1,2  
    g
    Forward Transconductance  
    = -18V  
    I = 500mA  
    mS  
    fs  
    D
    = 0  
    V
    = 0.8V  
    - 0.5  
    DS  
    DSS  
    I
    I
    Zero Gate Voltage Drain Current  
    µA  
    DSS  
    T = 125°C  
    - 100  
    1
    On-state drain current  
    V
    = - 18V  
    V
    GS  
    = –10V  
    - 1  
    A
    D(on)  
    DS  
    C
    C
    C
    Input Capacitance2  
    Output Capacitance 2  
    Reverse Transfer Capacitance 2  
    V
    V
    = 0  
    100  
    60  
    20  
    7
    iss  
    oss  
    rss  
    d(on)  
    r
    GS  
    = -18V  
    pF  
    ns  
    DS  
    f = 1MHz  
    2,3  
    t
    t
    t
    t
    Turn–On Delay Time  
    2,3  
    Rise Time  
    15  
    12  
    15  
    V
    = -18V  
    I = -500mA  
    D
    DD  
    2,3  
    Turn–Off Delay Time  
    d(off)  
    f
    2,3  
    Fall Time  
    Notes  
    1) Pulse Test: Pulse Width ≤ 300µs, δ ≤ 2%  
    2) Sample  
    3) Switching times measured with 50Ω source inpedance and < 5ns rise time on a pulse generator.  
    Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.  
    E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk  
    11/99  
    配单直通车
    ZVP2106B产品参数
    型号:ZVP2106B
    生命周期：Active
    IHS 制造商：TT ELECTRONICS PLC
    Reach Compliance Code：compliant
    ECCN代码：EAR99
    HTS代码：8541.21.00.95
    风险等级：5.46
    配置：SINGLE
    最小漏源击穿电压：60 V
    最大漏极电流 (ID)：0.28 A
    最大漏源导通电阻：5 Ω
    FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    最大反馈电容 (Crss)：20 pF
    JEDEC-95代码：TO-39
    JESD-30 代码：O-MBCY-W3
    元件数量：1
    端子数量：3
    工作模式：ENHANCEMENT MODE
    最高工作温度：150 °C
    封装主体材料：METAL
    封装形状：ROUND
    封装形式：CYLINDRICAL
    极性/信道类型：P-CHANNEL
    认证状态：Not Qualified
    表面贴装：NO
    端子形式：WIRE
    端子位置：BOTTOM
    晶体管应用：SWITCHING
    晶体管元件材料：SILICON
    •  
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