ZVP2110ASTOB全新原装原理图各脚功能电路原理芯片引脚定义-中国IC网-芯三七

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P-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE VERTICAL DMOS FET

ZVP2110A

ISSUE 2 – MARCH 94

FEATURES

100 Volt V_DS

R_DS(on)=8Ω

E-Line

TO92 Com patible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

S YMBOL

V_DS

VALUE

UNIT

Dra in -S o u rce Vo ltag e

-100

-230

Co n tin u o u s Dra in Cu rren t at T_{a m b}=25°C

Pu ls e d Dra in Cu rre n t

I_D

m A

I_DM

-3

Ga te S o u rce Vo lta g e

V_GS

± 20

Po w e r Dis s ip a tio n a t T_{a m b}=25°C

Op e ratin g a n d S to ra g e Te m p e ratu re Ra n g e

P_{to t}

700

m W

°C

T_j:T_{s tg}

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherw ise stated).

am b

PARAMETER

S YMBOL MIN. MAX. UNIT CONDITIONS .

Dra in -S o u rce Bre akd o w n

Vo lta g e

BV_{DS S}

-100

I_D=-1m A, V_GS=0V

Ga te-S o u rce Th res h o ld

Vo lta g e

V_{GS (th )}

-1.5

-3.5

ID=-1m A, V_DS= V_GS

Ga te-Bo d y Lea ka g e

I_{GS S}

I_{DS S}

n A

V_GS=± 20V, V_DS=0V

Ze ro Ga te Vo lta g e Dra in

Cu rre n t

-1

-100

V_DS=-100 V, V_GS=0

V_DS=-80 V, V_GS=0V, T=125°C(2)

µA

On -S ta te Dra in Cu rre n t(1)

I_{D(o n )}

-750

125

m A

V_DS=-25 V, V_GS=-10V

V_GS=-10V,I_D=-375m A

S ta tic Drain -S o u rce On -S ta te R_{DS (o n )}

Res is ta n ce (1)

Ω

Fo rw a rd Tra n s co n d u ctan ce

(1)(2)

g _fs

m S

V_DS=-25V,I_D=-375m A

In p u t Ca p a citan ce (2)

C_{is s}

100

p F

Co m m o n S o u rce Ou tp u t

Cap acita n ce (2)

C_{o s s}

V_DS=-25V, V_GS=0V, f=1MHz

Reve rs e Tra n s fe r

Cap acita n ce (2)

C_{rs s}

p F

Tu rn -On De lay Tim e (2)(3)

Ris e Tim e (2)(3)

t_{d (o n )}

t_r

t_{d (o ff)}

t_f

n s

V_DD≈-25V, I_D=-375m A

Tu rn -Off De la y Tim e (2)(3)

Fa ll Tim e (2)(3)

(1) Measured under pulsed conditions. Width=300µs. Duty cycle ≤2%

(2) Sam ple test.

(

)

3-421

Switching tim es m easured with 50Ω source im pedance and <5ns rise tim e on a pulse generator

ZVP2110A

TYPICAL CHARACTERISTICS

VGS=

-20V

-16V

-1.6

-20V

-16V

-1.6

-1.4

-12V

-1.2

-1.0

-10V

-9V

-1.2

-1.0

-10V

-9V

-8V

-0.8

-7V

-6V

-0.6

-0.4

-0.2

-0.6

-6V

-0.4

-5V

-4.5V

-4V

-3.5V

-0.2

-4.5V

-4V

-3.5V

-10

-20

-30

-40

-50

-2

-4

-6

-8

-10

VDS - Drain Source Voltage (Volts)

Output Characteristics

Saturation Characteristics

-8

-6

-4

-2

-1.6

-1.4

-1.2

-1.0

-0.8

-0.6

-0.4

-0.2

VDS=-10V

ID=

-0.5A

-0.25A

-0.1A

-2

-4

-6

-8

-10

-2

-4

-6

-8

-10

VGS-Gate Source Voltage (Volts)

Transfer Characteristics

Voltage Saturation Characteristics

2.6

2.4

2.2

2.0

1.8

1.6

100

VGS=-4V

VGS=-10V

ID=-0.375A

-5V

-7V

-10V

-20V

e R

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

VGS=VDS

ID=-1mA

-40

120

180°C

140 160

-20

20 40 60 80 100

100

1000

ID-Drain Current (mA)

Normalised R^DS(on)and V^GS(th)vs Temperature

3-422

On-resistance v drain current

ZVP2110A

TYPICAL CHARACTERISTICS

250

200

250

VDS=-10V

200

150

100

150

100

VDS=-10V

-0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -1.0 -1.2 -1.4 -1.6

-2

-4

-6

-8

-10

VGS-Gate Source Voltage (Volts)

ID- Drain Current (Amps)

Transconductance v drain current

Transconductance v gate-source voltage

ID=- 0.5A

-2

VDS=

-4

-6

-50V

-100V

-25V

Ciss

-8

-10

-12

-14

-16

Coss

Crss

-20

-40

-60

-80

-100

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

VDS-Drain Source Voltage (Volts)

Q-Gate Charge (nC)

Capacitance v drain-source voltage

Gate charge v gate-source voltage

3-423

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ZVP2110ASTOB产品参数

型号:	ZVP2110ASTOB
是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete
IHS 制造商：	ZETEX PLC
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-W3
Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.07
配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	0.23 A
最大漏源导通电阻：	8 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSIP-W3
JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1
元件数量：	1
端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	WIRE
端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

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