LM5050MK-1/NOPB
电源管理 IC- 参考价格：￥10.42-￥8.00
更新日期：2024-04-01
LM5050MK-1/NOPB 供应商
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LM5050MK-1/NOPB 中文资料属性参数
- 制造商：National Semiconductor (TI)
- 产品：MOSFET Gate Drivers
- 类型：Charge Pump Gate Driver For External N-Channel MOSFET
- Supply Voltage - Max：75 V
- Supply Voltage - Min：5 V
- 电源电流：0.13 mA
- 最大工作温度：+ 125 C
- 安装风格：SMD/SMT
- 封装 / 箱体：TSOT-6
- 封装：Reel
- 最小工作温度：- 40 C
- 激励器数量：1
- 输出端数量：1
- 关闭时间（最大值）：486 ns
- 工作电源电压：5 V to 75 V
- 输出电流：3.2 uA
- 输出电压：5 V to 75 V
- 工厂包装数量：1000
产品特性
- 提供标准和符合 AEC-Q100 标准版本的 LM5050Q0MK-1（高达 150°C TJ）和 LM5050Q1MK-1（高达 125°C TJ）
- 提供功能安全 提供文档以帮助创建功能安全系统设计
- 提供文档以帮助创建功能安全系统设计
- 宽工作输入电压范围 VIN：1V 至 75V（VIN < 5V 时需要 VBIAS）
- 100V 瞬态电压
- 适用于外部 N 沟道 MOSFET 的电荷泵栅极驱动器
- 针对电流反向 50ns 快速响应
- 2A 峰值栅极关断电流
- 超小 VDS 关断电压，可缩短关断时间
- 封装：SOT-6（薄型 SOT-23-6）
产品概述
LM5050-1/-Q1 高侧 OR-ing FET 控制器与外部 MOSFET 配合工作，当与电源串联时则用作理想的二极管整流器。此 ORing 控制器可使 MOSFET 替换电源分配网络中的二极管整流器，从而降低功率损耗和压降。LM5050-1/-Q1 控制器为外部 N 沟道 MOSFET 和快速响应比较器提供电荷泵栅极驱动，以在电流反向流动时关断 FET。LM5050-1/-Q1 可连接 5V 至 75V 的电源，可承受高达 100V 的瞬态电压。
LM5050MK-1/NOPB 电路图
LM5050MK-1/NOPB 电路图
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