中高压MOS管
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TASUND/泰盛达
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2023+
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TO-220F
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360000
|
深圳
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同WILLSEMI芯片参数
同WILLSEMI芯片参数
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深圳泰盛达科技有限公司
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中高压MOS管
|
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TASUND/泰盛达
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2023+
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DFN2X2-6L
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360000
|
深圳
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同WILLSEMI芯片参数
同WILLSEMI芯片参数
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深圳泰盛达科技有限公司
|
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中高压MOS管
|
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TASUND/泰盛达
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2023+
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PDFN3333-8L
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360000
|
深圳
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同WILLSEMI芯片参数
同WILLSEMI芯片参数
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深圳泰盛达科技有限公司
|
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中高压MOS管
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TASUND/泰盛达
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2023+
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SOP-8L
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360000
|
深圳
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同WILLSEMI芯片参数
同WILLSEMI芯片参数
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深圳泰盛达科技有限公司
|
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中高压MOS管
|
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TASUND/泰盛达
|
2023+
|
SOP-8L
|
360000
|
深圳
|
同WILLSEMI芯片参数
同WILLSEMI芯片参数
|
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深圳泰盛达科技有限公司
|
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中高压MOS管
|
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TASUND/泰盛达
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2023+
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SOT-23
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360000
|
深圳
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同WILLSEMI芯片参数
同WILLSEMI芯片参数
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深圳泰盛达科技有限公司
|
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中高压MOS管
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GALAXY/银河微
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2023+
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TO-252
|
30000
|
深圳
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2A, 500V, 19W, N CHANNEL,POWER MOSFETS
2A, 500V, 19W, N CHANNEL,POWER MOSFETS
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深圳市豪金隆电子有限公司
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中高压MOS管
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GALAXY/银河微
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2023+
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TO-263
|
30000
|
深圳
|
12A, 650V, 90W, N CHANNEL, POWER MOSFETS
12A, 650V, 90W, N CHANNEL, POWER MOSFETS
|
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深圳市豪金隆电子有限公司
|
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中高压MOS管
|
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GALAXY/银河微
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2023+
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ITO-220AB
|
30000
|
深圳
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13A, 500V, 140W, N CHANNEL, POWER MOSFETS
13A, 500V, 140W, N CHANNEL, POWER MOSFETS
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深圳市豪金隆电子有限公司
|
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中高压MOS管
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TASUND/泰盛达
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2023+
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TO-220
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360000
|
深圳
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同WILLSEMI芯片参数
同WILLSEMI芯片参数
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深圳泰盛达科技有限公司
|
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中高压MOS管
|
|
GALAXY/银河微
|
2023+
|
TO-220AB
|
30000
|
深圳
|
5A, 650V, 75W, N CHANNEL,POWER MOSFETS
5A, 650V, 75W, N CHANNEL,POWER MOSFETS
|
|
深圳市豪金隆电子有限公司
|
|
中高压MOS管
|
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GALAXY/银河微
|
2023+
|
ITO-220AB
|
30000
|
深圳
|
4A, 650V, 2.5W, N CHANNEL, POWER MOSFETS
4A, 650V, 2.5W, N CHANNEL, POWER MOSFETS
|
|
深圳市豪金隆电子有限公司
|
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中高压MOS管
|
|
TASUND/泰盛达
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2023+
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SOT-563
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360000
|
深圳
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同WILLSEMI芯片参数
同WILLSEMI芯片参数
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深圳泰盛达科技有限公司
|
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中高压MOS管
|
|
GALAXY/银河微
|
2023+
|
ITO-220AB
|
30000
|
深圳
|
20A, 600V, 45W, N CHANNEL, POWER MOSFETS
20A, 600V, 45W, N CHANNEL, POWER MOSFETS
|
|
深圳市豪金隆电子有限公司
|
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中高压MOS管
|
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TASUND/泰盛达
|
2023+
|
DFN2X2-6L
|
360000
|
深圳
|
同WILLSEMI芯片参数
同WILLSEMI芯片参数
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|
深圳泰盛达科技有限公司
|
|
中高压MOS管
|
|
TASUND/泰盛达
|
2023+
|
PDFN5X6-8L
|
360000
|
深圳
|
同WILLSEMI芯片参数
同WILLSEMI芯片参数
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|
深圳泰盛达科技有限公司
|
|
中高压MOS管
|
|
GALAXY/银河微
|
2023+
|
ITO-220AB
|
30000
|
深圳
|
8A, 400V, 39W, N CHANNEL, POWER MOSFETS
8A, 400V, 39W, N CHANNEL, POWER MOSFETS
|
|
深圳市豪金隆电子有限公司
|
|
中高压MOS管
|
|
TASUND/泰盛达
|
2023+
|
PDFN3333-8L
|
360000
|
深圳
|
同WILLSEMI芯片参数
同WILLSEMI芯片参数
|
|
深圳泰盛达科技有限公司
|
|
中高压MOS管
|
|
TASUND/泰盛达
|
2023+
|
CSP-6L
|
360000
|
深圳
|
同WILLSEMI芯片参数
同WILLSEMI芯片参数
|
|
深圳泰盛达科技有限公司
|
|
中高压MOS管
|
|
TASUND/泰盛达
|
2023+
|
PDFN5X6-8L
|
360000
|
深圳
|
同WILLSEMI芯片参数
同WILLSEMI芯片参数
|
|
深圳泰盛达科技有限公司
|
|
中高压MOS管
|
|
TASUND/泰盛达
|
2023+
|
SOT-723
|
360000
|
深圳
|
同WILLSEMI芯片参数
同WILLSEMI芯片参数
|
|
深圳泰盛达科技有限公司
|
|
中高压MOS管
|
|
GALAXY/银河微
|
2023+
|
ITO-220AB
|
30000
|
深圳
|
4A, 800V, 36W, N CHANNEL, POWER MOSFETS
4A, 800V, 36W, N CHANNEL, POWER MOSFETS
|
|
深圳市豪金隆电子有限公司
|
|
中高压MOS管
|
|
TASUND/泰盛达
|
2023+
|
DFN2X2-4L
|
360000
|
深圳
|
同WILLSEMI芯片参数
同WILLSEMI芯片参数
|
|
深圳泰盛达科技有限公司
|
|
中高压MOS管
|
|
GALAXY/银河微
|
2023+
|
TO-252
|
30000
|
深圳
|
7A, 700V, 60W, N CHANNEL,POWER MOSFETS
7A, 700V, 60W, N CHANNEL,POWER MOSFETS
|
|
深圳市豪金隆电子有限公司
|
|
中高压MOS管
|
|
GALAXY/银河微
|
2023+
|
ITO-220AB
|
30000
|
深圳
|
8A, 700V, N CHANNEL,POWER MOSFETS
8A, 700V, N CHANNEL,POWER MOSFETS
|
|
深圳市豪金隆电子有限公司
|
|
中高压MOS管
|
|
TASUND/泰盛达
|
2023+
|
PDFN3X3-8L
|
360000
|
深圳
|
同WILLSEMI芯片参数
同WILLSEMI芯片参数
|
|
深圳泰盛达科技有限公司
|
|
中高压MOS管
|
|
GALAXY/银河微
|
2023+
|
TO-220AB
|
30000
|
深圳
|
1.2A, 600V, 40W, N CHANNEL,POWER MOSFETS
1.2A, 600V, 40W, N CHANNEL,POWER MOSFETS
|
|
深圳市豪金隆电子有限公司
|
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中高压MOS管
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OSEN/欧芯
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22+
|
TO-220TO-220F
|
10000
|
深圳
|
匠心质造,高品质选欧芯
匠心质造,高品质选欧芯
|
|
广州欧颂电子科技有限公司
|
|
中高压MOS管
|
|
TASUND/泰盛达
|
2023+
|
SOT-23-3L
|
360000
|
深圳
|
同WILLSEMI芯片参数
同WILLSEMI芯片参数
|
|
深圳泰盛达科技有限公司
|
|
中高压MOS管
|
|
TASUND/泰盛达
|
2023+
|
PDFN5X6-8L
|
360000
|
深圳
|
同WILLSEMI芯片参数
同WILLSEMI芯片参数
|
|
深圳泰盛达科技有限公司
|
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