| 商品类目 | 场效应管(MOSFET) | |
| 品牌 | Infineon(英飞凌) | |
| 封装规格 | SOIC-8 | |
| 包装 | 4000 | |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
| 漏源电压（Vdss） | 50V | |
| 25℃时电流-连续漏极(Id) | 3A | |
| 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值） | 130mΩ@3A,10V | |
| 不同Id时Vgs(th)（最大值） | 3V@250UA | |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值） | 290pF@25V | |
| FET功能 | - | |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值） | 30nC@10V | |
| 功率-最大值 | 2W | |
| 配置 | 2N-通道（双） | |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154,3.90mm宽） | |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
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