海力士已开始量产全球首款 321 层 NAND，这是一种容量为 1Tb 的三层单元 4D 存储器。 继去年6月推出238层NAND之后，海力士通过堆叠技术的突破，成为全球首家超过300层的...
SK海力士推出首款300层NAND闪存产品，威胁三星电子在存储半导体行业的领先地位。三星电子在高带宽内存（HBM）技术和最近的 DRAM 技术方面被评价为被超越，但在 NAND 堆叠竞...
SK海力士宣布量产全球首款321层NAND闪存。据新闻稿称，该公司将从 2025 年 1 月开始向客户提供 321 高 1TB 容量的 NAND 闪存。 SK 海力士的 321 层高 NAND 闪存基于该公...
分类：名企新闻 时间：2024/11/22 阅读：239 关键词：SK海力士
Kioxia正在量产QLC UFS闪存。 512GB QLC UFS芯片的顺序读取速度高达4,200 MB/s，顺序写入速度高达3,200 MB/s，充分利用UFS 4.0接口速度 主要特点包括： 支持高速...
分类：新品快报 时间：2024/10/31 阅读：240 关键词：Kioxia
据digitimes引述行业供应链消息人士消息透露，三星电子和铠侠均计划在第四季度缩减其 NAND 闪存产量。这表明，尽管对人工智能的需求强劲，但整体需求令人失望。... 据行...
分类：业界动态 时间：2024/10/30 阅读：185 关键词：NAND闪存
TrendForce:预计第四季度 NAND 价格将下跌 10% 以上
TrendForce表示，需求疲软将导致第四季度NAND合约价格进一步下跌10%以上，NAND晶圆合约价格将下跌10-15%。 由于人工智能的实际用例有限阻碍了任何重大升级周期，第四季...
分类：行业趋势 时间：2024/10/18 阅读：1409 关键词：NAND 价格
DigiTimes 援引韩国媒体的报道称，由于 IT 行业的需求弱于预期，导致 3D NAND 内存价格下跌，主要闪存制造商正在考虑调整产量并减少对非易失性内存的投资。 相反，随着人工...
分类：业界动态 时间：2024/10/11 阅读：248 关键词：内存
据 TrendForce 报道，第二季度 NAND 平均售价上涨 15%，推动总营收达到 167.96 亿美元，环比增长 14.2%。 所有NAND Flash供应商均从第二季度开始恢复盈利，并在第三季度...
分类：维库行情 时间：2024/9/12 阅读：1917 关键词：NAND
yole：预计2025年DRAM和NAND将创下创纪录的收入
生成式人工智能的快速崛起推动了数据中心市场对高速 DDR5 DRAM 和 HBM 技术的需求，并引发了对连接到人工智能服务器的企业级 SSD 的需求激增。此外，首批配备设备内置生成...
Wedbush 分析师马特·布赖森 (Matt Bryson) 表示，西部数据正在剥离其 NAND 和 SSD 业务，其估值可能与 Solidigm 相似。 磁盘驱动器和 SSD 制造商西部数据将拆分为两个...
分类：业界动态 时间：2024/8/20 阅读：226 关键词：西部数据
NAND闪存和NOR闪存都是常见的闪存类型，用于存储数据并作为固态存储设备使用。它们在结构、工作原理和应用方面有一些不同之处。 NAND闪存： 结构： NAND闪存以NAND门为基础单元进行组织，这种门结构使得NAND闪存在成本和密度方面具...
全部 时间：2024/3/15 阅读：383
介绍当今市场上许多基于 NAND 闪存的 SSD 产品都被标榜为“工业级”或支持“工业温度”（通常为 -40°C 至 85°C）操作。这些 SSD 产品通常在发货前在整个温度范围内进行功能屏幕测试。然而，温度对 SSD 数据保留和耐用性的影响却很少被...
设计应用 时间：2023/10/27 阅读：481
串行 NAND 闪存器件是作为串行 NOR 闪存器件的低成本、高密度替代品而推出的。与 NOR 闪存设备相比，串行 NAND 闪存设备通常具有更高的密度，利用其更小的芯片面积和更低的每比特成本。串行 NAND 闪存设备使用串行外设接口 (SPI)，信号传...
基础电子 时间：2023/7/20 阅读：721
具有 AND/NAND、OR/NOR 和 XOR/XNOR 功能的输入光开关的通用光电逻辑元件
虑光电逻辑元件AND、OR、XOR，当施加输入控制信号时，其输出信号可以反转，从而将逻辑元件转换为NAND、NOR、XNOR。 在各种各样的逻辑芯片中，有一些已知的芯片，其电源可以通过将控制信号馈送到芯片的输入之一来打开或关闭。 下面...
设计应用 时间：2023/5/4 阅读：351
嵌入式系统设计人员在选择闪存时必须考虑很多因素：使用哪种类型的闪存架构，是选择串行接口还是并行接口，是否需要纠错码（ECC）等等。如果处理器或控制器只支持一种类型的接口，这会限制选项，因此内存可能很容易选择。然而，通常情况...
基础电子 时间：2023/3/13 阅读：482
SLC、MLC、TLC 和 QLC NAND SSD 之间的区别
如果你想要一个顶级系统，尤其是用于游戏或内容创作，那么 SSD 是绝对必要的。然而，在你去寻找之前，你应该知道要寻找什么。有多种不同类型的 SSD。就基本的 SSD 存储单元而言，有 SLC、MLC、TLC 和 QLC。其中，TLC 是最受欢迎的，不过...
基础电子 时间：2022/8/18 阅读：642
基于NAND FLASH控制器的自启动方式实现SOC系统的设计
1、引 言 随着消费类电子产品包括PDA，MP3、智能手机等手持设备的市场需求逐步扩大，产品间的竞争也愈发激烈，降低产品的设计成本，提升产品的市场竞争力成为嵌入式系统...
设计应用 时间：2020/5/20 阅读：509
NAND FLASH被广泛应用于电子系统中作为数据存储。在各种高端电子系统中现场可编程门阵列(FPGA)已被广泛应用。FPGA灵活的硬件逻辑能实现对NAND FLASH的读写操作。本文中阐述...
设计应用 时间：2018/8/28 阅读：596
基本知识 NAND flash： 速度快，擦写5ms内；位翻转概率较大，为10%左右；容量大，块容量在8K以上，擦写次数较多；接口为IO接口 NOR flash： 速度慢，擦除5S时间；位翻转概率小于NAND flash；容量较小，块容量在64K以上，擦写次数没...
设计应用 时间：2018/7/24 阅读：591
关于S3C2440开发板Nand flash程序烧写和运行的一些理解
这两天刚开始学习ARM9的裸机编程和Linux系统移植，在烧写Nand flash内存的时候对一些指定的地址产生了疑惑。 我看过很多教学视频，他们在烧写程序到Nand flash的时候一般会指定一个地址0X3000_0000，而S3C2440的官方手册上指明了0X300...
基础电子 时间：2018/7/23 阅读：544