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Littelfuse推出高性能超级结X4-Class 200V功率MOSFET,提供更高效率和可靠性

提供业界领先的低通态电阻,使电池储能和电源设备应用的电路设计更加简化,性能得到提升。  Littelfuse公司 (NASDAQ:LFUS)是一家工业技术制造公司,致力于为可持续发...

分类:新品快报 时间:2024/11/19 阅读:173 关键词:MOSFET

英飞凌推出新型高性能微控制器AURIX TC4Dx

功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司近日宣布推出最新AURIX TC4x系列的首款产品AURIX TC4Dx微控制器(MCU)。AURIX TC4Dx基于28nm技术,可提供更强大的...

分类:新品快报 时间:2024/11/14 阅读:289 关键词:英飞凌

RECOM 推出适用于高性能栅极驱动应用的微型 DC/DC 转换器

栅极驱动器需要精确的电压,以实现最高的效率和系统可靠性。RECOM 新推出的一系列隔离式电源模块采用36 引脚 SSOP SMD 微型封装,尺寸仅 12.83 x 7.5 x 3.55 mm,是一种兼...

分类:新品快报 时间:2024/11/6 阅读:263 关键词:DC/DC 转换器

瑞萨推出全新RA8入门级MCU产品群,提供极具性价比的高性能Arm Cortex-M85处理器

全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE:6723)今日宣布,推出RA8E1和RA8E2微控制器(MCU)产品群,进一步扩展其业界卓越和广受欢迎的MCU系列。2023年推出的RA8系列MCU是...

分类:新品快报 时间:2024/11/6 阅读:226 关键词:天马微电子

希荻微推出适用于移动终端设备的高性能USB 2.0 D+/D-保护器HL5098

希荻微电子集团股份有限公司(股票代码:688173,以下简称“希荻微)是国内领先的模拟及电源管理的集成电路设计商,专注于推动高效节能及智能系统的应用。希荻微推出的创新产...

分类:新品快报 时间:2024/10/11 阅读:203 关键词:保护器

米尔STM32MP2核心板上市!高性能+多接口+边缘算力

米尔发布基于STM32MP257设计的嵌入式处理器模块MYC-LD25X核心板及开发板。核心板基于STM32MP2系列是意法半导体推出最新一代工业级64位微处理器,采用LGA 252 PIN设计,存储...

分类:新品快报 时间:2024/9/23 阅读:620

Murata-1608M尺寸、静电容量可达100μF,这款MLCC特别适用于高性能IT设备

株式会社村田制作所已开发出了村田首款、1608M尺寸(1.6×0.8mm)、静电容量高达100F的多层陶瓷电容器。额定电压为2.5Vdc、工作温度可达105°C、温度特性为X6S(1)的“GRM188C80E107M”和工作温度可达85°C、温度特性为X5R(2)的“GRM1...

时间:2024/9/5 阅读:68 关键词:Murata

Supermicro将推出基于Intel技术、全新高性能X14服务器,适用于AI、高性能计算与关键型企业工作负载

完整的架构升级包含全新性能优化CPU、新一代GPU的支持、升级版内存MRDIMM、400GbE网络、包含E1.S和E3.S硬盘的新型存储选项,以及直达芯片(Direct-to-Chip,D2C)液冷技术...

分类:新品快报 时间:2024/9/4 阅读:266 关键词:X14服务器

Rambus推出DDR5客户端时钟驱动器,将业界领先的内存接口芯片产品扩展到高性能 PC领域

芯片和半导体IP供应商,致力于使数据传输更快更安全,Rambus Inc.(纳斯达克股票代码:RMBS)今日宣布推出适用于下一代高性能台式电脑和笔记本电脑的DDR5客户端时钟驱动器...

分类:新品快报 时间:2024/8/30 阅读:323 关键词:DDR5

ST - 意法半导体推出高性能、高能效、节省空间的36V工业级和汽车级运算放大器

意法半导体推出了TSB952双运算放大器 (运放)。新产品具有52MHz的增益带宽,在36V电压时,电源电流每通道仅为3.3mA,为注重功耗的设计带来高性能。  TSB952的电源电压范围是4.5V-36V,具有很高的设计灵活性,可使用包括行业标准电压轨在...

时间:2024/8/27 阅读:74 关键词:半导体

高性能技术

深入剖析高性能内存回收技术

高性能内存回收技术是现代计算机系统和编程语言设计中的关键领域之一。有效的内存回收不仅能提升程序执行效率,还能防止内存泄漏、提高系统稳定性和可靠性。以下是对高性能内存回收技术的深入剖析:  1. 垃圾回收 (Garbage Collection)...

基础电子 时间:2024/6/13 阅读:234

基于 GaN 的 FET 如何实现高性能电机逆变器

推动更高效的能源利用、更严格的监管要求以及冷却器操作的技术优势都支持了最近减少电动机功耗的举措。虽然硅 MOSFET 等开关技术已得到广泛应用,但它们通常无法满足关键逆...

设计应用 时间:2024/5/23 阅读:683

GaAs 二极管在高性能功率转换中的作用

高压硅二极管具有较低的正向传导压降,但由于其反向恢复行为,会在功率转换器中产生显着的动态损耗。SiC 二极管表现出可忽略不计的反向恢复行为,但确实表现出比硅更高的体...

设计应用 时间:2024/3/11 阅读:627

Kyocera-京瓷利用SN氮化硅材料研发高性能FTIR光源 红外辐射率更高,耐用性超过15万次

京瓷株式会社(以下简称京瓷)成功研发用于FTIR※的氮化硅(Silicon Nitride,以下简称SN)高性能光源。  多年来,京瓷一直使用氮化硅材料开发、生产用于柴油发动机启动预热的预热塞。我们将在汽车零部件领域所积累的高可靠性技术应用...

新品速递 时间:2024/2/28 阅读:1312

通过工业传感器和高性能 ADC 的最佳集成来实现高性能数据采集系统

简介 本文档主要关注通过工业传感器和高性能 ADC 的最佳集成来实现高性能数据采集系统 (DAS)。高性能 ADC 的设计中采用了 Σ-Δ 架构。该参考设计将探索 Maxim 的 MAX11...

设计应用 时间:2023/9/6 阅读:255

适用于高性能功率器件的 SiC 隔离解决方案

使用 SiC 栅极驱动器可以减少 30% 的能量损耗,同时最大限度地延长系统正常运行时间。 Maxim Integrated 推出了一款碳化硅 (SiC) 隔离式栅极驱动器,用于工业市场的高效...

技术方案 时间:2023/8/15 阅读:357

适用于 CSP GaN FET 的简单且高性能的热管理解决方案

功率器件的热管理 电力电子市场需要越来越小、更高效、更可靠的设备。满足这些严格要求的关键因素是高功率密度(能够减少解决方案的占地面积和成本)和出色的热管理(能...

技术方案 时间:2023/8/10 阅读:374

高性能 SiC MOSFET 技术装置设计理念

合适的设备概念应允许一定的设计自由度,以便适应各种任务概况的需求,而无需对处理和布局进行重大改变。然而,关键性能指标仍然是所选器件概念的低面积比电阻,最好与其他...

设计应用 时间:2023/8/8 阅读:922

构建多电压、高性能、超低待机功耗的 32 位 MCU

对提高计算能力和更多集成功能的要求正在推动越来越多的应用从 16 位微控制器转向 32 位微控制器。 对于电池供电的应用来说也是如此,电池供电的应用受益于较低的电源电...

设计应用 时间:2023/8/2 阅读:1008

设计高性能放大器子系统的技巧

放大器用于不同的应用。它们可以缓冲高速 ADC 的输入、驱动多个视频负载以及放大测试仪器应用的高速脉冲信号。 当今市场上的大多数高速(> 50MHz)放大器都非常易于...

设计应用 时间:2023/7/25 阅读:971

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