SK海力士8月29日宣布,已开发出业界首款采用其1c节点(10nm工艺的第六代)制造的16Gb DDR5。
这一成功标志着存储器制程技术开始极限微缩至接近10纳米的水平。
10nm级DRAM技术的微缩工艺不断推进,难度不断增加,但SK海力士凭借业界领先的第五代10nm工艺1b技术,在业界首次提高设计完成度,突破技术限制。
SK海力士表示,将在年内准备好量产1c DDR5,并于明年开始批量出货。
为了减少工艺推进过程中可能出现的错误,并以有效的方式转移被誉为性能的DRAM的1b的优势,该公司将1b DRAM的平台扩展用于1c的开发。
新产品在极紫外(EUV)光刻工艺中采用新材料,同时优化了EUV光刻的整体应用工艺,与上一代产品相比,成本竞争力有所提升。SK海力士还通过设计方面的技术创新,将生产效率提高了30%以上。
预计将用于高性能数据中心的 1c DDR5 的运行速度比上一代提高了 11%,达到 8Gbps。由于功率效率也提高了 9% 以上,SK 海力士预计,在 AI 时代的发展导致功耗增加的背景下,采用 1c DRAM 将有助于数据中心将电力成本降低多达 30%。
DRAM 开发负责人金钟焕表示:“我们致力于将具有性能和成本竞争力的 1c 技术应用于我们的主要下一代产品(包括 HBM1、LPDDR62 和 GDDR73),为客户提供差异化??价值。”“我们将继续努力保持在 DRAM 领域的领先地位,并成为值得信赖的 AI 内存解决方案提供商。”