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DRAM(MOS型动态存储器)

(共找到“49”条查询结果)
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  • 存储容量:

    8 Gbit

  • 组织:

    512M×16

  • 封装:

    FBGA-16

  • 批次:

    20+

品牌 MICRON 批号 2020+ 封装 FBGA 数量 78900 QQ 2260634763 制造商 Micron Technology 产品种类 动态随机存取存储器 RoHS 是 安装风格 SMD/SMT 封装 / 箱体 FBGA-96 数据总线宽度 16 bit 组织 512 M x 16 存储容量 8 Gbit 时钟频率+∞ 1333 MHz 电源电压+∞...

  • 型号:

    MT41K256M8DA-125IT:K

  • 制造商:

    Micron

  • 封装:

    FBGA-78

  • 描述:

    SDRAM - DDR3L 存储器 IC 2Gb (256M x 8) 并联 800MHz 13.75ns 78-FBGA(8x10.5)

  • 包装:

    带卷(TR)

  • 包装数量:

    2000

Micron动态存储器 MT41K256M8DA-125IT:K 制造商 Micron Technology Inc. 型号 MT41K256M8DA-125IT:K TR 描述 SDRAM - DDR3L 存储器 IC 2Gb (256M x 8) 并联 800MHz 13.75ns 78-FBGA...

  • 型号:

    IS42S16100H-7TLI

  • 品牌:

    ISSI

  • 批号:

    18+

  • 数量:

    12000

  • 备注:

    原装现货

半导体存储器(semi-conductor memory)是一种以半导体电路作为存储媒体的存储器,内存储器就是由称为存储器芯片的半导体集成电路组成。按其功能可分为:随机存取存储器(简称RAM)和只...

  • 型号:

    CBM97D79TQ

  • 生产日期:

    2022+

  • 封装:

    TQFP-100

  • 供应商:

    深圳市宏芯光电子有限公司芯佰微厂家

深圳市宏芯光电子有限公司 工厂厂家 芯佰微渠道货源 CBM97D79TQ 生产日期2022+ USB2.0控制器 单片机(MCU/MPU/SOC) USB控制器 CBM9001A-48AG CBM9002A-100TIG CBM9002A-100TCG CBM9002A-56ILG CBM9002A-56IBG CBM9002A-56ISG CBM9002A-56LCG CBM9002A-56BCG CB...

  • 型号:

    MC74HC595ADTR2G

  • 品牌:

    ON

  • 封装:

    TSSOP-16

  • 批号:

    18+

  • 数量:

    10000

制造商:ON Semiconductor 产品种类:计数器移位寄存器 RoHS: 详细信息 计数顺序:Serial to Serial/Parallel 电路数量:2 位数:8 bit 封装 / 箱体:TSSOP-16 逻辑系列:74HC 逻辑类型:CMOS...

  • 型号:

    MT41K256M16TW-107:P

  • 品牌:

    MICRON

  • 封装:

    BGA

  • 批号:

    19+

  • 数量:

    20000

制造商: Micron Technology 产品种类: 动态随机存取存储器 封装 / 箱体: FBGA-96 系列: MT41K 商标: Micron 安装风格: SMD/SMT 湿度敏感性: Yes 产品类型: DRAM 工厂包装数量: 1368 ...

  • 型号:

    MT49H16M18SJ-25:B TR

  • 品牌:

    Micron

  • 封装:

    144-FBGA(18.5x11)

  • 批号:

    20+

  • 电压 - 供电:

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作温度:

    0°C ~ 95°C(TC)

MT49H16M18SJ-25:B TR Micron DRAM 制造商 Micron Technology Inc. 制造商零件编号 MT49H16M18SJ-25:B TR MT49H16M18SJ-25:B TR Micron DRAM 一般信息 数据列表 MT49H32M9, 16M18, 8M...

  • 系列:

    -

  • 类别:

    集成电路(IC)

  • 产品族:

    存储器

  • 电压:

    2.3 V ~ 2.7 V

W9412G6KH-5介绍: 描述 IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II 详细描述 SDRAM - DDR 存储器 IC 128Mb (8M x 16) 并联 200MHz 50ns 66-TSOP II 类别 集成电路(IC) 存储器 制造商 Winbond Electronics 系列 - 包装 托盘 零件状态 在售 存储器类型 易失 存储器...

  • 型号:

    K4B8G1646D-MYK0

  • 品牌:

    SAMSUNG

  • 包装:

    1120PCS

  • 批号:

    17+

型号:K4B8G1646D-MYK0 品牌:SAMSUNG 包装:1120PS 批号:17+ 容量:DDR3 8Gbit 汉威科技只做原装,假一罚十,联电话:13612395875 柯先生(微信同号) 经营范围: 1、存储,三星东芝美光,有些料我们会备库存。 2、MPS、天钰、国腾江波龙还有国内一些芯片的...

  • 型号:

    K4B4G1646E-BCMA

  • 封装:

    FGBA

  • 批次:

    18+

  • 环保:

    无铅环保

  • 厂家:

    三星

K4B4G1646E-BCMA 生产厂家 三星电子 产品分类 DRAM芯片 描述 DRAM芯片DDR3 SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.5V 96引脚FBGA 欧盟RoHS合规 DRAM类型DDR3 SDRAM 芯片密度(位)4G 组织256Mx16 内...

  • 品牌:

    镁光

  • 封装:

    BGA

  • 数量:

    6000

  • 单价:

    面议

  • 包装:

    1080

说明: 动态随机存取存储器 DDR4 8G 512MX16 FBGA 制造商: Micron Technology 产品种类: 动态随机存取存储器 RoHS: 详细信息 类型: SDRAM - DDR4 数据总线宽度: 16 bit 组织: 512 M x...

  • 型号:

    AS4C32M16D1A-5TIN

  • 品牌:

    Alliance

  • 封装:

    TSOP-66

  • 容量:

    512Mb

  • 包装:

    托盘

  • 类别:

    SDRAM-DDR

AS4C32M16D1A-5TIN,Alliance DDR 原厂原装 制造商:Alliance Memory 规格型号:AS4C32M16D1A-5TIN 英文名称:Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory,DDR SDRA...

  • 系列:

    -

  • 类别:

    集成电路(IC)

  • 产品族:

    存储器

  • 电压:

    1.7 V ~ 1.9 V

MT47H32M16NF-25EIT:H介绍: 描述 IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA 详细描述 SDRAM - DDR2 存储器 IC 512Mb (32M x 16) 并联 400MHz 400ps 84-FBGA(8x12.5) 类别 集成电路(IC) 存储器 制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 包装 带卷(TR) 零件状态 在...

  • 型号:

    PIC12C509A-04I/SM

  • 品牌:

    MICROCHIP

  • 年份:

    22+

  • 货期:

    现货

  • 联系人:

    13640952252

富昌源电子(深圳)有限公司是亚太地区的电子元器件混合型分销商。经营各类主动元件( IC集成电路,存储芯片,二、三极管等)和被动元件(电容,电阻,电感等)及机电元件(连接器,开关器...

  • 零件编号:

    MT48LC8M16A2P-6A

  • 制造商:

    Micron Technology Inc.

  • 描述:

    IC SDRAM 128MBIT 167MHZ 54TSOP

  • 湿气敏感性等级 (MSL):

    3(168 小时)

一般信息: 数据列表:MT48LCxMxA2; 标准包装:2,000 类别:集成电路(IC) 产品族:存储器 系列:- 规格: 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 技术:SDRAM 存储容量:128Mb (8M x 16) 时钟频率:167MHz 写周期时间 - 字,页:12ns 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压...

    制造过程 芯片制作完整过程包括芯片设计、晶片制作、封装制作、成本测试等几个环节,其中晶片制作过程尤为的复杂。 精密的芯片其制造过程非常的复杂 首先是芯片设计,根据设计的需求,生成的“图样” 1, 芯片的原料晶圆 晶圆的成分是硅,硅是由石英沙所精练出来的,晶圆便是硅元素加以纯化(99.999%),接着是将这些纯硅制...

    • 品牌:

      SAMSUNG(三星)

    • 型号:

      K4B4G1646E-BCMA

    • 封装:

      BGA96

    • 批次:

      21+

    • 包装:

      托盘

    供应K4B4G1646E-BCMA存储芯片 储存器 原装现货 供应商介绍 深圳市昱创芯城电子有限公司(简称“昱创芯诚”)成立于2020年,是一家以代理、海外渠道、原厂授权分销、现货库存模式共存...

    • 型号:

      MTC8C1084S1SC48BA1

    • 品牌:

      Micron

    • 产品种类:

      存储器模块

    • 产品:

      SODIMM

    • 存储容量:

      16 GB

    • 产品类型:

      Memory Modules

    • 标准包装:

      100

    为了满足广大客户的即时需求,公司在北京、深圳和香港等地都建立了自己的现货仓库,库存金额已接近一亿人民币。同时,公司通过强大的供货网络,可以随时从世界各地为客户调拨通用或紧...

    • 型号:

      K9F1G08U0E-SCB0

    • 品牌:

      三星

    • 封装:

      tssop

    • 批号:

      17+

    深圳市昊创电有限公司是多家国际半导体厂商在中国的现货供应商。公司目前致力于为广大产业伙伴提供全方位的半导体产品技术服务,公司代理分销ST、NUMONYX、MAXIM、TI、alterA、XILINX、NXP、CYPRESS等国际知名半导体产品,业务涉及CPLD/FPGA各种中高低端及现...

    • 厂家:

      Micron

    • 封装:

      96-FBGA

    • 包装:

      卷带

    • 存储容量:

      4Gb (256M x 16)

    类别 集成电路(IC) 存储器 制造商 Micron Technology Inc. 存储器格式 DRAM 技术 SDRAM - DDR3L 存储容量 4Gb (256M x 16) 时钟频率 800MHz 写周期时间 - 字,页 - 访问时间 13.75ns 存储器接口 并联 电压 - 电源 1.283 V ~ 1.45 V 工作温度 0°C...

    电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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