功率器件

功率器件资讯

Nexperia扩展功率器件产品组合,新增标准和车规级理想二极管

Nexperia宣布为其持续扩展的功率器件产品组合新增两款理想二极管IC。其中,NID5100适用于标准工业和消费应用,而NID5100-Q100已获得认证,可用于汽车应用。这两款理想二极...

分类:新品快报 时间:2024/9/4 阅读:318 关键词:理想二极管

Nexperia为其功率器件产品组合添加了具有出色限流精度的新型大电流eFuse

基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出NPS3102A和NPS3102B电子保险丝(eFuse),进一步扩充其不断发展的功率器件产品组合。这些低电阻(17 mΩ)、大电流(13.5 A)、可复位的电子保险丝有助于保护下游负载,不受过高电压的...

时间:2024/8/8 阅读:36 关键词:半导体

EliteSiC M3S 功率器件,破解电动汽车直流超快速双向充电难题

大部分消费者不买电动汽车,主要是担心充电的便利性以及快速充电的能力,不能确保驾乘体验与传统内燃机(ICE)车辆一样简易流畅。电动汽车充电桩的数量需要大量部署才能满足需求,并确保公共充电站资源能够更加公平合理地分配给驾驶员。 ...

时间:2024/7/24 阅读:56 关键词:半导体

Mitsubishi - 三菱电机功率器件发展史

半导体器件是当今迅速发展的各类电力电子设备不可或缺的组成部分,是促进科技发展、社会进步的重要力量。作为诸多领域技术的创新者,三菱电机在半导体领域扮演着重要的角色。优良的技术、现代化的制造工艺和充足的产能是三菱电机成功的关...

时间:2024/7/16 阅读:42 关键词:三菱电机功率器件

AKM - 与第三代半导体(SiC/GaN)功率器件高度适配、面向电动汽车的电流传感器已经量产,聚焦车载充电器(OBC)、电子保险丝(E-Fuse)等应用

旭化成微电子(AKM)面向汽车应用的全新电流传感器CZ39系列产品已经开始量产。  采用AKM积淀深厚的化合物霍尔元件技术、先进封装技术和ASIC专用集成电路技术,具备响应快、发热低、抗噪声等产品特点。  CZ39系列产品与SiC/GaN功率器...

时间:2024/5/24 阅读:237 关键词:电子

功率器件将成为新的增长点

随着新能源汽车的需求增加,市场对碳化硅的关注度逐渐提高,而与碳化硅同为宽禁带半导体的氮化镓也同样受到企业青睐。  2024年1月,瑞萨电子收购估值约为3.5亿美元的全球...

分类:业界动态 时间:2024/2/19 阅读:276 关键词:碳化硅

NXP恩智浦推出全新的射频功率器件顶部冷却封装技术, 进一步缩小5G无线产品尺寸

·全新射频功率器件顶部冷却封装技术有助于打造尺寸更小巧、轻薄的无线单元,部署5G基站更快、更轻松  ·简化设计和制造,同时保证性能  荷兰埃因霍温,2023年6月6日(全球新闻资讯)——恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V.(纳斯...

时间:2024/1/22 阅读:111 关键词:电子

钻石在高功率器件中大放异彩

在能源意识日益增强的世界中,对具有卓越效率和功率密度的高功率应用的需求正在蓬勃发展。随着硅接近其物理极限,半导体行业正在探索宽带隙 (WBG) 材料,特别是碳化硅 (SiC...

分类:业界动态 时间:2023/11/6 阅读:580 关键词:高功率器件

长飞先进半导体第三代半导体功率器件研发生产基地落户光谷

武汉东湖高新区管委会与长飞先进半导体有限公司签署了第三代半导体功率器件研发生产基地项目合作协议书。 该项目总投资预计超过200亿元,其中项目一期总投资100亿元,可...

分类:名企新闻 时间:2023/8/28 阅读:442 关键词:长飞先进半导体

东芝推出用于直流无刷电机驱动的600V小型智能功率器件

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出两款600V小型智能功率器件(IPD)---“TPD4163F”和“TPD4164F”,可用于空调、空气净化器和泵等直流无刷电机驱...

分类:新品快报 时间:2023/8/25 阅读:534 关键词:无刷电机

功率器件技术

如何改善GaN HEMT 功率器件的短路耐受时间

电机驱动器运行的恶劣环境可能会因逆变器击穿和电机绕组绝缘击穿等故障情况而导致过流水平。功率器件需要在保护检测电路触发和关闭电机驱动所需的时间内承受这些事件。SC ...

设计应用 时间:2024/5/8 阅读:894

半导体功率器件的无铅回流焊

无铅焊料通常是锡/银 (Sn/Ag) 焊料,或 Sn/Ag 焊料的变体。影响焊接工艺的主要区别是 Sn/Ag 焊料比 Sn/Pb 焊料具有更高的熔点。Sn/Ag 共晶 (96.5Sn/3.5Ag) 的熔点比 Sn/Pb ...

设计应用 时间:2023/9/27 阅读:452

适用于高性能功率器件的 SiC 隔离解决方案

使用 SiC 栅极驱动器可以减少 30% 的能量损耗,同时最大限度地延长系统正常运行时间。 Maxim Integrated 推出了一款碳化硅 (SiC) 隔离式栅极驱动器,用于工业市场的高效...

技术方案 时间:2023/8/15 阅读:358

汽车应用中 SiC 和 GaN 功率器件的可靠性和质量要求

半导体在汽车中的使用持续增加。如图1所示,尽管由于疫情造成的全球供应链限制,过去几年新车销量总体下降,但同期汽车内半导体销售收入却有所上升。汽车中半导体价值的增...

设计应用 时间:2023/8/1 阅读:746

用于 GaN 功率器件的集成栅极驱动器

为了开发集成栅极驱动器,一组研究人员1在商用 650V GaN-on-Si 平台上实现了增强型 (E) 模式 GaN 功率开关和基于 GaN 的栅极驱动器的单片集成。这种集成消除了额外的处理步...

设计应用 时间:2023/7/14 阅读:1665

功率器件栅极驱动器要求

图 1 显示了电动汽车牵引逆变器的简化框图。该图中的红色方块代表栅极驱动器及其驱动的相关功率级。该应用中栅极驱动器的一些关键功能包括: 提供隔离。在 HV 侧,栅极驱动器可能会驱动参考 800V 直流总线电压的SiC器件。另一方面,由...

基础电子 时间:2023/6/30 阅读:885

SiC 和 GaN 功率器件的可靠性和质量要求

Innoscience 和其他公司已经超越了标准的可靠性和生产测试来强调部件失效,推断出可以估计 1 ppm 故障率寿命的寿命曲线。动态导通电阻 (R DS(on) ) 作为 GaN 在开关应用中可能的故障模式而被广泛讨论,并且可以被视为材料缺陷的征兆。Inn...

设计应用 时间:2023/5/25 阅读:328

垂直氮化镓鳍式JFET功率器件的短路鲁棒性

氮化镓的优越材料特性推动了其在功率器件应用中的使用。横向高电子迁移率晶体管 (HEMT) 器件已在广泛的电压等级(主要是 650 V 及以下)上实现商业化。与具有类似额定电压的硅和碳化硅器件相比,GaN HEMT的高开关频率能力和更小的器件...

设计应用 时间:2023/3/15 阅读:533

Toshiba - 东芝推出有助于减小贴装面积的智能功率器件

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布推出两款智能功率器件---“TPD2015FN”和“TPD2017FN”,用于可控制电机、螺线管、灯具和其他应用(如工业设备的可编程逻辑控制器)中使用的感性负载的驱动。高边开关(8通道)“TPD2015F...

新品速递 时间:2023/3/10 阅读:525

ST - 意法半导体推出具超强散热能力的车规级表贴功率器件封装ACEPACK SMIT

意法半导体推出了各种常用桥式拓扑的ACEPACK SMIT 封装功率半导体器件。与传统 TO 型封装相比,意法半导体先进的ACEPACK SMIT 封装能够简化组装工序,提高模块的功率密度。 工程师有五款产品可选:两个 STPOWER 650V MOSFET半桥模块、...

新品速递 时间:2023/3/10 阅读:552

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