n 沟道MOSFET-维库电子市场网

Toshiba - 东芝扩展了采用可提高电源效率的新一代工艺的150V N沟道MOSFET产品线

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布推出采用新一代工艺的“U-MOS X-H系列”新产品，扩展了150V N沟道功率MOSFET的产品线。该系列产品适用于通信设备的开...

分类：新品快报时间：2023/4/17 阅读：544 关键词：MOSFET

豪威集团发布业内最低内阻双N沟道MOSFET

电源管理系统要实现高能源转换效率、完善可靠的故障保护，离不开高性能的开关器件。近日，豪威集团全新推出两款MOSFET：业内zui低内阻双N沟道MOSFETWNMD2196A和SGT80VN沟道...

分类：新品快报时间：2022/6/30 阅读：1926

Vishay推出PowerPAK® 8x8L封装60 V和80 V N沟道MOSFET，优异的RDS(ON) 导通电阻低至0.65 mW

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出两款n沟道TrenchFET MOSFET---60 V SiJH600E和80 V SiJH800E，以提高通信和工业应用功率密度、能效和板级可靠性。为实现设计目标，60 V SiJH600E和80 V SiJH800E具...

分类：新品快报时间：2022/2/24 阅读：405 关键词：Vishay

Vishay推出PowerPAK8x8L封装60 V和80 V N沟道MOSFET

日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出两款n沟道TrenchFET?MOSFET——60VSiJH600E和80VSiJH800E，以提高通信和工业应用功率密度、能效和板级可靠性。为实现设计目标...

分类：新品快报时间：2022/2/11 阅读：1211

Vishay推出PowerPAK 8x8L封装60 V和80 V N沟道MOSFET

日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出两款n沟道TrenchFET?MOSFET---60VSiJH600E和80VSiJH800E，以提高通信和工业应用功率密度、能效和板级可...

分类：新品快报时间：2022/2/8 阅读：1237

Vishay推出新款200V N沟道MOSFET的RDS(ON)导通电阻达到业内水平，提高系统功率密度且节省能源

TrenchFET器件典型RDS(ON)为 61 mΩ，优值系数为 854 mΩ*nC，封装面积10.89 mm　　宾夕法尼亚、MALVERN — 2020 年 9 月 23 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新型200V n沟道MOSFET---SiSS94DN...

分类：新品快报时间：2020/12/14 阅读：1004 关键词：Vishay MOSFET

TOREX - XP231N0201TR（30V耐压）, 低导通电阻，高速开关扩大了通用N沟道MOSFET产品阵容

特瑞仕半导体株式会社开发了MOSFET的新产品--XP231N0201TR(30V耐压）。　　此次发售的产品，是具有低导通电阻和高速开关特性的通用N沟道MOSFET产品。该产品可用于各种机器应用，如继电器电路和开关电路。内置了栅极保护二极管作为防静电...

分类：名企新闻时间：2020/3/17 阅读：1690 关键词：MOSFET

TOREX - 低导通电阻，高速开关大了通用N沟道MOSFET产品阵容XP23系列、XP26系列

特瑞仕半导体株式会社（日本东京都中央区董事总经理：芝宫　孝司　东京证券交易所:6616）开发了4种XP23系列（30V耐压）、3种XP26系列（60V耐压）作为MOSFET的新产品。　　此次推出的7种产品均是具有低导通电阻和高速开关特性的通用N沟道...

分类：新品快报时间：2019/6/3 阅读：2369 关键词：MOSFET产品

Linear推出150V快速高压侧受保护的N沟道MOSFET驱动器提供100% 占空比能力

亚德诺半导体 (Analog Devices, Inc.，简称 ADI) 旗下凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 LTC7000/-1，该器件采用高达 150V 的电源电压工作。其内部充电泵全面强化一个外部 N 沟道 MOS...

分类：新品快报时间：2017/7/12 阅读：354 关键词：Linear