SK海力士宣布量产全球首款321层NAND闪存。据新闻稿称，该公司将从 2025 年 1 月开始向客户提供 321 高 1TB 容量的 NAND 闪存。 SK 海力士的 321 层高 NAND 闪存基于该公...
分类：名企新闻 时间：2024/11/22 阅读：192 关键词：SK海力士
特斯拉已向SK海力士和三星提交了HBM4（第六代高带宽存储器）的采购意向，并要求这两家公司提供通用HBM4芯片样品。特斯拉预计将在对比三星电子和SK海力士的样品性能之后，确...
SK海力士报告称，其D-RAM市场份额显着增加，并对半导体设施进行了大量投资，反映出高价值内存产品推动的性能强劲复苏。 今年1月至9月，SK海力士在半导体补充投资上投入...
SK 集团董事长 Chey Tae-won 于 11 月 4 日透露，SK 海力士将把用于 NVIDIA 芯片的高带宽内存 (HBM)4 的供应速度提前六个月，此举突显了两家科技巨头之间不断深化的合作。 Chey 在首尔江南区 COEX 举行的 SK AI Summit 2024 上发表主...
SK海力士于2017年11月推出全球首款16层HBM3E产品。展现其在高带宽内存（HBM）技术方面的领先地位。 SK 海力士首席执行官 Kwak Noh-jung 在首尔江南区 COEX 举行的 SK AI...
分类：新品快报 时间：2024/11/5 阅读：258 关键词：SK 海力士
随着客户订单的激增，SK 海力士正在采用新的工艺技术来提高其第 5 代高带宽存储器 (HBM3E) 12 层的生产率。该策略是生产尽可能多的成品，以迅速满足巨大的需求。 Nextin等...
分类：名企新闻 时间：2024/10/29 阅读：340 关键词：SK海力士
SK海力士的年营业利润有可能超越三星电子半导体。 截至 10 月 25 日，三星电子的市值占韩国股价指数 (KOSPI) 市场上市股票总价值的 15.85%，即 333.7 万亿韩元（2400 亿...
据芯片业内消息人士周四证实，美国电动汽车巨头特斯拉公司正与 SK 海力士公司进行谈判，该公司可能要求订购价值 1 万亿韩元（7.25 亿美元）的企业级固态硬盘 (eSSD)，eSSD ...
SK海力士正在削减其业务生存能力较低的图像传感器和代工业务，通过加强对业务的选择和集中战略，专注于高利润的高带宽存储器（HBM）和AI存储器。 CIS盈利能力不佳 今...
分类：业界动态 时间：2024/10/21 阅读：389 关键词：SK海力士
SK 海力士将于 10 月 24 日公布第三季度财报，预计其业绩将在高带宽内存 (HBM) 持续需求的推动下保持强劲。据财经信息提供商FnGuide称，SK海力士第三季度业绩的共识是营收1...
分类：名企新闻 时间：2024/10/16 阅读：396 关键词：SK 海力士
自举电路也叫升压电路，利用自举升压二极管,自举升压电容等电子元件，使电容放电电压和电源电压叠加，从而使电压升高．有的电路升高的电压能达到数倍电源电压。 升压电...
设计应用 时间：2022/1/18 阅读：616
拆解分析机构TechInsights的分析师探索了第四代3D闪存芯片──海力士(SK Hynix)的256-Gbit 72层TLC NAND，指该芯片具备市场上闸极堆栈的产品。 在SK Hynix的72层(72L) TLC NAND闪存中，所谓的P-BiCS (Pipe-shaped Bit Cost Scalable)...
新品速递 时间：2018/6/12 阅读：752
时隔一年多，在大批锤粉和锤黑的密切关注下，锤子终于发布了坚果手机，虽然大家期待的T2没来，但坚果的高性价比和高逼格仍然吸引了很多评测媒体，大家都陆续奉上了自己的感...
基础电子 时间：2015/9/1 阅读：2341
根据拆解分析机构Techinsights最近对目前市面上先进DRAM存储器单元（cell）技术所做的详细比较分析发现，虽然已有部分预测指出DRAM存储器单元将在30纳米制程遭遇微缩极限，...
基础电子 时间：2013/6/20 阅读：4817
惠普公司今天宣布，已经和韩国海力士半导体达成合作研发协议，双方将共同致力于在未来的产品中使用Memristor忆阻器技术，即使用电阻实现存储的ReRAM（Resistive Random Access Memory电阻式存储器）。 忆阻器技术的研究实际上已有数十...
其它 时间：2011/7/2 阅读：2850
安捷伦(Agilent)科技公司日前宣布：安捷伦与海力士半导体公司(HynixSemiconductorInc.)携手推出一款高带宽、高性能的长线ZIF(零插入力)探针，该探针经过优化，适用于DDR(双数据速率)和GDDR(图形双数据速率)SDRA
新品速递 时间：2009/3/13 阅读：2181
恒忆（Numonyx）宣布与海力士半导体公司达成为期五年的协议，在飞速增长的NAND闪存领域扩展联合开发计划。针对NAND技术在未来五年面临的挑战，两家公司将扩大NAND产品线并共同研发未来产品，进行技术创新。根据新协议，恒忆和海力士将扩...
新品速递 时间：2008/8/19 阅读：1536
根据富比世（Forbes）报导，韩厂海力士（Hynix）推出运作时脉达200Mhz的利基型手持装置用DRAM，号称速度较现有一般手机用的DRAM快上1.5倍，海力士并表示，将推出针对手机平台，结合DRAM与NAND型Flash的多晶片封装（MCP）
新品速递 时间：2007/12/4 阅读：1500
韩国海力士半导体(HynixSemiconductor)开发成功了用于小型高速移动终端的1Gbit移动DRAM。预定2008年第1季度开始量产，主要应用于手机等产品。近来,对能够满足便携电子产品小型化、大容量化、高速化的移动DRAM产品的需求不断扩
新品速递 时间：2007/11/19 阅读：1452
海力士已经同意在其动态随机存储器(DRAM)芯片中采用ISi的Z-RAM技术。采用Z-RAM的DRAM将使用一种单晶体管位单元，来替代多个晶体管和电容器的组合，这代表了自上世纪70年代初发明DRAM来，基本DRAM位单元实现了首次变革。海力士已经获
新品速递 时间：2007/11/15 阅读：1517