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              NSS20601CF8T1G
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NSS20601CF8T1G

更新时间:2024-11-16 10:18:52
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NSS20601CF8T1G的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

NSS20601CF8T1G外观图

  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 单路
  • 系列：-
  • 晶体管类型：NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：6A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：20V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：130mV @ 400mA，4A
  • 电流 - 集电极截止（最大）：-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：200 @ 1A，2V
  • 功率 - 最大：830mW
  • 频率 - 转换：140MHz
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-SMD，扁平引线
  • 供应商设备封装：ChipFET?
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：NSS20601CF8T1GOSTR
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