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MTD10N10EL	文件：345.85 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.22Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTD10N10EL	文件：93.35 Kbytes Page：8 Pages	TMOS E-FET Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTD10N10EL	文件：79.09 Kbytes Page：7 Pages	TMOS E?묯ET Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTD10N10EL_06	文件：79.09 Kbytes Page：7 Pages	TMOS E?묯ET Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTD10N10ELT4	文件：93.35 Kbytes Page：8 Pages	TMOS E-FET Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTD10N10ELT4	文件：79.09 Kbytes Page：7 Pages	TMOS E?묯ET Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTD10N10ELT4G	文件：79.09 Kbytes Page：7 Pages	TMOS E?묯ET Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTP10N10	文件：166.67 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,11A,60-100V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulsecircuits. •LowRDs	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MTP10N10	文件：798.54 Kbytes Page：3 Pages	IRF120-123/IRF520-523MTP10N08/10N10N-ChannelPowerMOSFETs Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulsecircuits. •LowRDs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MTP10N10	文件：798.54 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,11A,60-100V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulsecircuits. •LowRDs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MTP10N10	文件：798.54 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,11A,60-100V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulsecircuits. •LowRDs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MTP10N10	文件：338.75 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMosfets,	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
MTP10N10E	文件：237.95 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFETs10AMPERES100VOLTSRDS(on)=0.25OHM TMOSIVPowerFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate Thisadvanced“E”seriesofTMOSpowerMOSFETsisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thesenewenergyefficientdevicesalsoofferdrain–to–sourcediodeswithfastrecovery	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTP10N10E	文件：242.25 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTP10N10EL	文件：107.39 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET10A,100V,LogicLevel,N?묬hannelTO??20	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTP10N10EL	文件：221.37 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET10AMPERES100VOLTSRDS(on)=0.22OHMS LogicLevelTMOSE-FET™PowerFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSpowerFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thisnewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecovery	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTP10N10ELG	文件：107.39 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET10A,100V,LogicLevel,N?묬hannelTO??20	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTP10N10ELG	文件：937.44 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MTP10N10M	文件：937.33 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
PHD10N10E	文件：76.28 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuuitableforsurfacemounting.ThedeviceisintendedforuseinSwitchedModePowerSupplies(SMPS),motorcontrol,welding,DC/DCandAC/DCconverters,andingeneralpurposeswitchingapplicatio	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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详细参数

型号：
MTD10N10EL
制造商：
ON Semiconductor
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
功能描述：
MOSFET N LOGIC D-PAK

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