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MTD1N60E	文件：266.59 Kbytes Page：10 Pages	TMOS POWER FET 1.0 AMPERE 600 VOLTS RDS(on) = 8.0 OHM TMOSE-FET™PowerFieldEffectTransistor DPAKforSurfaceMount N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.InadditionthisadvancedTMOSE	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTD1N60E	文件：346.55 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=1A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=8Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconve	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTD1N60ET4	文件：1.08608 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MTD1N60ET4G	文件：1.08608 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MTP1N60	文件：175.09 Kbytes Page：5 Pages	PowerFieldEffectTransisterN-ChannelEnhancementModeSiliconGate PowerFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate ThisTMOSPowerFETisdesignedforhighvoltage,highspeedpowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulators,converters,solenoidandrelaydrivers. •SiliconGateforFastSwitchingSpeeds—SwitchingTimesSpecif	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTP1N60	文件：116.84 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMosfetTransistor •DESCRITION •Designedforhighefficiencyswitchmodepowersupply. •FEATURES •DrainCurrent-ID=1A@TC=25°C •DrainSourceVoltage-:VDSS=600V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance:RDS(on)=8Ω(Max) •AvalancheEnergySpecified •FastSwitching •SimpleDriveRequirements	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MTP1N60	文件：301.22 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=1A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=12Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTP1N60E	文件：232.59 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET1.0AMPERES600VOLTSRDS(on)=8.0OHM TMOSE-FETPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhi	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTP1N60E	文件：121.42 Kbytes Page：8 Pages	N?묬hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NDDL1N60Z	文件：113.29 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NDTL1N60Z	文件：113.29 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NFT1N60	文件：1.553 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
NJ1N60	文件：587.15 Kbytes Page：6 Pages	1.2A600VN-CHANNELPOWERMOSFET	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
NJ1N60A-LI	文件：587.15 Kbytes Page：6 Pages	1.2A600VN-CHANNELPOWERMOSFET	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
NJ1N60-BL	文件：587.15 Kbytes Page：6 Pages	1.2A600VN-CHANNELPOWERMOSFET	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
NJ1N60D-LI	文件：587.15 Kbytes Page：6 Pages	1.2A600VN-CHANNELPOWERMOSFET	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
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PHD1N60E	文件：1.08597 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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详细参数

型号：
MTD1N60E
制造商：
MOTOROLA
制造商全称：
Motorola, Inc
功能描述：
TMOS POWER FET 1.0 AMPERE 600 VOLTS RDS(on) = 8.0 OHM

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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