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ATP112-TL-H

P-Channel Power MOSFET

P-ChannelPowerMOSFET –60V,–25A,43mΩ,SingleATPAK Features •ON-resistanceRDS(on)1=33mΩ(typ.) •4Vdrive •Protectiondiodein •InputCapacitanceCiss=1450pF(typ.) •Halogenfreecompliance

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ATP112-TL-H

General-Purpose Switching Device Applications

SANYOSanyo

三洋三洋电机株式会社

AU112

GERMANIUMPOWERTRANSISTORS

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商未分类制造商

B112

1WATTDC-DCCONVERTERS

INTRONICS

Intronics Power, Inc.

B112LP

IonizationDetector

GAMEWELL-FCI

Gamewell-FCI by Honeywell

B112LP

Plug-inDetectorBase

SYSTEMSENSOR

Systemsensor advanced ideas.

BB112

SiliconVariableCapacitanceDiode(ForAMtuningapplicationsSpecifiedtuningrange1??8.0V)

SiliconVariableCapacitanceDiode ●ForAMtuningapplications ●Specifiedtuningrange1…8.0V

SIEMENSSiemens Ltd

西门子德国西门子股份公司

BCL-112

CompressionStyleRingTongueTerminalfor1AWGWire,StudSize1/2,Un-PlatedWidePad

MOLEX4Molex Electronics Ltd.

莫仕公司MOLEX莫仕公司

BCL-112

CompressionStyleRingTongueTerminal

MOLEX4Molex Electronics Ltd.

莫仕公司MOLEX莫仕公司

BCL-112-PL

CompressionStyleRingTongueTerminalfor1AWGWire,StudSize1/2,PlatedWidePad

MOLEX4Molex Electronics Ltd.

莫仕公司MOLEX莫仕公司

BCL-112-PL

CompressionStyleRingTongueTerminal

MOLEX4Molex Electronics Ltd.

莫仕公司MOLEX莫仕公司

BCR112

NPNSiliconDigitalTransistor(Switchingcircuit,inverter,inferfacecircuit,drivercircuit)

NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,inferfacecircuit,drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=4.7kΩ,R2=4.7kΩ)

SIEMENSSiemens Ltd

西门子德国西门子股份公司

BCR112

NPNSiliconDigitalTransistor

NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=4.7kΩ,R2=4.7kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internal isolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

BCR112

NPNSiliconDigitalTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

BCR112

NPNSiliconDigitalTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

BCR112F

NPNSiliconDigitalTransistor

NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=4.7kΩ,R2=4.7kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internal isolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

BCR112F

NPNSiliconDigitalTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

BCR112T

NPNSiliconDigitalTransistor

NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=4.7kΩ,R2=4.7kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internal isolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

BCR112U

NPNSiliconDigitalTransistor

NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=4.7kΩ,R2=4.7kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internal isolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

BCR112W

NPNSiliconDigitalTransistor

NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=4.7kΩ,R2=4.7kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internal isolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

详细参数

  • 型号:

    ATP112-TL-H

  • 功能描述:

    MOSFET SWITCHING DEVICE

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON(安森美)
23+
标准封装
8185
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ON/安森美
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TO-252
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2020+
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80000
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更多ATP112-TL-H供应商 更新时间2024-11-22 16:11:00