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BCR191W分立半导体产品晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF中文资料

BCR191W
厂商型号

BCR191W

参数属性

BCR191W 封装/外壳为SC-70,SOT-323;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3

功能描述

PNP Silicon Digital Transistor
TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3

文件大小

490.37 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

Infineon英飞凌

中文名称

英飞凌科技股份公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-11-28 21:00:00

BCR191W规格书详情

PNP Silicon Digital Transistor

• Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit

• Built in bias resistor (R1 = 22kΩ , R2 = 22kΩ )

• For 6-PIN packages: two (galvanic) internal isolated transistors with good matching in one package

BCR191W属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置。英飞凌科技股份公司制造生产的BCR191W晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置预偏置双极晶体管具有内部电阻器,设计用于在未施加输入信号的情况下将器件保持在偏置或工作点附近。晶体管偏置可使晶体管更有效地工作,并产生稳定、无失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元器件数量,从而可降低项目成本。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    BCR191WH6327XTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    PNP - 预偏压

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 5mA,5V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 500µA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-70,SOT-323

  • 供应商器件封装:

    PG-SOT323

  • 描述:

    TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
24+
SOT323
45000
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SOT323
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