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CEC2609	文件：680.64 Kbytes Page：7 Pages	Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel) 20V,4.8A,RDS(ON)=38mW@VGS=4.5V. FEATURES RDS(ON)=55mW@VGS=2.5V. -20V,-3.0A,RDS(ON)=100mW@VGS=-4.5V. RDS(ON)=145mW@VGS=-2.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant. S2	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEH2609	文件：572.07 Kbytes Page：7 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■20V,3.5A,RDS(ON)=60mΩ@VGS=4.5V. RDS(ON)=80mΩ@VGS=2.5V. ■-20V,-2.5A,RDS(ON)=100mΩ@VGS=-4.5V. RDS(ON)=145mΩ@VGS=-2.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapa	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEH2609A	文件：560.21 Kbytes Page：7 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor(NandPChannel) 20V,4A,RDS(ON)=45mW@VGS=4.5V. FEATURES RDS(ON)=55mW@VGS=2.5V. -20V,-2.8A,RDS(ON)=90mW@VGS=-4.5V. RDS(ON)=120mW@VGS=-2.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
FKN2609	文件：580.45 Kbytes Page：4 Pages	P-Ch20VFastSwitchingMOSFETs Description TheFKN2609isthehighcelldensitytrenched P-chMOSFETs,whichprovidesexcellentRDSON andefficiencyformostofthesmallpower switchingandloadswitchapplications. TheFKN2609meetstheRoHSandGreenProduct requirementwithfullfunctionreliabilityapproved.	FETEKFETek Technology Corp. 台湾东沅东沅科技股份有限公司	FETEK
FKUC2609	文件：591.63 Kbytes Page：4 Pages	P-Ch20VFastSwitchingMOSFETs Description TheFKUC2609isthehighcelldensitytrenched P-chMOSFETs,whichprovidesexcellentRDSON andefficiencyformostofthesmallpower switchingandloadswitchapplications. TheFKUC2609meetstheRoHSandGreen Productrequirementwithfullfunctionreliability approved.	FETEKFETek Technology Corp. 台湾东沅东沅科技股份有限公司	FETEK
IRS2609DSPBF	文件：820.64 Kbytes Page：25 Pages	HALF-BRIDGEDRIVER	IRF International Rectifier	IRF
IRS2609DSPBF	文件：831.8 Kbytes Page：25 Pages	HALF-BRIDGEDRIVER	IRF International Rectifier	IRF
IRS2609DSPBF	文件：1.03023 Mbytes Page：23 Pages	HALF-BRIDGEDRIVER	IRF International Rectifier	IRF
IRS2609DSTRPbF	文件：1.03023 Mbytes Page：23 Pages	HALF-BRIDGEDRIVER	IRF International Rectifier	IRF
KSC2609A	文件：50.96 Kbytes Page：5 Pages	AudioFrequencyHighFrequencyPowerAmplifier AudioFrequency HighFrequencyPowerAmplifier •ComplementtoKSA1220/KSA1220A	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
LM2609	文件：1.44456 Mbytes Page：6 Pages	NandP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
LTC2609	文件：318.58 Kbytes Page：20 Pages	Quad16-/14-/12-BitRail-to-RailDACswithI2CInterface	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER
LTC2609CGN	文件：318.58 Kbytes Page：20 Pages	Quad16-/14-/12-BitRail-to-RailDACswithI2CInterface	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER
LTC2609CGNPBF	文件：251.52 Kbytes Page：22 Pages	Quad16-/14-/12-BitRail-to-RailDACswithI2CInterface	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER
LTC2609CGNTRPBF	文件：251.52 Kbytes Page：22 Pages	Quad16-/14-/12-BitRail-to-RailDACswithI2CInterface	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER
LTC2609IGN	文件：318.58 Kbytes Page：20 Pages	Quad16-/14-/12-BitRail-to-RailDACswithI2CInterface	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER
LTC2609IGNPBF	文件：251.52 Kbytes Page：22 Pages	Quad16-/14-/12-BitRail-to-RailDACswithI2CInterface	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER
LTC2609IGNTRPBF	文件：251.52 Kbytes Page：22 Pages	Quad16-/14-/12-BitRail-to-RailDACswithI2CInterface	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER
MAX2609	文件：312.47 Kbytes Page：15 Pages	45MHzto650MHz,IntegratedIFVCOswithDifferentialOutput	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MAX2609	文件：324.77 Kbytes Page：15 Pages	IntegratedIFVCOswithDifferentialOutput	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim

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更多CEC2609供应商更新时间2024-11-21 17:00:00

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