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CEF08N6A	文件：607.32 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
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CEP08N6A	文件：380.82 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES TypeVDSSRDS(ON)ID@VGS CEP08N6A600V1.25Ω7.5A10V CEB08N6A600V1.25Ω7.5A10V CEF08N6A600V1.25Ω7.5A10V ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Le	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
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