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ENA2118A	文件：58.25 Kbytes Page：5 Pages	AF Control LSI	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
ENA2118A	文件：55.82 Kbytes Page：5 Pages	AF Control LSI	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
FM2118	文件：179.88 Kbytes Page：7 Pages	SinglelithiumbatteryprotectionIC	FUMANSHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 富满微电子深圳市富满微电子集团股份有限公司	FUMAN
FTD2118	文件：330.64 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●LowVCE(sat). ●ExcellentDCCurrentGainCharacteristics.	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTD2118I	文件：354.01 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●LowVCE(sat). ●ExcellentDCCurrentGainCharacteristics.	FS First Silicon Co., Ltd	FS
GSC2118	文件：543.56 Kbytes Page：7 Pages	1.5ACMOSLOWDROPOUTVOLTAGEREGULATOR Description TheGSC2118ofpositive,linearregulatorfeaturelowgroundcurrent(45μAtyp.)withlowdropoutvoltage,makingthemidealforbatteryapplications. Outputvoltagesaresetatthefactoryandtrimmedto1.5accuracy. TheseruggeddeviceshavebothThermalShutdown,andCurrentFo	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
GSC2118	文件：550.87 Kbytes Page：7 Pages	1.5ACMOSLowDropoutVoltageRegulator	ETLE-Tech Electronics LTD 亚历电子亚历电子有限公司	ETL
GUE2118	文件：137.01 Kbytes Page：3 Pages	USB2.0BoosterExtensionCable-39ft(TAACompliant)	IOGEAR iogear	IOGEAR
HSD2118J	文件：55.05 Kbytes Page：5 Pages	LOWVCE(sat)TRANSISTOR(20V,5A) Feature •LowVCE(sat),VCE(sat)=0.6V(Typ.)(IC=4A/IB=0.1A) •ExcellentDCCurrentGainCharacteristic •ComplementstheHSB1386J Structure EpitaxialPlanarTypeNPNSiliconTransistor	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC
HY2118	文件：1.59174 Mbytes Page：33 Pages	BatteryPacksProtectionICs	HYCONHYCON inc 纮康科技纮康科技公司	HYCON
IR2118	文件：272.83 Kbytes Page：18 Pages	Gatedrivesupplyrangefrom10to20V Description TheIR2117/IR2118(S)isahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriver.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOSoutputs.Theoutputdriverfeaturesahighpulsecurrentbuf	IRF International Rectifier	IRF
IR2118	文件：161.12 Kbytes Page：18 Pages	SINGLECHANNELDRIVER Description TheIR2117/IR2118(S)isahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriver.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOSoutputs.Theoutputdriverfeaturesahighpulsecurrentbuf	IRF International Rectifier	IRF
IR2118	文件：264.88 Kbytes Page：7 Pages	SINGLECHANNELDRIVER Description TheIR2117/IR2118(S)isahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriver.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOSoutputs.Theoutputdriverfeaturesahighpulsecurrentbuf	IRF International Rectifier	IRF
IR2118	文件：269.58 Kbytes Page：18 Pages	SINGLECHANNELDRIVER	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IR2118PBF	文件：161.12 Kbytes Page：18 Pages	SINGLECHANNELDRIVER Description TheIR2117/IR2118(S)isahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriver.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOSoutputs.Theoutputdriverfeaturesahighpulsecurrentbuf	IRF International Rectifier	IRF
IR2118S	文件：161.12 Kbytes Page：18 Pages	SINGLECHANNELDRIVER Description TheIR2117/IR2118(S)isahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriver.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOSoutputs.Theoutputdriverfeaturesahighpulsecurrentbuf	IRF International Rectifier	IRF
IR2118S	文件：269.58 Kbytes Page：18 Pages	SINGLECHANNELDRIVER	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IR2118SPBF	文件：161.12 Kbytes Page：18 Pages	SINGLECHANNELDRIVER Description TheIR2117/IR2118(S)isahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriver.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOSoutputs.Theoutputdriverfeaturesahighpulsecurrentbuf	IRF International Rectifier	IRF
IR2118STRPBF	文件：267.4 Kbytes Page：18 Pages	SINGLECHANNELDRIVER Description TheIR2117/IR2118(S)isahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriver.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOSoutputs.Theoutputdriverfeaturesahighpulsecurrentbuf	IRF International Rectifier	IRF
IRS2118	文件：902.78 Kbytes Page：26 Pages	SINGLECHANNELDRIVER Description TheIRS2117,IRS21171,andIRS2118arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriver.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOSoutputs.Theoutputdriverfeaturesahighpul	IRF International Rectifier	IRF

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更多ENA2118A供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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