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HM10N10KA	文件：604.48 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM10N10Q	文件：860.35 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
JMT10N10A	文件：337.602 Kbytes Page：10 Pages		JJWJieJie Microelectronics Co., Ltd. 捷捷微江苏捷捷微电子股份有限公司 PDF上传者：深圳市溢航科技有限公司	JJW
MCU10N10	文件：502.61 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MTD10N10EL	文件：345.85 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.22Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTD10N10EL	文件：79.09 Kbytes Page：7 Pages	TMOSE?묯ETPowerFieldEffectTransistorDPAKforSurfaceMount	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTD10N10EL	文件：93.35 Kbytes Page：8 Pages	TMOSE-FETPowerFieldEffectTransistorDPAKforSurfaceMount	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTP10N10	文件：798.54 Kbytes Page：3 Pages	IRF120-123/IRF520-523MTP10N08/10N10N-ChannelPowerMOSFETs Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulsecircuits. •LowRDs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MTP10N10	文件：798.54 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,11A,60-100V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulsecircuits. •LowRDs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MTP10N10	文件：798.54 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,11A,60-100V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulsecircuits. •LowRDs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MTP10N10	文件：338.75 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMosfets,	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
MTP10N10	文件：166.67 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,11A,60-100V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulsecircuits. •LowRDs	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MTP10N10E	文件：237.95 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFETs10AMPERES100VOLTSRDS(on)=0.25OHM TMOSIVPowerFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate Thisadvanced“E”seriesofTMOSpowerMOSFETsisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thesenewenergyefficientdevicesalsoofferdrain–to–sourcediodeswithfastrecovery	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTP10N10E	文件：242.25 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTP10N10EL	文件：107.39 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET10A,100V,LogicLevel,N?묬hannelTO??20	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTP10N10EL	文件：221.37 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET10AMPERES100VOLTSRDS(on)=0.22OHMS LogicLevelTMOSE-FET™PowerFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSpowerFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thisnewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecovery	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTP10N10ELG	文件：107.39 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET10A,100V,LogicLevel,N?묬hannelTO??20	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTP10N10ELG	文件：937.44 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MTP10N10M	文件：937.33 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
PHD10N10E	文件：76.28 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuuitableforsurfacemounting.ThedeviceisintendedforuseinSwitchedModePowerSupplies(SMPS),motorcontrol,welding,DC/DCandAC/DCconverters,andingeneralpurposeswitchingapplicatio	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市弘扬芯城科技有限公司	HM10N10K-VB	VBsemi(微碧)	23+	TO252	5000	诚信服务，绝对原装原盘	询价
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深圳市创新迹电子有限公司	HM10N60	HMSEMI	23+	TO-220	6800	专注配单,只做原装进口现货	询价
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更多HM10N10KA供应商更新时间2024-11-22 18:30:00

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