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HRP180N10K	文件：921.24 Kbytes Page：8 Pages	100V N-Channel Trench MOSFET	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
IXFE180N10	文件：78.29 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFET-TMPowerMOSFET HiPerFETPowerMOSFET SingleDieMOSFET Features •ConformstoSOT-227Boutline •EncapsulatingepoxymeetsUL94V-0,flammabilityclassification •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance •	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFK180N10	文件：111.52 Kbytes Page：4 Pages	SingleMOSFETDie VDSS=100V ID25=180A RDS(on)≤8mΩ SingleMOSFETDie N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features InternationalStandardPackages HighCurrentHandlingCapability AvalancheRated LowRDS(on)HDMOSTMProcess Fastintrinsicdiode	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFN180N10	文件：524.44 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=180A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=8mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·DC-DCConverters ·SynchronousRectification ·LowVoltagerelays ·BatteryChargers	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFN180N10	文件：144.35 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFN180N10	文件：84.32 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETSingleMOSFETDie HiPerFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicRectifier Features •InternationalStandardPackage •miniBLOC,withAluminiumNitrideIsolation •Dynamicdv/dtRating •AvalancheRated •FastIntrinsicRectifier •LowRDS(on) •LowDrain-to-TabCapacitan	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFR180N10	文件：33.22 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsISOPLUS247 VDSS=100V ID25=165A RDS(on)=8mΩ trr≤250ns SingleMOSFETDie Features •SiliconchiponDirect-Copper-Bondsubstrate -Highpowerdissipation -Isolatedmountingsurface -2500Velectricalisolation •Lowdraintotabcapacitance(	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFR180N10	文件：330.63 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=180A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=8mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFX180N10	文件：368.03 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=180A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=8mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFX180N10	文件：154.87 Kbytes Page：5 Pages	HiperFETPowerMOSFETs	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFX180N10	文件：111.52 Kbytes Page：4 Pages	SingleMOSFETDie VDSS=100V ID25=180A RDS(on)≤8mΩ SingleMOSFETDie N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features InternationalStandardPackages HighCurrentHandlingCapability AvalancheRated LowRDS(on)HDMOSTMProcess Fastintrinsicdiode	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTA180N10T	文件：300.11 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTA180N10T	文件：160.56 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated TrenchMV™PowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features •Ultra-lowOnResistance •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect •175°COperatingTemperature Advantages •Easytomount •Spacesavings •High	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTC180N10T	文件：297.29 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTH180N10T	文件：384.16 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTH180N10T	文件：210.65 Kbytes Page：5 Pages	PreliminaryTechnicalInformation	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTP180N10T	文件：295.94 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTQ180N10T	文件：301.32 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NDBA180N10B	文件：727.68 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NDBA180N10B	文件：345.15 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=180A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.3mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多HRP180N10K供应商更新时间2024-11-22 16:33:00

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