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IXGH48N60A3D1	文件：169.23 Kbytes Page：7 Pages	GenX3 600V IGBT with Diode UltraLowVsatPTIGBTfor upto5kHzswitching Features •Optimizedforlowconductionlosses •SquareRBSOA •Anti-parallelultrafastdiode •Internationalstandardpackage Advantages •Highpowerdensity •Lowgatedriverequirement Applications •PowerInverters •UPS •MotorDri	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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IXGH48N60A3D1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 300W TO247AD	IXYS IXYS Corporation	IXYS

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IXGH48N60A3D1

文件：169.23 Kbytes

Page：7 Pages

GenX3 600V IGBT with Diode

UltraLowVsatPTIGBTfor upto5kHzswitching Features •Optimizedforlowconductionlosses •SquareRBSOA •Anti-parallelultrafastdiode •Internationalstandardpackage Advantages •Highpowerdensity •Lowgatedriverequirement Applications •PowerInverters •UPS •MotorDri

IXYS

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600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications

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包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 300W TO247AD

IXYS

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产品属性

产品编号：
IXGH48N60A3D1
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
GenX3™
包装：
管件
IGBT 类型：
PT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.35V @ 15V，32A
开关能量：
950µJ（开），2.9mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
25ns/334ns
测试条件：
480V，32A，5 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247AD
描述：
IGBT 600V 300W TO247AD

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更多IXGH48N60A3D1供应商更新时间2024-11-19 16:18:00

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