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STD25NF10LA

文件：329.77 Kbytes

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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=25A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=35mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

STD25NF10LA

文件：858.34 Kbytes

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N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features VDS=100V,ID=40A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

STD25NF10LA

文件：656.37 Kbytes

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N-channel 100 V, 0.030 廓, 25 A DPAK STripFET??II Power MOSFET

Description ThisPowerMOSFEThasbeendevelopedusingSTMicroelectronics’uniqueSTripFETprocess,whichisspecificallydesignedtominimizeinputcapacitanceandgatecharge.Thisrendersthedevicesuitableforuseasprimaryswitchinadvancedhigh-efficiencyisolatedDC-DCconvertersfor

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STD25NF10LA

文件：984.89 Kbytes

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N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

STD25NF10

文件：437.02 Kbytes

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N-CHANNEL100V-0.033ohm-25ADPAKLOWGATECHARGESTripFET??POWERMOSFET

DESCRIPTION ThisPowerMosfetseriesrealizedwithSTMicroelectronicsuniqueSTripFETprocesshasspecificallybeendesignedtominimizeinputcapacitanceandgatecharge.Itisthereforesuitableasprimaryswitchinadvancedhigh-efficiencyisolatedDC-DCconvertersforTelecomandComputerapp

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STD25NF10L

文件：451.74 Kbytes

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N-CHANNEL100V-0.030ohm-25ADPAKLOWGATECHARGESTripFET??IIPOWERMOSFET

DESCRIPTION ThisMOSFETseriesrealizedwithSTMicroelectronicsuniqueSTripFETprocesshasspecificallybeendesignedtominimizeinputcapacitanceandgatecharge.Itisthereforesuitableasprimaryswitchinadvancedhighefficiency,high-frequencyisolatedDC-DCconvertersforTelecomand

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

详细参数

  • 型号：

    STD25NF10LA

  • 功能描述：

    MOSFET 100 V Mosfet 35 RDS 25A D2PAK

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性：

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压：

    650 V

  • 闸/源击穿电压：

    25 V

  • 漏极连续电流：

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安装风格：

    Through Hole

  • 封装/箱体：

    Max247

  • 封装：

    Tube

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深圳市华鑫创达电子有限公司
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STD25NF10LA
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TO-252
47500
原装正品现货、支持第三方检验、终端BOM表可配单提供
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深圳市柏芯特电子科技有限公司
STD25NF10LA
ST/意法半导体
2023
TO-252-3
6000
公司原装现货/支持实单
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更多STD25NF10LA供应商 更新时间2024-5-28 21:36:00

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