SPW07N60CFD数据手册供应代理无锡固电ISC-114ic电子网

首页 >SPW07N60CFD>规格书列表

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业	LOGO
SPW07N60CFD	文件：673.02 Kbytes Page：13 Pages	CoolMOS Power Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPW07N60CFD	文件：335.29 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor •DESCRITION •Highpeakcurrentcapability •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤700mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
07N60CFD	文件：2.15004 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
CJP07N60	文件：1.00382 Mbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
CJP07N60	文件：398.75 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
CJPF07N60	文件：1.029869 Mbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
CJPF07N60	文件：1.70485 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
CMT07N60	文件：221.33 Kbytes Page：7 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR [ChampionMicroelectronicCorporation] GENERALDESCRIPTION ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalanc	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
FSA07N60A	文件：54.71 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancement InPowerProductLines	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
FTA07N60C	文件：54.71 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancement InPowerProductLines	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
H07N60	文件：61.51 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerFieldEffectTransistor Description ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegratdingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficient	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC
H07N60E	文件：61.51 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerFieldEffectTransistor Description ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegratdingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficient	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC
H07N60F	文件：61.51 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerFieldEffectTransistor Description ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegratdingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficient	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC
ISPP07N60CFD	文件：338.65 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRIPTION •Ultralowgatecharge •Highpeakcurrentcapability •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.7Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ISPW07N60CFD	文件：335.29 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Highpeakcurrentcapability •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤700mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MH07N60CT	文件：1.40092 Mbytes Page：8 Pages	600VSiliconN-ChannelPowerMOSFET	CITCChip Integration Technology Corporation 竹懋科技竹懋科技股份有限公司	CITC
MHF07N60CT	文件：4.21888 Mbytes Page：8 Pages	600VSiliconN-ChannelPowerMOSFET	CITCChip Integration Technology Corporation 竹懋科技竹懋科技股份有限公司	CITC
MJU07N60CT	文件：302.39 Kbytes Page：7 Pages	600VSuperJunctionPowerMOSFET	CITCChip Integration Technology Corporation 竹懋科技竹懋科技股份有限公司	CITC
SPA07N60CFD	文件：348.3 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOSTMPowerTransistorFeaturesIntrinsicfast-recoverybodydiode Features •Intrinsicfast-recoverybodydiode •Extremelylowreverserecoverycharge •Ultralowgatecharge •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications CoolMOSCFDdesignedfor: •SoftswitchingPWMStages •LCD&CR	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPA07N60CFD	文件：260.54 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTO-220Fpackage •Lowinputcapacitanceandgatecharge •Lowgateinputresistance •Reducedswitchingandconductionlosses •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplication	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

12 >>>

详细参数

型号：
SPW07N60CFD
功能描述：
MOSFET COOL MOS PWR TRANS 650V 0.7 Ohms
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市朱博士电子科技有限公司	SPW07N60CFD	INF	2405+	原厂封装	15000	15年芯片行业经验/只供原装正品:0755-83267371邹小姐	询价
深圳市特莱科技有限公司	SPW07N60CFD	INFINEON/英飞凌	21+23+	TO-247	4255	16年电子元件现货供应商终端BOM表可配单提供样品	询价
深圳市富芯乐电子科技有限公司	SPW07N60CFD	INF	23+	TO-247	50000	全新原装现货特价销售,欢迎来电查询	询价
深圳市一线半导体有限公司	SPW07N60CFD	INFINEON	24+	PG-TO247-3	8866		询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	SPW07N60CFD	INFINEON	2016+	SOP	6528	只做原厂原装现货!终端客户个别型号可以免费送样品!	询价
深圳市壹芯创科技有限公司	SPW07N60CFD	INFINEON	22+	TO-247	8000	原装现货库存.价格优势	询价
深圳市华斯顿科技有限公司	SPW07N60CFD	INF	22+23+	TO-247	19734	绝对原装正品全新进口深圳现货	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	SPW07N60CFD	INFINEON	20+	TO-247	36900	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
深圳市正纳电子有限公司	SPW07N60CFD	infineon technologies	23+	NA	25987	原装现货库存特价/长期供应元器件代理经销	询价
深圳市金芯阳科技有限公司	SPW07N60CFD	SANSUNG	2021++	三星	8000	原装正品价格优势!欢迎询价QQ:385913858TEL:15	询价

更多SPW07N60CFD供应商更新时间2024-11-22 13:30:00

详细参数

相关规格书

相关库存