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SPW15N60CFD	文件：700.63 Kbytes Page：14 Pages	Intrinsic fast-recovery body diode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPW15N60CFD	文件：335.59 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
15N60	文件：165.12 Kbytes Page：6 Pages	15Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET DESCRIPTION TheUTC15N60isanN-channelmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecostumerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyisspecializedinallowingaminimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstandhighenergypu	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
15N60	文件：1.0671 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
15N60	文件：185.37 Kbytes Page：6 Pages	15A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
15N60	文件：49.33 Kbytes Page：2 Pages	HighSwitchingSpeed	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
15N60CFD	文件：543.38 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOSPowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
15N60-MT	文件：742.82 Kbytes Page：8 Pages	15A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC15N60-MTisahighvoltageandhighcurrentpower MOSFET,designedtohavebettercharacteristics,suchasfast switchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandahigh ruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusually usedathighspeedswitching	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
AIHD15N60RF	文件：1.75601 Mbytes Page：16 Pages	IGBTwithintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
CEB15N60LN	文件：532.82 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEB15N60SA	文件：449.69 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CED15N60LN	文件：511.86 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 600V,13.6A,RDS(ON)=0.28W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CED15N60SA	文件：524.94 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 650V@TJmax,13.4A,RDS(ON)=0.28W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEF15N60LN	文件：532.82 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
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CEP15N60LN	文件：532.82 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
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CEU15N60LN	文件：511.86 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 600V,13.6A,RDS(ON)=0.28W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEU15N60SA	文件：524.94 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 650V@TJmax,13.4A,RDS(ON)=0.28W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
DTGF15N60	文件：1.79448 Mbytes Page：9 Pages	FastSwitching Features LowVesa FastSwitching HighRuggedness Short-circuitRated Applications HomeAppliances ompressors/AirConditioning MotorControl GeneralPurposeInverters	DINTEK DinTek Semiconductor Co,.Ltd	DINTEK

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详细参数

型号：
SPW15N60CFD
功能描述：
MOSFET COOL MOS PWR TRANS 650V 0.330 Ohms
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	SPW15N60CFD	Infineon(英飞凌)	23+	-	7793	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
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更多SPW15N60CFD供应商更新时间2024-11-22 16:12:00

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