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SPW11N60CFD	文件：335.24 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor •DESCRITION •Highpeakcurrentcapability •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤440mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPW11N60CFD	文件：152.55 Kbytes Page：12 Pages	Cool MOS??Power Transistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •Intrinsicfast-recoverybodydiode •Extremelowreverserecoverycharge •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Qualifiedaccordi	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPW11N60CFD	文件：753.64 Kbytes Page：13 Pages	Cool MOS??Power Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPW11N60CFD_08	文件：753.64 Kbytes Page：13 Pages	Cool MOS??Power Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
11N60	文件：1.85356 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
11N60CFD	文件：1.03276 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
11N60E	文件：1.94216 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
11N60K-MT	文件：220.51 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELDEPLETION-MODEPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
AOB11N60	文件：297.95 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOB11N60	文件：1.10675 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOB11N60	文件：450.01 Kbytes Page：5 Pages	600V,11AN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOB11N60	文件：450.01 Kbytes Page：5 Pages	600V,11AN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOB11N60L	文件：1.10579 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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AOT11N60	文件：551.22 Kbytes Page：6 Pages	600V,11AN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAOT11N60&AOTF11N60havebeenfabricatedusinganadvancedhighvoltageMOSFETprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinpopularAC-DCapplications.ByprovidinglowRDS(on),CissandCrssalongwithguaranteedavalanchecapabilit	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOT11N60	文件：304.45 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOT11N60	文件：1.03218 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOTF11N60	文件：295.16 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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AOW11N60	文件：342.9 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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详细参数

型号：
SPW11N60CFD
功能描述：
MOSFET COOL MOS N-CH 650V 11A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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