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1N5819G	文件：116.38 Kbytes Page：3 Pages	1 Amp Schottky Rectifier 1AmpSchottkyRectifier ●SchottkyBarrierRectifier ●GuardRingProtection ●LowForwardVoltage ●HighReliability ●HighCurrentCapability	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5819G	文件：75.98 Kbytes Page：7 Pages	Axial Lead Rectifiers AxialLeadRectifiers ThisseriesemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeatureschromebarriermetal,epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow−volt	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
1N5819G	文件：249.43 Kbytes Page：9 Pages	Axial Lead Rectifiers SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS 1.0 AMPERE 20, 30 and 40 VOLTS ThisseriesemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargearea metal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeatures chromebarriermetal,epitaxialconstructionwithoxidepassivation andmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersin low−voltage,high−frequency	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
1N5819G	文件：523.69 Kbytes Page：4 Pages	Schottky barrier diode	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
1N5819G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：DO-204AL，DO041，轴向类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：SMALL-SIGNAL SCHOTTKY	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
1N5819G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：DO-204AL，DO-41，轴向类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 40V 1A AXIAL	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
1N5819G-CA2-R	文件：201.99 Kbytes Page：4 Pages	SCHOTTKY BARRIER DIODE	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
1N5819G-CA2-R	文件：212.14 Kbytes Page：4 Pages	SCHOTTKY BARRIER DIODE	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
1N5819H	文件：51.96 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS VOLTAGE20to40VoltsCURRENT1.0Ampere FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-Outilizing FlameRetardantEpoxyMoldingCompound. •ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 •Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,f	PANJITPan Jit International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
1N5819HS	文件：560.56 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountSchottkyBarrierRectifier	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
1N5819HW	文件：103.31 Kbytes Page：4 Pages	1.0ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features •GuardRingDieConstructionforTransientProtection •LowPowerLoss,HighEfficiency •HighSurgeCapability •HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop •ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,Free Wheeling,andPolarityProtectionApplication •Lead,Hal	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
1N5819HW	文件：82.75 Kbytes Page：3 Pages	1.0ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
1N5819HW	文件：61.61 Kbytes Page：5 Pages	1.0ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER DescriptionandApplications ThedeviceisasinglerectifierofferinglowVFandexcellenthightemperaturestability.Thisdeviceisidealforuseingeneralrectificationapplications: •ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters •FreeWheeling •PolarityProtectionApplication Feat	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
1N5819HW	文件：297.32 Kbytes Page：5 Pages	1.0ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
1N5819HW	文件：399.22 Kbytes Page：5 Pages	1.0ASURFACE-MOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER FeaturesandBenefits HighSurgeCapability LowPowerLoss,HighEfficiency HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop GuardRingDieConstructionforTransientProtection TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
1N5819HW-FDICT-ND	文件：1.13333 Mbytes Page：30 Pages	LAUNCHXL-F28379DOverview	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
1N5819HWQ	文件：318.66 Kbytes Page：5 Pages	1.0ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features HighSurgeCapability LowPowerLoss,HighEfficiency HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop GuardRingDieConstructionforTransientProtection TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) Qu	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
1N5819HWQ	文件：399.22 Kbytes Page：5 Pages	1.0ASURFACE-MOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER FeaturesandBenefits HighSurgeCapability LowPowerLoss,HighEfficiency HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop GuardRingDieConstructionforTransientProtection TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
1N5819L	文件：152.37 Kbytes Page：2 Pages	1.0AMPSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS VOLTAGERANGE20to40VoltsCURRENT1.0Ampere FEATURES Lowforwardvoltagedrop Highcurrentcapability Highreliability Highsurgecurrentcapability *Epitaxialconstruction	BYTES Bytes	BYTES
1N5819-LFR	文件：120.94 Kbytes Page：2 Pages	1ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS FEATURES ●UL94V0FLAMERETARDANTEPOXYMOLDINGCOMPOUND ●EXTREMELYLOWVF ●LOWPOWERLOSS/HIGHEFFICIENCY ●LOWSTOREDCHARGE,MAJORITYCARRIERCONDUCTION ●LEADFREE	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER

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产品属性

产品编号：
1N5819G
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
1A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AL，DO041，轴向
供应商器件封装：
DO-41
工作温度 - 结：
-65°C ~ 150°C
描述：
SMALL-SIGNAL SCHOTTKY

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多1N5819G供应商更新时间2024-11-22 22:59:00

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