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AT28LV010

更新时间:2024-11-04 22:20:57
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AT28LV010 相关资料

  • 其它信息：

    单电源电压：3.3V±10%；快速读取时间：200ns；自动页写周期：内部地址和数据锁存；快速字节写时间：页写周期时间：10ms（最大值），1～128字节页写操作；低功耗：正常工作时电流：15mA，CMOS待机电流：20μA；硬件和软件写保护；高可靠性CMOS技术：100000次循环擦写周期，10年数据保留时间；商业级和工业级温度范围

  • 引脚图：

    AT28LV010引脚图

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  • 大小：159.32KB
  • 厂家：ATMEL [ATMEL Corporation]
  • 描述：1 Megabit 128K x 8 Low Voltage Paged CMOS E2PROM
AT28LV010 相关信息
  • 简述嵌入式系统的高速度大容量非易失随机数据存储
    ...并行的E.PROM和SPI、I2C、1-wire等串行E2PROM.器件命名常带"C",如"25C".并行E2PROM容量在2~512 KB,速度为100~300 ns,如Atmel公司的5 V/512 KB的AT28C020、3.3 V/128 KB 的 AT28LV010、 3 V/64 KB 的AT28BV256,以及Mcrochip公司的28C04/16/17/32/64A等。 1一wire串行E2PROM多为低功耗器件，6或8脚的SO、SOT、TSOC或CSP封装，容量为256位~4 Kb,"页"模式写操...
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