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IPS04N03LBG

更新时间:2024-10-31 04:50:43
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IPS04N03LBG的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准
  • 制造商：Infineon
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：30 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 20 V
  • 漏极连续电流：50 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：4.3 m Ohms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 175 C
  • 安装风格：Through Hole
  • 封装 / 箱体：TO-251
  • 封装：Tube
  • 下降时间：6 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：115 W
  • 上升时间：10 ns
  • 典型关闭延迟时间：43 ns
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