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IPW50R199CP

更新时间:2024-11-18 08:46:00
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IPW50R199CP外观图

  • 数据列表:IPW50R199CP
  • 产品培训模块:CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
  • 标准包装:240
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:CoolMOS™
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):550V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:17A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:199 毫欧 @ 9.9A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):3.5V @ 660µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:45nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:1800pF @ 100V
  • 功率 - 最大:139W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-247-3
  • 供应商设备封装:PG-TO247-3
  • 包装:管件
  • 其它名称:SP000236096

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