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IRF3710

更新时间:2024-11-22 05:50:19
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IRF3710的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

IRF3710外观图

  • 典型关断延迟时间：45 ns
  • 典型接通延迟时间：12 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs：130 nC V @ 80
  • 典型输入电容值@Vds：3130 pF V @ 25
  • 安装类型：通孔
  • 宽度：4.69mm
  • 封装类型：TO-220AB
  • 尺寸：10.54 x 4.69 x 8.77mm
  • 引脚数目：3
  • 最低工作温度：-55 °C
  • 最大功率耗散：200000 mW
  • 最大栅源电压：±20 V
  • 最大漏源电压：100 V
  • 最大漏源电阻值：0.023
  • 最大连续漏极电流：57 A
  • 最高工作温度：+175 °C
  • 每片芯片元件数目：1
  • 类别：功率 MOSFET
  • 通道模式：增强
  • 通道类型：N
  • 配置：单
  • 长度：10.54mm
  • 高度：8.77mm
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