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              IXBH6N170
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IXBH6N170

更新时间:2024-11-23 13:15:38
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IXBH6N170外观图

  • 大小：113.61KB
  • 厂家：IXYS [IXYS Corporation]
  • 描述：High Voltage, High Gain BIMOSFET⑩ Monolithic Bipolar MOS Transistor
  • 标准包装：30
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：IGBT - 单路
  • 系列：BIMOSFET™
  • IGBT 类型：-
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1700V
  • Vge, Ic时的最大Vce（开）：3.4V @ 15V，6A
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：12A
  • 功率 - 最大：75W
  • 输入类型：标准型
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-247-3
  • 供应商设备封装：TO-247
  • 包装：管件
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