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              IXTQ18N60P
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IXTQ18N60P

更新时间:2024-11-24 21:39:46
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IXTQ18N60P外观图

  • 标准包装：30
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：PolarHV™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：18A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：420 毫欧 @ 9A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：5.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：49nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：2500pF @ 25V
  • 功率 - 最大：360W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3
  • 供应商设备封装：TO-3P
  • 包装：管件
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