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NSS12200WT1G

更新时间:2024-11-25 14:10:03
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NSS12200WT1G外观图

  • 产品培训模块:Low Vce(sat) BJT Power Savings
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路
  • 系列:-
  • 晶体管类型:PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):2A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):12V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):290mV @ 20mA,1A
  • 电流 - 集电极截止(最大):100nA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):100 @ 800mA,1.5 V
  • 功率 - 最大:450mW
  • 频率 - 转换:100MHz
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商设备封装:SC-88
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:NSS12200WT1G-ND
NSS12200WT1G 相关信息
  • 安森美推出全新系列高性能VCE(sat)BJT
    ...减少特定应用中的器件数量,这些新型晶体管可进一步缩减材料单(BOM)。如在提供低于1.0伏(V)的低导通电压后,就无需典型的电荷泵 。由于它们具有双向阻塞能力,所以也无需阻塞二极管。 PNP 器件 NSS12200WT1G 12 V, 3.0 A, 163 milliohm (SC-88) NSS30070MR6T1G 30 V, 0.7 A, 320 milliohm (SC-74) NSS35200CF8T1G 35 V, 7.0 A, 78 milliohm (Chip-FET) NSS40400CF8T1G 40 V, 7.0 A, 78 mi...
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