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NTB45N06T4G

更新时间:2024-11-22 12:10:00
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  • 大小:81.4KB
  • 厂家:ON Semiconductor
  • 描述: Transistor; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:60V; Continuous Drain Current, Id:45A; On Resistance, Rds(on):26mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:2.8V ;RoHS Compliant: Yes
  • 标准包装:800
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:45A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:26 毫欧 @ 22.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:46nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:1725pF @ 25V
  • 功率 - 最大:2.4W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装:D2PAK
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:NTB45N06T4GOSNTB45N06T4GOS-NDNTB45N06T4GOSTR
NTB45N06T4G 相关信息
  • NTB45N06T4G的技术参数
    产品型号:NTB45N06T4G源漏极间雪崩电压VBR(V):40源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):26最大漏极电流Id(on)(A):45通道极性:N沟道封装/温度(℃):D2PAK/-55 ~150描述:45 A, 60 V功率MOSFET价格/1片(套):¥7.10 来源:xiangxueqin

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