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ntb52n10t4g供应商优质现货

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ntb52n10t4g中文资料

  • NTB52N10T4G的技术参数

    产品型号:ntb52n10t4g源漏极间雪崩电压vbr(v):100源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):30最大漏极电流id(on)(a):52通道极性:n沟道封装/温度(℃):d2pak/-55 ~150描述:52 a, 100 v功率mosfet价格/1片(套):¥15.70 来源:xiangxueqin

  • NTB52N10T4G的技术参数

    产品型号:NTB52N10T4G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):100
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):30
    最大漏极电流Id(on)(A):52
    通道极性:N沟道
    封装/温度(℃):D2PAK/-55 ~150
    描述:52 A, 100 V功率MOSFET
    价格/1片(套):¥15.70

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ntb52n10t4g替代型号

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