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当前位置：维库电子市场网>IC>ntb35n15 更新时间:2024-11-26 06:20:20

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ntb35n15中文资料

  • NTB35N15的技术参数

    产品型号:ntb35n15源漏极间雪崩电压vbr(v):150源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):42最大漏极电流id(on)(a):37通道极性:n沟道封装/温度(℃):d2pak/-55~175描述:37a,150v逻辑电平的功率mosfet价格/1片(套):￥17.90 来源:xiangxueqin

  • NTB35N15T4G的技术参数

    产品型号:NTB35N15T4G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):150
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):50
    最大漏极电流Id(on)(A):37
    通道极性:N沟道
    封装/温度(℃):D2PAK/-55 ~150
    描述:37 A, 150 V功率MOSFET
    价格/1片(套):￥16.00

    <...

  • NTB35N15的技术参数

    产品型号:NTB35N15
    源漏极间雪崩电压VBR(V):150
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):42
    最大漏极电流Id(on)(A):37
    通道极性:N沟道
    封装/温度(℃):D2PAK/-55~175
    描述:37A,150V逻辑电平的功率MOSFET
    价格/1片(套):￥17.90

ntb35n15替代型号

NTB30N20T4G NTB30N20 NTB30N06L NTB30N06G NTB30N06 NTB27N06L NTB25P06T4G NTB25P06G NTB25P06 NTB23N03R

NTB35N15T4G NTB4302 NTB4302T4G NTB45N06 NTB45N06T4G NTB52N10 NTB52N10T4 NTB52N10T4G NTB5404NT4G NTB5605PG

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