6501
N/A/21+/22+/23+
原装现货 有单就出，一站式BOM配单 假一赔十
7500
WDSON5/22+
支持终端账期 原装原标现货
IRF6727MTRPBF
20000
MGWDSON5/22+
只做原装，也只有原装
IRF6727MTRPBF
55000
QFN/22+
优势现货库存，支持实单
IRF6727MTRPBF
5780
MGWDSON5/2023+
原装现货，支持一站式BOM配单
IRF6727MTRPBF
10000
-/21+
特价特价
IRF6727MTRPBF
25000
MGWDSON5/22+
原装原装，一站配齐
IRF6727MTRPBF
9600
NA/22+
壹诺只做原装支持实单
IRF6727MTRPBF
15000
DirectFETMX/18+
-
IRF6727MTRPBF
500
NA/1129
-
IRF6727MTRPBF
9782
7Pin/18+
盘装/4800
IRF6727M
8000
DirectFET MX/23+
只做原装现货
IRF6727M
8000
Micro3/SOT23/2024+
原装现货，支持BOM配单
IRF6727M
7000
DirectFET MX/22+
终端可免费供样,支持BOM配单
IRF6727M
20000
SOP/2023+
17%原装.深圳送货
IRF6727M
6000
DirectFET MX/23+
原装现货 只做原厂原装优势库存 自家库存
IRF6727M
16000
DirectFET MX/2322+
原装正规渠道优势商全新进口深圳现货原盒原包
IRF6727M
60000
MGWDSON5/21+
专注电子元件十年，只做原装现货
IRF6727M
6000
DirectFET MX/22+
终端可免费供样,支持BOM配单
导通电阻 (rds(on)) 非常低，同时把栅极电荷 (qg) 和栅漏极电荷 (qgd) 减至最少，并以极低的封装电感减少了导通及开关损耗。 ir亚洲区销售副总裁潘大伟表示：“凭借我们基准的功率mosfet硅器件和directfet封装，新的30v器件具有非常低的rds(on)、qg和qgd特性，可提高整个负载的效率和散热性能。这也有助于实现每相位25a的操作，同时保持单一控制和单一同步mosfet的小巧体积。” irf6724m、irf6725m、irf6726m，以及irf6727m具有极低的rds(on) 特性，非常适合高电流同步mosfet。这些新器件与上一代器件采用通用的mt和mx占位面积，所以当需要提高电流水平或改善散热性能时，易于从旧器件转向使用新器件。 irf6721s、irf6722s与irf6722m极低的qg和qgd，使这些器件非常适用于控制mosfet。它们还有sq、st和mp占位面积可供选择，可以使设计更具灵活性。 新器件符合电子产品有害物质限制规定 (rohs)，并已接受批量订单。 来源:ks99
该系列结合ir最新的30v hexfet功率mosfet硅技术与先进的directfet封装技术，比标准so-8器件的占位面积小40%，而且采用了0.7mm纤薄设计。导通电阻 (rds(on)) 非常低，同时把栅极电荷 (qg) 和栅漏极电荷 (qgd) 减至最少，并以极低的封装电感减少了导通及开关损耗。 irf6724m、irf6725m、irf6726m，以及irf6727m具有极低的rds(on) 特性，非常适合高电流同步mosfet。这些新器件与上一代器件采用通用的mt和mx占位面积，所以当需要提高电流水平或改善散热性能时，易于从旧器件转向使用新器件。 irf6721s、irf6722s与irf6722m极低的qg和qgd，使这些器件非常适用于控制mosfet。它们还有sq、st和mp占位面积可供选择，可以使设计更具灵活性。
计。新一代30v器件的导通电阻(rds(on))非常低，同时把栅极电荷(qg)和栅漏极电荷(qgd)减至最少，并以极低的封装电感减少了导通及开关损耗。 ir亚洲区销售副总裁潘大伟表示：“凭借我们基准的功率mosfet硅器件和directfet封装，新的30v器件具有非常低的rds(on)、qg和qgd特性，可提高整个负载的效率和散热性能。这也有助于实现每相位25a的操作，同时保持单一控制和单一同步mosfet的小巧体积。” irf6724m、irf6725m、irf6726m，以及irf6727m具有极低的rds(on)特性，非常适合高电流同步mosfet。这些新器件与上一代器件采用通用的mt和mx占位面积，所以当需要提高电流水平或改善散热性能时，易于从旧器件转向使用新器件。 irf6721s、irf6722s与irf6722m极低的qg和qgd，使这些器件非常适用于控制mosfet。它们还有sq、st和mp占位面积可供选择，可以使设计更具灵活性。 新器件符合电子产品有害物质限制规定(rohs)，并已接受批量订单。
30v器件的导通电阻 (rds(on)) 非常低，同时把栅极电荷 (qg) 和栅漏极电荷 (qgd) 减至最少，并以极低的封装电感减少了导通及开关损耗。 ir亚洲区销售副总裁潘大伟表示：“凭借我们基准的功率mosfet硅器件和directfet封装，新的30v器件具有非常低的rds(on)、qg和qgd特性，可提高整个负载的效率和散热性能。这也有助于实现每相位25a的操作，同时保持单一控制和单一同步mosfet的小巧体积。” irf6724m、irf6725m、irf6726m，以及irf6727m具有极低的rds(on) 特性，非常适合高电流同步mosfet。这些新器件与上一代器件采用通用的mt和mx占位面积，所以当需要提高电流水平或改善散热性能时，易于从旧器件转向使用新器件。 irf6721s、irf6722s与irf6722m极低的qg和qgd，使这些器件非常适用于控制mosfet。它们还有sq、st和mp占位面积可供选择，可以使设计更具灵活性。 新器件符合电子产品有害物质限制规定 (rohs)，并已接受批量订单。
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