IRF6722S
8000
FET ST/23+
只做原装现货
IRF6722S
8000
TO262/2024+
原装现货，支持BOM配单
IRF6722S
7000
FET ST/22+
终端可免费供样,支持BOM配单
IRF6722S
20000
SO8/2023+
17%原装.深圳送货
IRF6722S
6000
FET ST/23+
原装现货 只做原厂原装优势库存 自家库存
IRF6722S
16000
FET ST/2322+
原装正规渠道优势商全新进口深圳现货原盒原包
IRF6722S
7000
FET ST/21+
终端可免费供样,支持BOM配单
IRF6722S
6000
FET ST/22+
终端可免费供样,支持BOM配单
IRF6722S
8000
FET ST/23+
只做原装现货
IRF6722S
4000
DirectFETST/22+
原厂原装现货
IRF6722S
8000
TO262/2023+
原装现货，支持BOM配单
IRF6722S
18000
TO262/2023+
13%原装
IRF6722S
24500
-/-
原装 部分现货量大期货
IRF6722S
18000
TO262/2023+
13%原装
IRF6722S
7000
FET ST/21+
终端可免费供样,支持BOM配单
IRF6722S
8000
DirectFET ST/22+
只做原装
IRF6722S
7000
FET ST/21+
终端可免费供样，支持BOM配单
IRF6722S
6000
FET ST/22+
原装现货
IRF6722S
6560
FET ST/09+
原装，公司现货
ectfet封装，新的30v器件具有非常低的rds(on)、qg和qgd特性，可提高整个负载的效率和散热性能。这也有助于实现每相位25a的操作，同时保持单一控制和单一同步mosfet的小巧体积。” irf6724m、irf6725m、irf6726m，以及irf6727m具有极低的rds(on) 特性，非常适合高电流同步mosfet。这些新器件与上一代器件采用通用的mt和mx占位面积，所以当需要提高电流水平或改善散热性能时，易于从旧器件转向使用新器件。 irf6721s、irf6722s与irf6722m极低的qg和qgd，使这些器件非常适用于控制mosfet。它们还有sq、st和mp占位面积可供选择，可以使设计更具灵活性。 新器件符合电子产品有害物质限制规定 (rohs)，并已接受批量订单。 来源:ks99
器件和directfet封装，新的30v器件具有非常低的rds(on)、qg和qgd特性，可提高整个负载的效率和散热性能。这也有助于实现每相位25a的操作，同时保持单一控制和单一同步mosfet的小巧体积。” irf6724m、irf6725m、irf6726m，以及irf6727m具有极低的rds(on) 特性，非常适合高电流同步mosfet。这些新器件与上一代器件采用通用的mt和mx占位面积，所以当需要提高电流水平或改善散热性能时，易于从旧器件转向使用新器件。 irf6721s、irf6722s与irf6722m极低的qg和qgd，使这些器件非常适用于控制mosfet。它们还有sq、st和mp占位面积可供选择，可以使设计更具灵活性。 新器件符合电子产品有害物质限制规定 (rohs)，并已接受批量订单。
件和directfet封装，新的30v器件具有非常低的rds(on)、qg和qgd特性，可提高整个负载的效率和散热性能。这也有助于实现每相位25a的操作，同时保持单一控制和单一同步mosfet的小巧体积。” irf6724m、irf6725m、irf6726m，以及irf6727m具有极低的rds(on)特性，非常适合高电流同步mosfet。这些新器件与上一代器件采用通用的mt和mx占位面积，所以当需要提高电流水平或改善散热性能时，易于从旧器件转向使用新器件。 irf6721s、irf6722s与irf6722m极低的qg和qgd，使这些器件非常适用于控制mosfet。它们还有sq、st和mp占位面积可供选择，可以使设计更具灵活性。 新器件符合电子产品有害物质限制规定(rohs)，并已接受批量订单。
比标准so-8器件的占位面积小40%，而且采用了0.7mm纤薄设计。导通电阻 (rds(on)) 非常低，同时把栅极电荷 (qg) 和栅漏极电荷 (qgd) 减至最少，并以极低的封装电感减少了导通及开关损耗。 irf6724m、irf6725m、irf6726m，以及irf6727m具有极低的rds(on) 特性，非常适合高电流同步mosfet。这些新器件与上一代器件采用通用的mt和mx占位面积，所以当需要提高电流水平或改善散热性能时，易于从旧器件转向使用新器件。 irf6721s、irf6722s与irf6722m极低的qg和qgd，使这些器件非常适用于控制mosfet。它们还有sq、st和mp占位面积可供选择，可以使设计更具灵活性。
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