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    • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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    • 集好芯城

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    • 北京元坤伟业科技有限公司

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    • 深圳市正信鑫科技有限公司

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    • 北京元坤伟业科技有限公司

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    • 深圳市婷轩实业有限公司

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    • 深圳市创思克科技有限公司

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    产品型号BC547BTAR的Datasheet PDF文件预览

    Discr ete P OWER & Sign a l  
    Tech n ologies  
    BC547  
    BC547A  
    BC547B  
    BC547C  
    TO-92  
    E
    B
    C
    NPN General Purpose Amplifier  
    This device is designed for use as general purpose amplifiers  
    and switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced from  
    Process 10. See PN100A for characteristics.  
    Absolute Maximum Ratings*  
    TA = 25°C unless otherwise noted  
    Symbol  
    Parameter  
    Value  
    Units  
    VCEO  
    VCES  
    VEBO  
    IC  
    Collector-Emitter Voltage  
    45  
    50  
    V
    V
    Collector-Base Voltage  
    Emitter-Base Voltage  
    6.0  
    V
    Collector Current - Continuous  
    Operating and Storage Junction Temperature Range  
    500  
    mA  
    -55 to +150  
    C
    °
    TJ, Tstg  
    *These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
    NOTES:  
    1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
    2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
    Thermal Characteristics  
    TA = 25°C unless otherwise noted  
    Symbol  
    Characteristic  
    Max  
    Units  
    BC547 / A / B / C  
    PD  
    Total Device Dissipation  
    Derate above 25 C  
    625  
    5.0  
    mW  
    mW/ C  
    °
    °
    Thermal Resistance, Junction to Case  
    83.3  
    Rθ  
    C/W  
    °
    JC  
    Thermal Resistance, Junction to Ambient  
    200  
    Rθ  
    C/W  
    °
    JA  
    1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
    547ABC, Rev B  
    NPN General Purpose Amplifier  
    (continued)  
    Electrical Characteristics  
    TA = 25°C unless otherwise noted  
    Symbol  
    Parameter  
    Test Conditions  
    Min  
    Max  
    Units  
    OFF CHARACTERISTICS  
    V(BR)CEO  
    V(BR)CBO  
    V(BR)CES  
    V(BR)EBO  
    ICBO  
    Collector-Emitter Breakdown Voltage  
    IC = 1.0 mA, IB = 0  
    I = 10 A, I = 0  
    45  
    50  
    50  
    6.0  
    V
    V
    Collector-Base Breakdown Voltage  
    Collector-Base Breakdown Voltage  
    Emitter-Base Breakdown Voltage  
    Collector Cutoff Current  
    µ
    C
    E
    V
    I = 10 A, I = 0  
    µ
    C
    E
    V
    I = 10 A, I = 0  
    µ
    E
    C
    VCB = 30 V, IE = 0  
    VCB = 30 V, I = 0, T = +150 C  
    15  
    5.0  
    nA  
    A
    µ
    °
    E
    A
    ON CHARACTERISTICS  
    hFE  
    DC Current Gain  
    VCE = 5.0 V, IC = 2.0 mA  
    110  
    110  
    200  
    420  
    800  
    220  
    450  
    800  
    0.25  
    0.60  
    0.70  
    0.77  
    547  
    547A  
    547B  
    547C  
    Collector-Emitter Saturation Voltage  
    Base-Emitter On Voltage  
    IC = 10 mA, IB = 0.5 mA  
    IC = 100 mA, IB = 5.0 mA  
    VCE = 5.0 V, IC = 2.0 mA  
    V
    VCE(sat)  
    VBE(on)  
    V
    V
    V
    0.58  
    125  
    VCE = 5.0 V, IC = 10 mA  
    SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS  
    hfe  
    Small-Signal Current Gain  
    IC = 2.0 mA, VCE = 5.0 V,  
    f = 1.0 kHz  
    900  
    10  
    NF  
    Noise Figure  
    dB  
    VCE = 5.0 V, I = 200 A,  
    µ
    C
    R = 2.0 k , f = 1.0 kHz,  
    Ω
    S
    BW = 200 Hz  
    配单直通车
    BC547BTAR产品参数
    型号:BC547BTAR
    Brand Name：Fairchild Semiconductor
    是否无铅： 不含铅
    是否Rohs认证： 符合
    生命周期：Obsolete
    零件包装代码：TO-92
    包装说明：LEAD FREE, TO-92, 3 PIN
    针数：3
    制造商包装代码：3 LD, TO92 MOLDED TO-5 STANDARD LD FORM ( JO5Z OPTION)
    Reach Compliance Code：unknown
    ECCN代码：EAR99
    HTS代码：8541.21.00.95
    风险等级：5.06
    最大集电极电流 (IC)：0.1 A
    集电极-发射极最大电压：45 V
    配置：SINGLE
    最小直流电流增益 (hFE)：200
    JEDEC-95代码：TO-92
    JESD-30 代码：O-PBCY-T3
    JESD-609代码：e3
    元件数量：1
    端子数量：3
    最高工作温度：150 °C
    封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
    封装形状：ROUND
    封装形式：CYLINDRICAL
    峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
    极性/信道类型：NPN
    最大功率耗散 (Abs)：0.625 W
    认证状态：Not Qualified
    子类别：Other Transistors
    表面贴装：NO
    端子面层：Matte Tin (Sn)
    端子形式：THROUGH-HOLE
    端子位置：BOTTOM
    处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
    晶体管应用：SWITCHING
    晶体管元件材料：SILICON
    标称过渡频率 (fT)：300 MHz
    Base Number Matches：1
    •  
    • 供货商
    • 型号 *
    • 数量*
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