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产品型号BCT2827C的概述

芯片BCT2827C概述 BCT2827C是一款高性能的集成电路,设计用于高频信号处理和数据传输。它的应用广泛,适用于通信、计算机及消费电子产品。作为一款混合信号芯片,BCT2827C具备模拟与数字信号处理的能力,能够进行信号调制和解调,同时提高了系统的抗干扰能力和稳定性。 BCT2827C具有出色的频率响应特性和低功耗特性,这使其在多种使应用环境中表现出高效性能。其内部架构设计包含了多个功能模块,包括放大器、滤波器和调制解调器等,使其能够完成复杂的信号处理任务。在现代通信系统中,尤其是无线通信和数字通信技术中,BCT2827C由于其先进的技术指标,成为一种理想的选择。 芯片BCT2827C的详细参数 BCT2827C的产品参数包含了多种关键性能指标。首先,它的工作频率范围通常覆盖在300MHz至3GHz之间,使得它能够适用于多种频段的通信。其次,该芯片的供电电压范围通常为2.7V至5...

产品型号BCT4121的Datasheet PDF文件预览

December, 2013, REV1.1  
BCT4121N  
Negative-Voltage,1.0Ω,100MHz Dual SPST Analog Switch  
Suitable for Class-D Amp switch  
Digital Still Cameras  
PDAs and Palmtop Devices  
MP3/MP4 Players  
General Description  
The BCT4121 is a double-pole single-throw (DPST)  
analog switch with negative signal audio analog signals.  
The two channels have ultra Low on resistance (1.0 )  
with good signal integrity. Each switch is bidirectional  
Features  
and offers little or no attenuation of the signals at the  
outputs. Industry-leading advantages include  
VCC Operating Range: 1.65V to 5.0V  
Low ON Resistance: 1.0-ohms at 5.0V  
Rail-to-Rail Signal Range  
a
propagation delay of less than 250ps, resulting from its  
low channel resistance and low I/O capacitance. The  
high channel-to-channel crosstalk rejection results in  
minimal noise interference. The device is special design  
for isolation of output of class-D PA from Baseband IC.  
ON-Resistance Matching: 0.2 Ω  
ON-Resistance Flatness: 0.1Ω  
High Off Isolation: 57dB at 10MHz  
54dB (10MHz) Crosstalk Rejection  
Break-Before-Make Switching  
Analog Signal Range: -2.0V - VCC  
Space-Saving, 8-Pin DFN 2mm X 2mm  
Applications  
Cell Phones  
Pin Configurations  
Logic Diagram  
(BCT4121 Top View)  
DFN2x2 - 8L Package  
Pin Definitions  
Pin  
Name  
GND  
Vcc  
Description  
1
Ground  
2
Power Supply  
3,4  
5,6  
7
A1,A2  
B1,B2  
CTRL  
NC  
Analogue Input / Output  
Analogue Input / Output  
Logic Control Input.  
No Connection.  
8
Ordering Information  
Ordering Code  
Package Description  
8-Pin DFN 2mm X 2mm  
Temp Range  
Top Marking  
BCT4121NETA-TR  
40°C to +85°C  
4121  
www.broadchip.com  
December, 2013, REV1.1  
Truth Table  
CTRL  
Remarks  
0
1
A and B Connect  
A and B Dis-Connect  
Typical Application Circuit  
Absolute Maximum Ratings  
VCC,CTRL to GND............... ........................-0.65V to +5.25V  
All Other Pins to GND (Note 1)...........-0.65V to (VCC + 0.3V)  
Continuous Current (A1,A2, B1,B2)…….................. ±400mA  
Peak Current (,A1,A2, B1,B2)..  
Continuous Power Dissipation (TA = +70°C)  
8-Pin DFN (derate 15.6mW/°C above +70°C) ......1.25W  
Operating Temperature Range ....................-40°C to +85°C  
Storage Temperature Range......................-65°C to +150°C  
Junction Temperature...............................................+150°C  
Lead Temperature (soldering, 10s)...........................+300°C  
(pulsed at 1ms, 10% duty cycle)..............................±500mA  
Note 1: Signals onA1,A2, B1,B2 exceeding VCC or GND are clamped by internal diodes. Limit forward-diode current to maximum current  
rating.  
Stresses beyond those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. These are  
stress ratings only, and functional operation of the device at these or any other conditions beyond those indicated in the  
operational sections of the specifications is not implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended  
periods may affect device reliability.  
Electrical Characteristics  
(VCC = 2.7V to 4.2V, TA = TMIN to TMAX, unless otherwise noted. Typical values are at VCC = 3.3V, TA = +25°C.) (Note 2)  
PARAMETER  
POWER SUPPLY  
SYMBOL  
CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX UNITS  
Supply Voltage Range  
VCC  
ICC  
1.6  
5.0  
1
V
VCC = 3.6V, CTRL = 0 or VCC,A1,A2, B1,B2 =  
floating  
Supply Current  
0.02  
uA  
Low Ron Mode(Audio):  
Analog Signal Range  
On-Resistance  
A1,A2, B1,B2  
-2.0  
VCC  
1.5  
V
RON  
RON  
RFLAT  
IOFF  
IB2=60mA, VA1, VA2 = 0 to VCC  
1.0  
0.2  
IB1= 60mA or IB2=8mA, VA1, VA2 = 1.2v  
(Note 3,4)  
On-Resistance Match  
On-Resistance Flatness  
A1,A2,Off-Leakage Current  
B1,B2 On-Leakage Current  
IB1= 60mA or IB2=60mA, V A1, VA2 =  
0.6,1.8v (Note 5)  
0.4  
VB1,VB2, VA1, VA2 = 0.6,1.8v,or floating  
(Note 5)  
100  
100  
nA  
nA  
50  
50  
ION  
VB1,VB2, VA1, VA2 = floating (Note 5)  
www.broadchip.com  
December, 2013, REV1.1  
Electrical Characteristics (continued)  
(VCC = 2.7V to 4.2V, TA = TMIN to TMAX, unless otherwise noted. Typical values are at VCC = 3.3V, TA = +25°C.)  
PARAMETER  
SYMBOL  
CONDITIONS  
MIN TYP MAX UNITS  
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
Turn-On Time  
TON  
VA1orVA2 =1.5V, RL=50Ω,CL = 35pF  
VA1orVA2 =1.5V, RL=50Ω,CL = 35pF  
20  
15  
50  
50  
ns  
ns  
Turn-Off Time  
TOFF  
Break-Before-Make Time  
T
BBM  
VA1orVA2 =1.5V, RL=50Ω,CL = 35pF  
RL = 50Ω, R, L to B1, B2  
2
15  
ns  
On-Channel Bandwidth -3dB  
BW  
100  
MHz  
B1, B2 = 1VRMS, RL = 50Ω, f =  
100kHz, CL = 5pF  
B1,B2,RL=50Ω, f=100kHz,CL = 5pF  
Off-Isolation  
Crosstalk  
VISO  
VCT  
-66  
-86  
dB  
dB  
%
Total Harmonic Distortion Plus  
Noise  
f = 20Hz to 20kHz; VA1 or VA2 B1, B2,=  
0.5VP-P; RL = 32Ω  
THD+N  
0.02  
CB1(OFF)  
CB2(OFF)  
B1,B2 On-Capacitance  
f = 1MHz, VB1 = VB2 = 1.5V  
7
pF  
DIGITAL INPUTS  
Input-Logic High  
Input-Logic Low  
Input-Logic High  
Input-Logic Low  
Input Leakage Current  
VIH  
VIL  
VIH  
VIL  
IIN  
VCC=2.7V to 3.3V,  
VCC=2.7V to 3.3V,  
VCC=3.3 to 4.2V,  
VCC=3.3 to 4.2V,  
VIN_ = 0 or VCC ,  
1.4  
1.5  
V
V
V
V
uA  
0.5  
0.8  
±1  
Note 2: Devices are 100% tested at TA = +25°C. Limits across the full temperature range are guaranteed by design and correlation.  
Note 3: RON and RON matching specifications are guaranteed by design,  
Note 4: ∆RON = RON(MAX) - RON(MIN).  
Note 5: Flatness is defined as the difference between the maximum and minimum value of on-resistance, as measured over the  
specified analog signal ranges.  
Note 6: Guaranteed by design, not production tested.  
Package Information  
www.broadchip.com  
配单直通车
BCT8-08产品参数
型号:BCT8-08
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Contact Manufacturer
包装说明:R-MXFM-D3
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.7
其他特性:LOW POWER LOSS
应用:EFFICIENCY
配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1 V
JESD-30 代码:R-MXFM-D3
最大非重复峰值正向电流:300 A
元件数量:2
相数:1
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:4 A
封装主体材料:METAL
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压:800 V
最大反向电流:10 µA
端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UNSPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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