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产品型号BCX51115的概述

芯片BCX51115的概述 BCX51115是一款广泛应用于信息通讯和消费电子设备中的集成电路(IC)。随着科技的不断进步,这款芯片已成为许多智能设备的核心部件,其功能涵盖了信号处理、功率管理、数据传输等多个领域。BCX51115的设计旨在满足工业标准和市场需求,为用户提供高效、稳定的性能。 BCX51115的主要特点包括其高集成度、低功耗设计以及出色的信号处理能力。其应用领域广泛,覆盖了从手机、平板电脑到物联网设备等多种电子产品。由于其优异的性能指标,BCX51115在市场上受到广泛关注,成为了多个电子设计的首选组件。 芯片BCX51115的详细参数 BCX51115的详细参数包括其工作电压、功耗、输出特性及信号处理能力等。具体参数如下: - 工作电压范围:3.3V - 5V - 最大功耗:500mW - 工作频率:20MHz - 100MHz - 输入电流:最大200mA - 输出...

产品型号BCX5116E6327HTSA1的Datasheet PDF文件预览

BCX51...-BCX53...  
PNP Silicon AF Transistors  
1
For AF driver and output stages  
High collector current  
2
3
2
Low collector-emitter saturation voltage  
Complementary types: BCX54...BCX56 (NPN)  
Pb-free (RoHS compliant) package  
Qualified according AEC Q101  
Type  
BCX51  
BCX51-16  
BCX52  
BCX52-16  
BCX53  
Marking  
AA  
AD  
AE  
AM  
AH  
AK  
AL  
Pin Configuration  
Package  
SOT89  
SOT89  
SOT89  
SOT89  
SOT89  
SOT89  
SOT89  
1=B  
1=B  
1=B  
1=B  
1=B  
1=B  
1=B  
2=C  
2=C  
2=C  
2=C  
2=C  
2=C  
2=C  
3=E  
3=E  
3=E  
3=E  
3=E  
3=E  
3=E  
BCX53-10  
BCX53-16  
2011-07-29  
1
BCX51...-BCX53...  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
V
Collector-emitter voltage  
BCX51  
BCX52  
V
V
V
CEO  
CBO  
EBO  
45  
60  
80  
BCX53  
Collector-base voltage  
BCX51  
BCX52  
45  
60  
100  
BCX53  
5
1
Emitter-base voltage  
Collector current  
A
I
C
1.5  
100  
200  
2
Peak collector current, t 10 ms  
Base current  
Peak base current  
Total power dissipation  
I
I
B
I
BM  
P
p
CM  
mA  
W
tot  
T 120 °C  
S
150  
°C  
Junction temperature  
Storage temperature  
T
j
T
-65 ... 150  
stg  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction - soldering point  
Symbol  
Value  
15  
Unit  
K/W  
1)  
R
thJS  
1
For calculation of R  
please refer to Application Note AN077 (Thermal Resistance Calculation)  
thJA  
2011-07-29  
2
BCX51...-BCX53...  
Electrical Characteristics at T = 25°C, unless otherwise specified  
A
Parameter  
Symbol  
Values  
typ. max.  
Unit  
min.  
DC Characteristics  
Collector-emitter breakdown voltage  
V
V
V
V
(BR)CEO  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
I = 10 mA, I = 0 , BCX51  
45  
60  
80  
-
-
-
-
-
-
C
B
I = 10 mA, I = 0 , BCX52  
C
B
I = 10 mA, I = 0 , BCX53  
C
B
Collector-base breakdown voltage  
I = 100 µA, I = 0 , BCX51  
45  
60  
100  
-
-
-
-
-
-
C
E
I = 100 µA, I = 0 , BCX52  
C
E
I = 100 µA, I = 0 , BCX53  
C
E
Emitter-base breakdown voltage  
I = 10 µA, I = 0  
5
-
-
E
C
Collector-base cutoff current  
I
µA  
-
CBO  
V
V
= 30 V, I = 0  
-
-
-
-
0.1  
20  
CB  
CB  
E
= 30 V, I = 0 , T = 150 °C  
E
A
1)  
DC current gain  
I = 5 mA, V = 2 V  
h
FE  
25  
40  
63  
100  
25  
-
-
-
C
CE  
I = 150 mA, V = 2 V, BCX51...BCX53  
250  
160  
250  
-
C
CE  
I = 150 mA, V = 2 V, BCX53-10  
100  
160  
-
C
CE  
I = 150 mA, V = 2 V, BCX51-16...BCX53-16  
C
CE  
I = 500 mA, V = 2 V  
C
CE  
1)  
Collector-emitter saturation voltage  
I = 500 mA, I = 50 mA  
V
-
-
0.5  
V
CEsat  
C
B
1)  
Base-emitter voltage  
I = 500 mA, V = 2 V  
V
BE(ON)  
-
-
1
C
CE  
AC Characteristics  
Transition frequency  
-
125  
-
MHz  
f
T
I = 50 mA, V = 10 V, f = 20 MHz  
C
CE  
1
Pulse test: t < 300µs; D < 2%  
2011-07-29  
3
BCX51...-BCX53...  
DC current gain h = ƒ(I )  
Collector-emitter saturation voltage  
FE  
C
V
= 2 V  
I = ƒ(V  
), h = 10  
CE  
C
CEsat FE  
BCX 51...53  
EHP00440  
BCX 51...53  
EHP00441  
104  
mA  
103  
5
hFE  
ΙC  
103  
5
100 ˚C  
25 ˚C  
102  
5
-50 ˚C  
˚C  
˚C  
˚C  
100  
25  
-50  
102  
5
101  
5
101  
5
100  
100  
100  
5 101  
5 10 2  
5 103  
Ι C  
104  
mA  
0
0.2  
0.4  
0.6  
VCE sat  
V
0.8  
Base-emitter saturation voltage  
I = ƒ(V ), h = 10  
Collector current I = ƒ(V )  
C BE  
V = 2V  
C
BEsat  
FE  
CE  
BCX 51...53  
EHP00443  
BCX 51...53  
EHP00437  
10 4  
mA  
104  
mA  
Ι C  
Ι C  
10 3  
5
103  
5
˚C  
˚C  
-50˚C  
100  
25  
˚C  
˚C  
-50 ˚C  
100  
25  
10 2  
5
102  
5
101  
5
101  
5
10 0  
100  
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
1.2  
V
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
1.2  
V
VBE sat  
VBE  
2011-07-29  
4
BCX51...-BCX53...  
Collector cutoff current I  
= ƒ(T )  
Transition frequency f = ƒ(I )  
CBO  
A
T
C
V
= 30 V  
V
= 10 V  
CBO  
CE  
BCX 51...53  
EHP00439  
BCX 51...53  
EHP00442  
10 4  
nA  
103  
MHz  
5
max  
f T  
Ι CB0  
10 3  
5
10 2  
5
102  
5
typ  
10 1  
5
100  
5
101  
10 -1  
100  
5
101  
5
102  
103  
0
50  
100  
150  
˚C  
TA  
mA  
Ι C  
Total power dissipation P = ƒ(T )  
Permissible Pulse Load R  
= ƒ(t )  
thJS p  
tot  
S
10 2  
2.4  
W
10 1  
10 0  
10 -1  
1.6  
1.2  
0.8  
0.4  
0
D = 0,5  
0,2  
0,1  
0,05  
0,02  
0,01  
0,005  
0
10 -6  
10 -5  
10 -4  
10 -3  
10 -2  
10 0  
°C  
s
0
15 30 45 60 75 90 105 120  
150  
T
t
p
S
2011-07-29  
5
BCX51...-BCX53...  
Permissible Pulse Load  
P
/P  
= ƒ(t )  
totmax totDC  
p
10 3  
-
D = 0  
0.005  
0.01  
0.02  
0.05  
0.1  
10 2  
10 1  
10 0  
0.2  
0.5  
10 -6  
10 -5  
10 -4  
10 -3  
10 -2  
10 0  
s
t
p
2011-07-29  
6
Package SOT89  
BCX51...-BCX53...  
Package Outline  
0.1  
4.5  
B
0.1  
1.5  
45˚  
0.25  
0.2 MAX.1)  
0.05  
0.2  
1.6  
0.15  
1
2
3
1.5  
0.1  
0.35  
+0.2  
-0.1  
0.45  
M
0.15  
B
x3  
3
0.2  
B
1) Ejector pin markings possible  
Foot Print  
2.0  
0.8  
0.8  
0.7  
Marking Layout (Example)  
BAW78D  
Type code  
Pin 1  
2005, June  
Date code (YM)  
Manufacturer  
Standard Packing  
Reel ø180 mm = 1.000 Pieces/Reel  
Reel ø330 mm = 4.000 Pieces/Reel  
0.2  
8
Pin 1  
1.6  
4.3  
2011-07-29  
7
BCX51...-BCX53...  
Edition 2009-11-16  
Published by  
Infineon Technologies AG  
81726 Munich, Germany  
2009 Infineon Technologies AG  
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reasonable to assume that the health of the user or other persons may be  
endangered.  
2011-07-29  
8
配单直通车
BCX5116E6327HTSA1产品参数
型号:BCX5116E6327HTSA1
是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:INFINEON TECHNOLOGIES AG
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:1 week
风险等级:5.09
Is Samacsys:N
湿度敏感等级:1
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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